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电压阈值: 650 V
反向电压: 650 V
SCS210AJHR是符合AEC-Q101标准、支持车载的SiC肖特基势垒二极管。可降低开关损耗，可高速开关。3pin封装。
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 150 V
反向电压: 150 V
RB058L150DD是适合一般整流用途的车载级高可靠性肖特基势垒二极管。 可以用于新设计，还可能会提供新的替代产品。
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 60 V
反向电压: 60 V
... ROHM 的肖特基势垒二极管具有低 VF、低 IR 和高抗 ESD 性能，适用于 PC、手机和各种便携式电子产品。 特点 小功率模具型（PMDS） 高可靠性 符合 AEC-Q101 标准 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 30 V
反向电压: 30 V
... RBR1VWM30ATF 是低 VF 高可靠性肖特基势垒二极管，适用于一般整流。 特点 高可靠性 小功率模具型 低 VF ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 40 V
反向电压: 40 V
... ROHM的肖特基势垒二极管具有低VF、低IR和高抗静电性能，适用于PC、手机和各种便携式电子产品。 小功率模具型（PMDS）。 ・ 高可靠性 符合AEC-Q101标准 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 40 V
反向电压: 40 V
... ROHM 的肖特基势垒二极管具有低 VF、低 IR 和高抗 ESD 性能，适用于 PC、手机和各种便携式电子产品。 特点 小型、功率模具型（PMDS）。 低 IR 型，可靠性高。 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 30 V
反向电压: 30 V
... ROHM 的肖特基势垒二极管具有低 VF、低 IR 和高抗 ESD 性能，适用于 PC、手机和各种便携式电子产品。 特点 -小型、功率模具型（PMDS） -低 VF 型，可靠性高。 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 40 V
反向电压: 40 V
... RBR1VWM40ATF 是低 VF 高可靠性肖特基势垒二极管，适用于一般整流。 特点 高可靠性 小功率模具型 低 VF ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 60 V
反向电压: 60 V
... RBR1VWM60ATF是低VF高可靠性肖特基势垒二极管，适用于一般整流。 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 100 V
反向电压: 100 V
RBLQ3LAM10TF是彻底改善了低VF与低IR之间平衡关系的高效率肖特基势垒二极管。在保持低VF的同时，实现了高温动作时的稳定动作。较适合开关电源、续流二极管、反接保护用途。
ROHM Semiconductor/罗姆
反向电压: 45, 100, 150, 200 V
175°C結溫 中心抽頭模組 低順向壓降 高頻率操作 採用增強耐用性與長期可靠性的護圈 無鉛 工業級設計品質 應用 大電流開關電源 電鍍電源 變流器 悍機 續流 反向電池保護 不斷電系統
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
反向电压: 45, 100, 150, 200 V
中心抽頭模組 低順向壓降 高頻率操作 採用增強耐用性與長期可靠性的護圈 無鉛 工業級設計品質 應用 大電流開關電源 電鍍電源 變流器 悍機 續流 反向電池保護 不斷電系統
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
电压阈值: 2.6 V
反向电压: 600 V
... 说明 RFR30F60PN 是一种超快速恢复二极管，采用先进的硅平面外延技术制造。 工艺参数和器件结构经过微调，具有正向电压降和反向恢复时间的优化性能。 精度外延涂料控制，先进的平面结端子结构和铂掺杂寿命控制，保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性特性。 RFR30F60T2/PN 旨在用于 SMPS、UPS、DC-DC 转换器以及低压逆变器和斩波电机驱动器中的自由轮二极管的输出整流阶段。 特色 ♦ 超快 60 纳秒恢复时间 ♦ 高电流能力 ♦ 低正向电压降 ♦ ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
电压阈值: 0.9 V
反向电压: 300 V
... 概述 RFR60F30APN 是一款超快恢复二极管，采用先进的硅平面外延技术制造。 工艺参数和器件结构经过微调，具有正向电压降和反向恢复时间的优化性能。 精度外延涂料控制，先进的平面结端子结构和铂掺杂寿命控制，保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性特性。 SFR60F30PN 旨在用于 SMPS、UPS、DC-DC 转换器以及低压逆变器和斩波电机驱动器中的自由轮二极管的输出整流阶段。 特点 ♦ 超快 45 纳秒恢复时间 ♦ 低正向电压降 ♦ 低漏电流 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
电压阈值: 1, 1.15 V
反向电压: 400 V
... 特点。 超快恢复 175°C的工作结点温度 高频率运行 低功率损耗，减少RFI和EMI 低IR值 高浪涌容量 外延式芯片结构 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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