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SP3213是一款双向瞬态抑制二极管阵列，具有超低电容，为可能受到破坏性静电放电 （ESD）的电子设备提供高级别保护。 0.09pF的电容典型值有助于在最具挑战性的消费电子产品接口中实现极佳的信号完整性，例如USB 3.2、3.1、HDMI 2.1、2.0、DisplayPort、Thunderbolt和V-by-One®。 它可在±12kV条件下安全吸收反复性ESD震击（接触放电，IEC 61000-4-2），而不会引起性能衰退，并可安全耗散2A的8/20μs浪涌电流（IEC ...
Littelfuse/力特
SP1333背对背二极管采用专有的硅雪崩技术制造。 这种二极管可为电子设备提供较高水平的ESD（静电放电）保护。 SP1333 TVS可安全吸收IEC 61000-4-2国际标准（4级，±8kV接触放电）规定的最大接触放电，且性能不会下降。 背对背配置可为数据线提供对称ESD保护。 此外，SP1333的箝位电压低，可提供高达5A 8/20的浪涌额定值。 功能与特色: ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电 ...
Littelfuse/力特
电压阈值: 24 V
AQ24CANA瞬态抑制二极管阵列设计用于保护汽车控制器区域网络（CAN）免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）及其它过压瞬变造成的线路损坏。 AQ24CANA可以吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最大ESD的反复震击而不会发生性能退化，并可安全耗散5A的8/20μs浪涌电流（IEC 61000-4-5 2版 版）。 功能与特色: • ESD，IEC 61000-4-2，±27kV接触放电，±30kV空气放电 • EFT，IEC ...
Littelfuse/力特
电压阈值: 5 V
SP1305瞬态抑制二极管阵列可保护灵敏设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应浪涌造成的损坏。 SP1305能安全地吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定之最高级别的反复性ESD放电，无需担心其性能的减退，并可在极低的箝位电压下安全地耗散5A的8/20μs波形浪涌电流（IEC- 61000-4-5，第2版）。 功能与特色: • ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电 • EFT，IEC ...
Littelfuse/力特
电压阈值: 5 V
SRV05-4HTG-D将低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起，保护每个输入/输出引脚不受ESD和高浪涌事件的危害。 这款功能强大的器件可根据IEC61000-4- 5 (tP=8/20μs) 标准安全地吸收10A浪涌电流，且性能不会下降。根据IEC 61000-4-2标准，ESD的最小值为±30kV。极低的负载电容也使得这款器件成为保护高速信号引脚的理想之选。 功能与特色: • ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电 • ...
Littelfuse/力特
电压阈值: 5 V
AQ3400集成了2个通道的低电容控向二极管及一个额外的齐纳二极管，为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。 AQ3400可在高于IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8kV接触放电）情况下，安全吸收反复性ESD放电，其性能不会减退。 较低的断态电容使其成为保护USB2.0或USB 3.0和1Gb以太网等高速信号线路的理想选择，其动态电阻极低，可保护最灵敏、最先进的芯片组免受ESD损坏。 功能与特色: • ESD，IEC ...
Littelfuse/力特
电压阈值: 3.3 V
SP3384NUTG系列可在高达15A (IEC 61000-4- 5第2版)和高达±30kV ESD (IEC 61000-4-2)的情况下为四个信道提供保护，并可提供紧凑型μDFN封装。 由于兼具低电容和低钳位电压，SP3384NUTG可针对2.5G/5G/10G以太网高速数据接口提供可靠的保护解决方案，同时避免信号衰减，提高各种应用的可靠性。 功能与特色: • 低电容(每个I/O 0.5pF)和低箝位电压(4V@Ipp=1A) • 紧凑型μDFN封装(3.0 ...
Littelfuse/力特
电压阈值: 3.3 V
SP3401专为保护高速接口免因静电放电（ESD）损坏而设计，例如DisplayPort接口和USB 3.1 Gen 1。 信号线路由瞬态抑制二极管保护，提供典型值低至0.35 pF的线路电容。 SP3401可安全吸收高达±18 kV接触放电的反复性ESD震击，超过IEC 61000-4-2 4级要求（±8kV接触放电）。 卓越的低电容、箝位能力、低泄漏和快速响应时间使得此零件成为保护高速数据线路的理想解决方案。 功能与特色: • ESD，IEC ...
Littelfuse/力特
电压阈值: 3.3 V
SP3420包括四通道超低电容和高级ESD保护二极管，用于保护高速数据速率，例如USB 3.1、DisplayPort、Thunderbolt和e-SATA。 0.32pF的电容典型值有助于确保信号完整性，这款功能强大的二极管可在IEC 61000-4-2国际标准规定的最高级别（4级，±8KV接触放电）下安全地吸收反复性ESD放电，且性能不会下降。安全耗散6A的8/20μs浪涌电流(IEC 61000-4-5第2版)。 功能与特色: • ESD，IEC 61000-4-2，±12kV接触放电，±15kV空气放电 ...
Littelfuse/力特
电压阈值: 3.3 V
Littelfuse新推出的宽带保护器件为10/100/1000 BaseT 以太网、T3/E3 DS3 接口、ADSL2+和VDSL2+等设备提供过压保护。 该保护器集成瞬态电压抑制（TVS）二极管元件和二极管整流桥，单组件便可提供纵向（常规模式）和差动双重保护。 该创新设计会使设备信号电压具有对数线性电容性负载特征。 与固态保护方案相比，该设计降低了交叉调制（IM）失真程度。 该应用电路图提供连接信息。 功能与特色: ...
Littelfuse/力特
反向电压: 12 V - 85 V
... 便携式通信、计算和视频设备制造商正在向半导体行业提出挑战，要求他们开发出越来越小的电子元件。 Bourns 提供用于浪涌和 ESD 保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用 DO-214AA (SMB) 尺寸的紧凑型芯片封装。瞬态电压抑制器系列可提供 12 V 至 85 V 的工作峰值反向电压和 104 V 的击穿电压。从 0 V 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒。 Bourns® 片式二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾取和贴装设备进行处理，扁平配置可最大限度地减少滚动。 符合 ...
电压阈值: 1.7 V - 70 V
反向电压: 2.5 V - 70 V
... ON Semictor 提供专为提供 ESD 保护而设计的二极管和二极管阵列。 ...
电压阈值: 5.5 V
反向电压: 5 V
... 描述： 中央半导体 CMKTVS5-4 是一款 4 行电视/二极管阵列，封装在表面 贴装外壳中。该器件具有低电容，旨在保护四条高速数据或 传输线路免受过压瞬变和 SD 损坏的影响。 标记代码：CVT4 应用： • USB 2.0 电源和数据线保护 • HDMI 接口 • 数字视频接口 (DVI) • 以太网端口 特点： • 低电容 • 低钳位电压 • 保护四条 I/O 线路 • 保护电源电压轨 ...
反向电压: 10 kV
产品特点 采用多层PCB板设计理念，达到散热效果 低漏电流，低功耗，工作结温-40℃~+150℃ 可选择的阻容均衡设计理念使产品更加稳定 抗瞬间大电流冲击及反向耐压特性 多种规格尺寸规格可供选择或可定制 应用领域 高频高压电源，除尘变压器整流 用于高频倍压，高频隔离保护线路
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
反向电压: 20 kV
... 产品特点 采用先进的多层 PCB 设计理念，实现最佳散热效果。 低漏电流、低功耗、工作结温度-40~+150℃。 可选 RC 均衡设计使产品更加稳定。 出色的抗瞬时大电流冲击和反向雪崩击穿特性。 提供 一般尺寸或定制服务。 应 用 高频高压电源，静电除尘器变压器整流，高频电压倍增器和高频隔离保护。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
反向电压: 30 kV
... 产品特点 采用先进的多层 PCB 设计理念，实现最佳散热效果。 低漏电流、低功耗、工作结温度-40~+150℃。 可选 RC 均衡设计使产品更加稳定。 出色的抗瞬时大电流冲击和反向雪崩击穿特性。 提供 一般尺寸或定制服务。 应 用 高频高压电源，静电除尘器变压器整流，高频电压倍增器和高频隔离保护。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
反向电压: 45 kV
... 产品特点 采用先进的多层 PCB 设计理念，实现最佳散热效果。 低漏电流、低功耗、工作结温度-40~+150℃。 可选 RC 均衡设计使产品更加稳定。 出色的抗瞬时大电流冲击和反向雪崩击穿特性。 提供 一般尺寸或定制服务。 应 用 高频高压电源，静电除尘器变压器整流，高频电压倍增器和高频隔离保护。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
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