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芯片式光电二极管阵列

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PIN光电二极管阵列

PIN光电二极管阵列XSJ-10-D8A-80L-KB4-500

芯片式
PIN光电二极管阵列
XSJ-10-D8A-80L-KB4-500

4x200Gbps500μm芯片间距1X4阵列背照PIN PD芯片 该4X112GBaud阵列800Gbps光探测器芯片，是背面入光和台面结构的高速PIN光探测器芯片，芯片背面集成透镜的尺寸是Ф80μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模910nm至1650nm波长，单通道可达200Gbps速率长波长的光接收器。 1.芯片背面集成Ф80μm透镜 2. 焊盘为GSG 结构,4X112GBaud阵列 3. 低暗电流、低电容、高响应度 4. ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
PIN光电二极管阵列

PIN光电二极管阵列XSJ-10-D7A-**-K8-500

芯片式
PIN光电二极管阵列
XSJ-10-D7A-**-K8-500

该8X56Gbaud（8X112Gbps PAM4）阵列光探测器芯片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯片，光敏区尺寸是Φ20μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模1200nm至1600nm波长的4X112Gbps PAM4数字通信链接。 1. 焊盘为 GSG 结构，8×56GBaud 阵列 2. 芯片间距：500μm 3. 低暗电流和高带宽 4. 100% 测试和外观检测 5. 高可靠性：本产品符合 ...

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PIN光电二极管阵列

PIN光电二极管阵列XSJ-10-D7A-**-K4-750

芯片式
PIN光电二极管阵列
XSJ-10-D7A-**-K4-750

该4X56GBaud阵列400Gbps光探测器芯片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯片，光敏区尺寸是Φ16μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模1200nm至1600nm波长的50Gbps以上数据速率长波长光接收器。 1. 焊盘为 GSG 结构，4×56GBaud 阵列 2. 芯片间距：750μm 3. 低暗电流，高带宽 4. 100% 测试和外观检测 5. 高可靠性：本产品符合 Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 6 ...

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PIN光电二极管阵列

PIN光电二极管阵列XSJ-10-D7A-16X-K4-750

芯片式
PIN光电二极管阵列
XSJ-10-D7A-16X-K4-750

该4X56GBaud阵列400Gbps光探测器芯片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯片，光敏区尺寸是Φ16μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模1200nm至1600nm波长的50Gbps以上数据速率长波长光接收器。 1. Φ16μm光探测窗口 2. 焊盘为GSG结构，4X56GBaud阵列 3. 低暗电流、低电容、高响应度 4. 单通道速率：≥56GBaud 5. 芯片间距：750μm 6. 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 7. ...

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PIN光电二极管阵列

PIN光电二极管阵列XSJ-10-D7A-**-K4-500

芯片式
PIN光电二极管阵列
XSJ-10-D7A-**-K4-500

该4X56GBaud阵列400Gbps光探测器芯片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯片，光敏区尺寸是Φ22μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模1200nm至1600nm波长的50Gbps以上数据速率长波长光接收器。 产品特点 1. 焊盘为 GSG 结构，4×56GBaud 阵列 2. 芯片间距：500μm 3. 低暗电流，高带宽 4. 100% 测试和外观检测 ...

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PIN光电二极管阵列

PIN光电二极管阵列XSJ-10-D6A-20-K4-750

芯片式
PIN光电二极管阵列
XSJ-10-D6A-20-K4-750

该4X56GBaud阵列400Gbps光探测器芯片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯片，光敏区尺寸是Φ24um。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，该产品应用于单模910nm至1650nm波长的50Gbps以上数据速率长波长光光接收器。 1. Φ20μm光探测窗口 2. 焊盘为GSG结构，4X25G阵列 3. 低暗电流、低电容、高响应度 4. 单通道速率：≥25Gbps 5. 芯片间距：750μm ...

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PIN光电二极管阵列

PIN光电二极管阵列XSJ-10-D6A-20-K4

芯片式
PIN光电二极管阵列
XSJ-10-D6A-20-K4

该4X25G阵列100Gbps光探测器芯片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯片，光敏区尺寸是 Φ20um。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，主要和4X25Gbps四通道TIA搭配，应用于长距、高速和单模的4x25Gbps光接收器。 1. Φ20μm光探测窗口 2. 焊盘为GSG结构，4X25G阵列 3. 低暗电流、低电容、高响应度 4. 单通道速率：≥25Gbps 5. 芯片间距：250μm ...

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InGaAs光电二极管阵列

InGaAs光电二极管阵列XSJ-10-D5-50H-K4

PIN 芯片式
InGaAs光电二极管阵列
XSJ-10-D5-50H-K4

该高速4X10Gbps光探测器芯片是InGaAs/I InP PIN结构和正面光照型，其特点是高响应度、低电容和低暗电流:光敏区的尺寸是50um，且P、N焊盘设计在顶部以便于封装的焊线。主要和4X10Gbps四通道TIA搭配，应用于长距、高速和单模的4X10G bps光接收器和数据通信。 1. Φ50μm光探测窗口 2. 焊盘为GS结构，4X10Gbps阵列 3. 低暗电流、低电容、高响应度 4. 芯片间距：250μm ...

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PIN光电二极管阵列

PIN光电二极管阵列XSJ-10-D6A-32-K4

芯片式
PIN光电二极管阵列
XSJ-10-D6A-32-K4

该4X25G阵列100Gbps光探测器芯片，是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯片，光敏区尺寸是Φ32μm。产品主要特点是高响应度、低电容、低暗电流和高可靠性，主要和4X25Gbps 四通道TIA搭配，应用于长距、高速和单模的4X25Gbps光接收器。 1. Φ32μm光探测窗口 2. 焊盘为GSG结构，4X25G阵列 3. 低暗电流、低电容、高响应度 4. 典型带宽：16GHz 5. 芯片间距：250μm 6. 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 100%测试和外观检测 应用领域 1. ...

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砷化镓GaAs光电二极管阵列

砷化镓GaAs光电二极管阵列XXSJ-10-G6A-35H-K4

PIN 芯片式
砷化镓GaAs光电二极管阵列
XXSJ-10-G6A-35H-K4

该高数速NRZ/4X56Gbps PAM-4光电二极管芯片采用GaAs顶照1×4阵列PIN结构。特点是高倍增，低电容和低暗电流，光敏面大小为Φ35μm，信号和接地键合板设计在芯片顶部，便于线键合，应用于850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4短距离数据光通信。 1. Φ35μm光探测窗口 2. 低暗电流 3. GSG焊盘设计 4. 芯片间距：250μm 5. 100%测试和外观检测 ...

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芯片式光电二极管阵列

芯片式光电二极管阵列PA1001

芯片式光电二极管阵列
PA1001

光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。光电二极管用氮化硅进行了钝化处理，氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上，由透明环氧胶提供保护。二极管阵列可以光电或光电导模式工作。 特性 高响应度 低电容 适用于SMT 高可靠性 峰值波长达830 nm

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RLS
芯片式光电二极管阵列

芯片式光电二极管阵列PA2033

芯片式光电二极管阵列
PA2033

光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。光电二极管用氮化硅进行了钝化处理，氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上，由透明环氧胶提供保护。二极管阵列可以光电或光电导模式工作。 特性 高响应度 低电容 高可靠性 峰值波长达830 nm

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RLS
芯片式光电二极管阵列

芯片式光电二极管阵列PA2100

芯片式光电二极管阵列
PA2100

光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。光电二极管用氮化硅进行了钝化处理，氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上，由透明环氧胶提供保护。二极管阵列可以光电或光电导模式工作。 特性 提供四种型号可选 峰值波长达830 nm 优点 高响应度 低电容 适用于SMT 高可靠性

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