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碳化硅供电模块
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... 汽车电源模块平台 eMPack®--采用高性能电力电子技术的未来电动汽车的概念 整车平台向全电动电池汽车架构的过渡正在迅速推进。这些架构将要求电力驱动系统(EDS)的可扩展电力电子解决方案,能够以经济的方式实现广泛的性能范围,从而为汽车制造商带来重要的竞争优势。 赛米控的新功率模块平台eMPack是基于单一模块的概念,正在为EDS逆变器架构开发,功率范围从100kW到750kW。eMPack涵盖400V和800V电池系统应用,可采用硅IGBT和碳化硅MOSFET技术。 碳化硅技术与赛米控的完全烧结、低杂散电感的直接压制模具技术(DPD)的结合,使汽车应用的功率密度与高可靠性相结合,无可匹敌。 碳化硅MOSFET和硅IGBT选项 750V/1200V兼容封装,可提供高达900ARMS的电流 双面烧结封装实现了汽车级的可靠性 由于采用了DPD技术,热阻很低 灵活的冷却器安排 2.包括端子在内的5nH封装杂散电感 简化的安装概念,全部从顶部开始 ...
SEMIKRON
... 介绍最新的SiC组合 用低电感封装补充碳化硅的不足 用新的SEMITOP E1/E2碳化硅组合达到更高的功率密度。由于换向电感低至4nH,SEMITOP E1/E2封装是最新碳化硅技术的完美匹配。不仅有工业标准引脚布局,赛米控还提供简化PCB设计和模块并联的布局。 除了工业标准的封装设计,赛米控E1/E2还提供了比传统设计低20%的热阻。这种降低使芯片能够更冷地运行,延长产品寿命或减少冷却设计工作。 SEMITOP E1/E2工业标准封装 低换向电感,低至4nH 所有模块都包括开尔文源和温度传感器 基于1200V ...
SEMIKRON
... SER100040K3B充电模块的额定输出功率为40kW,具有高功率密度和高可靠性。它采用交错并行LLC技术和第三代SiC Mosfet,具有97.03%的高峰值效率和50-1000Vdc的超宽输出范围。 高效率和高稳定性 全面降低能量损耗,提高稳定性 第三代SiC Mosfet(碳化硅) 更高的击穿电压 更好的耐高温能力 更高的电流密度 更低的开关损耗(从阻断到导通的过渡,反之亦然) 交错式平行LLC拓扑结构 紧凑的功率转换电路设计-交错式平行LLC 简化的驱动控制辅助电路-控制电力电子量减少 电隔离 LLC拓扑结构中的紧凑型高频变压器,提高输出性能和隔离度。 新的电力电子技术 电源转换半导体和拓扑结构都具有高效率的特点,通过减少开启/关闭(Mosfet开关)、导通、磁性器件损耗时的功耗。 超宽的输出电压范围 兼容每一个电动汽车电池的容量要求 50-1000V的超宽输出范围,满足市场上的汽车类型,并适应未来的高电压电动汽车。 与现有的200V-800V平台兼容,为未来900V以上的发展提供全功率充电,能够避免高压电动车充电器升级建设的投资。 支持CCS1、CCS2、CHAdeMO、GB/T和储能系统。 满足未来电动汽车高压充电的趋势,兼容各种充电应用和汽车类型。 ...
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