移动应用内存

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闪存内存
闪存内存
H26M41208HPR

内存: 512 GB

... 一路走来,可靠而强大的存储 占主导地位的通用存储器解决方案 eMMC具有卓越的电源效率和快速的速度,是一种先进的、可管理的NAND闪存,适用于移动应用,并且仍然是许多消费类电子产品的主导存储解决方案,从智能手机和平板电脑到GPS系统、数字电视、机顶盒、OTT,甚至是采用eMMC的汽车模块。 广泛的产品组合和长期的支持 SK hynix的eMMC解决方案有一系列的密度,从8GB到64GB,所有这些都能满足我们客户对小包装、快速接口和长期支持的需求。 通过命令队列(CQ)优化接口速度 通过使用命令队列(CQ)优化性能,达到HS400模式的最大接口速度。 ...

DRAM内存
DRAM内存
K3UH5H50AM-AGCL

... 为下一代移动 三星移动设备的快速的 LPDDR4X 创新打造的下一层速度,正在推动全球移动 DRAM 市场,推动更智能、创造性的可能性。 实现更智能的设备加速无缝体验延长电池寿命 ...

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Samsung Semiconductor
DRAM内存
DRAM内存
K3UH5H50MM-AGCJ

... 为下一代移动 三星移动设备的快速的 LPDDR4X 创新打造的下一层速度,正在推动全球移动 DRAM 市场,推动更智能、创造性的可能性。 实现更智能的设备加速无缝体验延长电池寿命 ...

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K3UH5H50MM-NGCJ

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K3UH6H60AM-AGCJ

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K3UH6H60AM-NGCJ

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DRAM内存
K3QF3F30BM-AGCF

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K3QF3F30BM-QGCF

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K3QF4F40BM-AGCF

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K3QF4F40BM-FGCF

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闪存内存
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BiCS FLASH™

东芝在1987年发明了NAND闪存并率先于1991年量产NAND闪存。至此,东芝一直致力于缩小设计规则和工艺节点以提高NAND闪存的容量。 然而, 工艺过渡面临诸多挑战。通过传统的平面NAND闪存技术来进一步增大容量已经变得极为困难。 为了解决这个问题,东芝发明了闪存芯片垂直层叠的全新工艺。2007年,东芝率先发布了三维(3D)闪存层叠技术。通过进一步开发,东芝推出了3D闪存:BiCS FLASH™ 目标应用 随着物联网(IoT)的出现,社交网络(SNS)的流行和更高分辨率的照片和视频的产出,世界范围内产生的数据量呈现指数式的增长。 在信息处理领域,实时性能非常重要。大数据系统需要管理大量数据,并将数据分类储存在数据中心和云服务系统中。这种情况下,大容量的存储系统需要高速且低功耗地处理、存储和管理大量数据。 另外,在智能手机、平板电脑、存储卡和其他对功耗敏感的应用中,对低功耗存储的需求也与日俱增。 BiCS ...

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