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芯片式电容器
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电容: 0.1 µF
电压: 6.3 V
... 状态 - 批量生产(首选) 外壳尺寸(EIA/JIS) - 0201/0603 tanδ (最大值) - 10 % 温度特性(EIA)- X5R 工作温度范围(EIA工作温度范围 (EIA) - -55 至 +85 ℃ 高温负载 (额定电压百分比)- 150 绝缘电阻(最小值)- 100 MΩ-μF 尺寸长 - 0.6 ±0.03 毫米 尺寸 W - 0.3 ±0.03 毫米 尺寸 T - 0.3 ±0.03 毫米 尺寸 e - 0.15 ±0.05 毫米 符合 ...
Taiyo Yuden
电容: 0.1 µF
电压: 6.3 V
... 状态 - 批量生产(首选) 外壳尺寸(EIA/JIS) - 0201/0603 tanδ (最大值) - 10 % 温度特性(EIA)- X5R 工作温度范围(EIA工作温度范围 (EIA) - -55 至 +85 ℃ 高温负载 (额定电压百分比)- 150 绝缘电阻(最小值)- 100 MΩ-μF 尺寸长 - 0.6 ±0.03 毫米 尺寸 W - 0.3 ±0.03 毫米 尺寸 T - 0.3 ±0.03 毫米 尺寸 e - 0.15 ±0.05 毫米 符合 ...
Taiyo Yuden
电容: 1 µF
电压: 10 V
... 状态 - 批量生产(首选) 外壳尺寸(EIA/JIS) - 0201/0603 tanδ (最大值) - 10 % 温度特性(EIA)- X5R 工作温度范围(EIA工作温度范围 (EIA) - -55 至 +85 ℃ 高温负载 (额定电压百分比)- 150 绝缘电阻(最小值)- 100 MΩ-μF 尺寸长 - 0.6 ±0.09 毫米 尺寸 W - 0.3 ±0.09 毫米 尺寸 T - 0.3 ±0.09 毫米 尺寸 e - 0.15 ±0.05 毫米 符合 ...
Taiyo Yuden
电容: 0.1 µF - 330 µF
电压: 2.5 V - 3,150 V
一般用片状多层陶瓷电容器 我公司的主打产品引进了超高端的技术,并且是以小型化、大容量化为目标进行研发的。 1. 多层结构实现大容量化及小型化。 2. 对外部电极镀Sn,提高可焊性。 3. 高可靠性,无极性。
Murata Electronics/村田
电容: 0 µF - 0.15 µF
电压: 100 V - 630 V
... 为了让多层陶瓷芯片电容器更紧凑、容量更大,我们借鉴了 TDK 的先进材料技术,使颗粒尺寸超细。 通过充分利用我们原有的加工技术,我们完善了先进的分层技术,确保了电介质和电极层的精确定位,以及能够多达 1000 层的多层技术。 每层的厚度在亚微米水平。 通过减少每一层的厚度并增加层数,即使是超薄芯片,也能将接近钽电容器的容量与极佳的可靠性结合在一起。 ...
TDK Electronics Europe
电容: 1 µF - 10 µF
电压: 50, 100 V
Yageo
电容: 0.1 µF - 470 µF
... RCD 的 TangoldTM 结构采用在真空下烧结的固体高增益钽粉末,性能优越,电容范围宽广。阻燃环氧树脂模塑确保了最佳的环境保护和介电强度。可提供非标准值、扁平封装、定制标记、...屏蔽、易熔等产品。 ...
电容: 0.1 µF
可以使用的用途 - 移动设备 针对上述用途所要求的性能、功能、质量、管理、安全性,请参照本网站及规格说明书等,并在确认实机性能与信赖性之后使用。
IPDiA
电容: 0.28 nF - 0.85 nF
电压: 10 kV - 50 kV
... 高频高压陶瓷电容器细节 产品说明 LPF 系列 A 型和 B 型 A 型和 B 型两种电容器的外观差异,同样的电压容量使用相同的陶瓷芯片,A 型陶瓷表面覆盖了一层绝缘涂料,环氧灌封工艺; B 型陶瓷芯片工艺是经加工后,表面有一层环氧树脂 因此,A 型比 B 型相对轻, 因为 A 型不是环氧树脂涂层,所以冷却性能更好,因为 B 型是绝缘保护,因此,A 型相对较轻。更高应力级别 名称:高频高功率陶瓷电容器 小尺寸重量轻 电压高功率 好高温性能 电气参数 陶瓷介质:RF/PF/SF ...
电容: 47 nF - 27,000 nF
电压: 50 V - 500 V
... 主要特性 -高电容 -小型化 典型应用 -开关模式电源 -滤波 -DC/DC 转换器 ...
EXXELIA
电容: 0 µF - 33 µF
NIC Components
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