音频晶体管

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MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
BSC021N08NS5

电流: 100 A
电压: 80 V

... 英飞凌采用SuperSO8封装的OptiMOS™ BiC MOSFET扩展了OptiMOS™ 3和5产品系列,除了改善稳健性外,还能实现更高的功率密度,满足了降低系统成本和提高性能的需求。 低反向恢复电荷(Qrr)通过大幅减少电压过冲,提高了系统的可靠性,从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求,降低了工程成本和工作量。 主要特点 最低的RDS(on)实现了最高的功率密度和效率 更高的工作温度等级,达到175℃,提高了可靠性 低RthJC,具有出色的热性能 更低的反向恢复电荷(Qrr)。 主要优点 更低的满负荷温度 更少的并联 减少超调现象 增加系统功率密度 更小的尺寸 降低系统成本 减少工程成本和工作量 目标应用 服务器 电信 电动工具 低电压驱动 D类音频应用 ...

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Infineon Technologies AG/英飞凌
MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
BSC012N06NS

电流: 306 A
电压: 60 V

... 英飞凌采用SuperSO8封装的OptiMOS™ BiC MOSFET扩展了OptiMOS™ 3和5产品系列,除了改善稳健性外,还能实现更高的功率密度,满足了降低系统成本和提高性能的需求。 低反向恢复电荷(Qrr)通过大幅减少电压过冲,提高了系统的可靠性,从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求,降低了工程成本和工作量。 主要特点 最低的RDS(on)实现了最高的功率密度和效率 更高的工作温度等级,达到175℃,提高了可靠性 低RthJC,具有出色的热性能 更低的反向恢复电荷(Qrr)。 主要优点 更低的满负荷温度 更少的并联 减少超调现象 增加系统功率密度 更小的尺寸 降低系统成本 减少工程成本和工作量 目标应用 服务器 电信 电动工具 低电压驱动 D类音频应用 ...

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Infineon Technologies AG/英飞凌
MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
BSC220N20NSFD

电流: 52 A
电压: 200 V

... 英飞凌采用SuperSO8封装的OptiMOS™ BiC MOSFET扩展了OptiMOS™ 3和5产品系列,除了改善稳健性外,还能实现更高的功率密度,满足了降低系统成本和提高性能的需求。 低反向恢复电荷(Qrr)通过大幅减少电压过冲,提高了系统的可靠性,从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求,降低了工程成本和工作量。 主要特点 最低的RDS(on)实现了最高的功率密度和效率 更高的工作温度等级,达到175℃,提高了可靠性 低RthJC,具有出色的热性能 更低的反向恢复电荷(Qrr)。 主要优点 更低的满负荷温度 更少的并联 减少超调现象 增加系统功率密度 更小的尺寸 降低系统成本 减少工程成本和工作量 目标应用 服务器 电信 电动工具 低电压驱动 D类音频应用 ...

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Infineon Technologies AG/英飞凌
双极晶体管
双极晶体管
MJ15001G

电流: 15 A
电压: 140 V

... NPN 双极功率晶体管 MJ15001 和 MJ15002 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区(100% 测试) 适用于低失真互补设计 高直流电流增益 - hFE = 25(最小值)@ IC = 4 Adc 提供无铅封装 ...

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Fairchild Semiconductor/仙童
双极晶体管
双极晶体管
MJ15003G

电流: 5 A
电压: 50 V

... 双极晶体管,NPN MJ15003 和 MJ15004 是功率晶体管,设计用于大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用。 特性 适用于低失真互补设计 高直流电流增益 - hFE = 25(最小值)@ IC = 5 Adc ...

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Fairchild Semiconductor/仙童
双极晶体管
双极晶体管
MJ15004G

电流: -5 A
电压: 50 V

... MJ15003 和 MJ15004 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区(100% 测试) 适用于低失真互补设计 高直流电流增益 - hFE = 25(最小值)@ IC = 5 Adc ...

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Fairchild Semiconductor/仙童
双极晶体管
双极晶体管
MJ15015G

电流: 15 A
电压: 60 V - 120 V

该双极功率晶体管适用于大功率音频、步进电机和其他线性应用。它还可用于继电器或电磁驱动器、DC-DC 转换器、逆变器等电源切换电路,或需要比 2N3055 安全运行区域更高的直感负载。

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Fairchild Semiconductor/仙童
双极晶体管
双极晶体管
MJ15016G

电流: 15 A
电压: 60 V - 120 V

该双极功率晶体管适用于大功率音频、步进电机和其他线性应用。它还可用于继电器或电磁驱动器、DC-DC 转换器、逆变器等电源切换电路,或需要比 2N3055 安全运行区域更高的直感负载。

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Fairchild Semiconductor/仙童
双极晶体管
双极晶体管
MJ15022G

电流: 16 A
电压: 200 V

... MJ15022 和 MJ15024 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区域(100% 测试 高直流电流增益 hFE = 15(最小值)@ IC = 8 Adc ...

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Fairchild Semiconductor/仙童
双极晶体管
双极晶体管
MJ15023G

电流: 16 A
电压: 200 V

... MJ15023 和 MJ15025 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区域(100% 测试 高直流电流增益 hFE = 15(最小值)@ IC = 8 Adc ...

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Fairchild Semiconductor/仙童
双极晶体管
双极晶体管
MJ15024G

电流: 16 A
电压: 250 V

... MJ15022 和 MJ15024 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区域(100% 测试 高直流电流增益 hFE = 15(最小值)@ IC = 8 Adc ...

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Fairchild Semiconductor/仙童
双极晶体管
双极晶体管
MJ15025G

电流: 16 A
电压: 250 V

... MJ15023 和 MJ15025 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区域(100% 测试 高直流电流增益 hFE = 15(最小值)@ IC = 8 Adc ...

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Fairchild Semiconductor/仙童
双极晶体管
双极晶体管
MJ21193G

电流: 16 A
电压: 250 V

MJ21193 和 MJ21194 使用穿孔射极技术,针对大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用而设计。

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Fairchild Semiconductor/仙童
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