{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
此系列碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，这些二极管系列是理想选择。 功能与特色: • 符合AEC-Q101 • 正温度系数可确保安全运行，并轻松并联 • 最高运行结温为175 °C • 卓越的浪涌性能 • 极为迅速、不受温度影响的切换行为 • 相比硅双极二极管，切换损耗显著减少 应用: • 配备PFC或DC/DC级二极管 • ...
电压阈值: 1.5 V - 3 V
反向电压: 600, 1,250, 650 V
... Renesas 的快速恢复二极管可为超高频应用中的整流提供快速恢复时间。 ...
反向电压: 650 V
... 恢复时间更短，可实现高速切换。 特点 恢复时间更短 降低温度依赖性 可实现高速开关 高浪涌电流能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
反向电压: 650 V
... 更短的恢复时间，实现高速切换。 特点。 减少了对温度的依赖 可实现高速开关 高浪涌电流能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
反向电压: 650 V
... 更短的恢复时间，实现高速切换。 特点。 减少了对温度的依赖 可实现高速开关 高浪涌电流能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 1.45 V - 2.2 V
反向电压: 600 V - 1,200 V
除了确保符合当今最严格的能效法规（Energy Star、80Plus、以及European Efficiency）外，意法半导体的碳化硅二极管的动态特性是标准硅二极管的四倍，而正向电压（VF）比其低15%。 碳化硅二极管为我们的STPOWER系列产品。 碳化硅（SiC）二极管的使用大大提高了太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源和电动车电路的效率和稳定性。 意法半导体提议在600V到1200V的电压范围内采用单二极管和双二极管（封装尺寸从DPAK到TO-247），包括陶瓷绝缘型TO-220，以及超薄的紧凑型PowerFLATTM ...
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