探针卡

... ViProbe®II 具有多种使用寿命延长选项和各种晶片安全功能，将 ViProbe® 的所有优势提升到了一个新的水平 DUT 的最小间距 - 50 µm 柱塞最小直径 - 1,6 mil 最大接触表面 - 105 mm x 105 mm 温度 - -55°C...+180°C RT 时的电流承载能力 - 800 mA 外径 - 2,4 cN外径 - 2,4 cN - 10,8 cN 材料兼容性 材料兼容性 1 - 金 材料兼容性 2 - 钯 材料兼容性 3 ...

... 薄片探头在射频和力要求方面具有各种优势。探头长度短，层片数量灵活，是复杂应用的完美解决方案。 被测物最小间距 - 60 µm 最大接触表面 - 105 mm x 105 mm 温度 - -55°C...+180°C RT 时的电流承载能力 - 1300 mA 外径时的接触力外径 - 1,4 cN - 3,8 cN 带宽模拟 - -1dB 限制 - 100 GHz 材料兼容性 材料兼容性 1 - 金 材料兼容性 2 - 钯 材料兼容性 3 - 多样 材料兼容性 ...

... 对 WLCSP、SiP 或倒装芯片晶圆进行探测时，需要探针在承受大电流的同时确保高信号完整性。FEINMETALL FeinProbe® 能够出色地满足这些应用的要求。 DUT 最小间距 - 150 µm 柱塞最小直径 - 120 µm 最大接触表面 - 80 mm x 80 mm 温度 - 40°C...+150°C RT 时的电流承载能力 - 2100 mA 外径 - 10 cN -18 cN外径 - 10 cN -18 cN 带宽模拟 - -1dB 限制 ...

... 多年来，它一直是市场上的垂直解决方案，可根据各种应用和探测材料进行定制，其独特的简单可修复性尤其受到青睐。 被测物最小间距 - 56 µm 柱塞最小直径 - 1,6 mil 最大接触表面 - 80 mm x 80 mm 温度 - -55°C...+180°C RT 时的电流承载能力 - 800 mA 外径 - 2,4 cN外径 - 2,4 cN - 10,7 cN 材料兼容性 材料兼容性 1 - 金 材料兼容性 2 - 钯 材料兼容性 3 - 多样 材料兼容性 ...

... HFTAP K32产品的行业领先性能加入了FormFactor的高频测试探针卡系列，包括用于测试1.0 GHz、1.6 GHz和2.2 GHz DRAM设备的K10、K16和K22。先进的PCB技术，由FormFactor独家提供，允许被测设备（DUT）和自动测试设备（ATE）之间进行最快的通信。通过利用FormFactor的矩阵结构，HFTAP K32探针卡的测试速度是其他全晶圆接触器所不能达到的。 FormFactor的HFTAP K32探针卡架构的扩展能力使DRAM客户能够在晶圆级速度测试中达到3.2 ...

... 最新的DRAM芯片在游戏机和个人电脑以及服务器应用中提供了极其快速和流畅的图形和缓存响应。 随着半导体被堆积到多任务芯片的紧凑封装中，它们为越来越小的手机、物联网和其他消费电子产品提供了飞速的内存容量。使用FormFactor的Matrix和PH系列晶圆探针卡可以优化对这些新型、高性能、高密度DRAM器件的测试，因为它们提高了效率，降低了DRAM测试的总体成本。 每一个比特都必须进行测试，以确保最佳性能，这使得大规模并行晶圆级测试对于以较低的总体成本进行高产、批量生产至关重要。FormFactor ...

... SmartMatrix™ 3000XP为移动和商品DRAM、图形存储器（GDDR）、高带宽存储器（HBM）和新兴存储器设备提供300毫米全晶圆接触测试。该平台专门为支持快速设计和先进的产品路线图而开发，它扩展了经过生产验证的Matrix™架构，以解决增加探针卡的并行性，在单次触控上每片晶圆超过3000点。利用FormFactor业界领先的先进的测试仪资源增强（ATRE）技术，该架构支持快速测试速度，时钟速率为125 MHz，共享组信号高达x32。SmartMatrix ...