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音频晶体管
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电流: 100 A
电压: 80 V
... 英飞凌采用SuperSO8封装的OptiMOS™ BiC MOSFET扩展了OptiMOS™ 3和5产品系列,除了改善稳健性外,还能实现更高的功率密度,满足了降低系统成本和提高性能的需求。 低反向恢复电荷(Qrr)通过大幅减少电压过冲,提高了系统的可靠性,从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求,降低了工程成本和工作量。 主要特点 最低的RDS(on)实现了最高的功率密度和效率 更高的工作温度等级,达到175℃,提高了可靠性 低RthJC,具有出色的热性能 更低的反向恢复电荷(Qrr)。 主要优点 更低的满负荷温度 更少的并联 减少超调现象 增加系统功率密度 更小的尺寸 降低系统成本 减少工程成本和工作量 目标应用 服务器 电信 电动工具 低电压驱动 D类音频应用 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 306 A
电压: 60 V
... 英飞凌采用SuperSO8封装的OptiMOS™ BiC MOSFET扩展了OptiMOS™ 3和5产品系列,除了改善稳健性外,还能实现更高的功率密度,满足了降低系统成本和提高性能的需求。 低反向恢复电荷(Qrr)通过大幅减少电压过冲,提高了系统的可靠性,从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求,降低了工程成本和工作量。 主要特点 最低的RDS(on)实现了最高的功率密度和效率 更高的工作温度等级,达到175℃,提高了可靠性 低RthJC,具有出色的热性能 更低的反向恢复电荷(Qrr)。 主要优点 更低的满负荷温度 更少的并联 减少超调现象 增加系统功率密度 更小的尺寸 降低系统成本 减少工程成本和工作量 目标应用 服务器 电信 电动工具 低电压驱动 D类音频应用 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 52 A
电压: 200 V
... 英飞凌采用SuperSO8封装的OptiMOS™ BiC MOSFET扩展了OptiMOS™ 3和5产品系列,除了改善稳健性外,还能实现更高的功率密度,满足了降低系统成本和提高性能的需求。 低反向恢复电荷(Qrr)通过大幅减少电压过冲,提高了系统的可靠性,从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求,降低了工程成本和工作量。 主要特点 最低的RDS(on)实现了最高的功率密度和效率 更高的工作温度等级,达到175℃,提高了可靠性 低RthJC,具有出色的热性能 更低的反向恢复电荷(Qrr)。 主要优点 更低的满负荷温度 更少的并联 减少超调现象 增加系统功率密度 更小的尺寸 降低系统成本 减少工程成本和工作量 目标应用 服务器 电信 电动工具 低电压驱动 D类音频应用 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 15 A
电压: 140 V
... NPN 双极功率晶体管 MJ15001 和 MJ15002 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区(100% 测试) 适用于低失真互补设计 高直流电流增益 - hFE = 25(最小值)@ IC = 4 Adc 提供无铅封装 ...
Fairchild Semiconductor/仙童
电流: 5 A
电压: 50 V
... 双极晶体管,NPN MJ15003 和 MJ15004 是功率晶体管,设计用于大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用。 特性 适用于低失真互补设计 高直流电流增益 - hFE = 25(最小值)@ IC = 5 Adc ...
Fairchild Semiconductor/仙童
电流: -5 A
电压: 50 V
... MJ15003 和 MJ15004 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区(100% 测试) 适用于低失真互补设计 高直流电流增益 - hFE = 25(最小值)@ IC = 5 Adc ...
Fairchild Semiconductor/仙童
电流: 15 A
电压: 60 V - 120 V
该双极功率晶体管适用于大功率音频、步进电机和其他线性应用。它还可用于继电器或电磁驱动器、DC-DC 转换器、逆变器等电源切换电路,或需要比 2N3055 安全运行区域更高的直感负载。
Fairchild Semiconductor/仙童
电流: 15 A
电压: 60 V - 120 V
该双极功率晶体管适用于大功率音频、步进电机和其他线性应用。它还可用于继电器或电磁驱动器、DC-DC 转换器、逆变器等电源切换电路,或需要比 2N3055 安全运行区域更高的直感负载。
Fairchild Semiconductor/仙童
电流: 16 A
电压: 200 V
... MJ15022 和 MJ15024 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区域(100% 测试 高直流电流增益 hFE = 15(最小值)@ IC = 8 Adc ...
Fairchild Semiconductor/仙童
电流: 16 A
电压: 200 V
... MJ15023 和 MJ15025 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区域(100% 测试 高直流电流增益 hFE = 15(最小值)@ IC = 8 Adc ...
Fairchild Semiconductor/仙童
电流: 16 A
电压: 250 V
... MJ15022 和 MJ15024 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区域(100% 测试 高直流电流增益 hFE = 15(最小值)@ IC = 8 Adc ...
Fairchild Semiconductor/仙童
电流: 16 A
电压: 250 V
... MJ15023 和 MJ15025 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区域(100% 测试 高直流电流增益 hFE = 15(最小值)@ IC = 8 Adc ...
Fairchild Semiconductor/仙童
电流: 16 A
电压: 250 V
MJ21193 和 MJ21194 使用穿孔射极技术,针对大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用而设计。
Fairchild Semiconductor/仙童
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