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电压: 1,700, 2,500, 4,500 V
这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加经济高效。 因此，这可减少相关的栅极驱动电路、简化设计并提升整体系统的可靠性。 选配的代加工快速恢复二极管具有较短的反向恢复时间，并且经过优化，可产生平滑的开关波形并显著减少电磁干扰(EMI)。 功能与特色: XPT™薄晶圆技术 较低的通态电压VCE(sat) 代加工快速恢复二极管 正温度系数VCE(sat) 国际标准尺寸高压封装 应用: 脉冲电路 激光和X射线发生器 高压电源 高压检测设备 电容放电电路 AC开关 优点: 效率更高 无需串联多个器件 提供电力系统的可靠性
电流: 600 A
电压: 1,200 V
Littelfuse IGBT模块采用现代IGBT技术，能够可靠、灵活地提供高效率和极快的开关速度。 Littelfuse用于电源控制应用，提供广泛的IGBT模块组合，适用于灵活高效的电机控制和逆变器应用。 标准和定制解决方案均可准确符合电路设计师要求的性能标准 功能与特色: 沟槽栅视场光阑IGBT技术 低饱和电压和正温度系数 快速切换和短拖尾电流 具有快速、软反向恢复功能的续流二极管 包括温感 ...
电流: 28 A
电压: 650 V
是 硬开关TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT，它采用小尺寸TO-220封装，用于10 kHz-40 kHz之间的硬开关应用，可提高电流密度、增加效率、缩短上市时间、减轻电路设计的复杂程度以及优化物料清单成本。 特征描述 25°C时极低VCEsat （1.5 V） 4倍Ic 脉冲电流（100°C Tc） 无拖尾电流 对称低电压过冲 栅极电压受控（无震荡）。不存在器件意外导通的风险，无需栅极钳位元件 最高结温Tvj = 175°C 符合JEDEC标准 优势 达到TO-220尺寸下的最大功率密度 无需VCEpeak ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
... 大电流插座 高温 ℃ 5.45 毫米间距 直角 低排气 这是一种插座，可通过将设备侧向一边来对应有高度限制的 PC 板布置。 支持各种封装和高温环境。 可用于测量评估、检查和安装等各种用途。 接触部分采用高可靠性的圆形针脚插座。 TO-3、TO-247、TO-264 等。 绝缘强度 绝缘电阻 套管 - 黄铜，镍镀金 触点 - 高温铜合金，镍镀金 绝缘体 - 高温，热塑性塑料 * 在 PC 板或设备背面安装散热器时，请注意位置和尺寸。 ** 如果单独安装插座，插座会比设备薄，因此要小心。在安装之前，请先设置好要使用的设备、散热器等，然后调整高度。 *** ...
JC CHERRY INC.
... 电源 IC 插座 标准类型 单列 如何订购 例如PDSA-1076-Sxx-GG x:位置数 2 至 16 绝缘强度 绝缘电阻 - - 工作温度 EX.)PDSA-1076-Sxx-GG x = 引脚数（2-16） 通过自定义插座引脚的排列、 还可用于评估 IPM 和 IGBT 等功率半导体。 可进行开尔文测量 可选择布线规格 支持高温环境 定位凸轮可实现高定位精度的布局 触点距插座顶部 2.85 mm，可实现低电感测量。 通过螺钉和螺母确保电路板安装强度。 ...
JC CHERRY INC.
... 用于功率集成电路的中等尺寸插座 通孔型 双式 2.54mm / 0.100" 间距 如何订购 例如：PDSP-CM1-Dxx-GGPDSP-CM1-Dxx-GG x:位置数 04,12,20（偶数） *关于其他位置数，请随时联系我们。 介电强度 - 绝缘电阻 绝缘阻抗 工作温度 套管 - 黄铜，镍镀金 触点 - 铜合金，镍镀金 绝缘体 - 高温热塑性塑料 通过定制插座引脚的排列、 还可用于评估 IPM 和 IGBT 等功率半导体。 可进行开尔文测量 可选择布线规格 支持高温环境 定位凸轮可实现高定位精度的布局 触点距插座顶部 ...
JC CHERRY INC.
电流: 0.8 A
电压: 50 V
... 直流电流增益 HFE 最大值：400 直流电流增益 HFE 最小值 ：160 产品描述：TO-92，50V，0.8A，NPN 双极晶体管 IC（A）：0.8P D（W）：0.625 封装：TO-92 极性：NPN 状态：有源 TJ 最大值。 (℃): 150 维也纳中央广播组织 (五): 50 维也纳教育中心星期六. (五): 0.7 职级 首席执行官 (五): 45 VEBO (五): 5 ...
电流: 15 A
电压: 140 V
... NPN 双极功率晶体管 MJ15001 和 MJ15002 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区（100% 测试） 适用于低失真互补设计 高直流电流增益 - hFE = 25（最小值）@ IC = 4 Adc 提供无铅封装 ...
Fairchild Semiconductor/仙童
电流: 8 A
电压: 1,700 V
... QC962-8A 是一款集成式混合型 IGBT 驱动器。它的主要功能是接收来自控制器的方波信号，并将其转换为隔离、放大的 gâte 信号，从而控制 IGBT 的导通和关断周期。 ...
MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd.
电流: 20 A
电压: 650 V
SCS220AE2HR是以AEC-Q101为标准、支持车载的SiC肖特基势垒二极管。可降低开关损耗，可高速开关。3pin封装。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 24 A
电压: 1,700 V
... 该装置采用了平面扩散式集电极技术，该技术是为适应高清CRT显示器而开发的 "增强型高压结构"（EHVS1）。 新的HD产品系列显示了改进的硅效率，为水平偏转阶段带来了更新的性能。 所有特点 最先进的技术：扩散式集电极 "增强型一代 "EHVS1 对工作温度的变化不那么敏感 更大范围的最佳驱动条件 符合U.L标准的全绝缘电源包 ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 150 A - 3,600 A
电压: 1,200, 1,700, 3,300, 4,500, 6,500 V
日立能源的 IGBT 功率模块有单相、双相/相臂、斩波器 IGBT 和双二极管模块，电压范围为 1700 至 6500 伏。高功率 HiPak IGBT 模块具有低损耗、软开关性能和破纪录的安全作业区 (SOA)。新推出的 62Pak 和 LoPak 快速开关中功率 IGBT 模块具有最低的开关损耗、全 175°C 运行、正方形 SOA 以及可插入式更换的标准封装。
电流: 3,000, 1,300, 2,000 A
电压: 4,500, 5,200 V
StakPak IGBT模块系列来源于久经考验的IGBT压接技术： • 简单易行的机电串联 • 简单的压接设计，得益于不均匀压接力下的高公差要求 • 保证多层堆叠下芯片压力一致性 • 提供可靠的失效后短路功能 因此， 我们的半导体StakPak IGBT模块用于高压直流输电（HVDC）及柔性交流输电（FACTS）上可谓是天生一对。 欲下载和打印PDF数据表，请点击零件号。
电压: 60 V
... 描述： 中央半导体 BCV47 是一种硅 NPN 达林顿晶体管，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装封装成型的环氧树脂，专为需要极高增益的应用而设计。 标记代码：FG ...
Central Semiconductor
电流: 10 A - 1,600 A
电压: 600 V - 1,700 V
... Greegoo提供不同拓扑结构、电流和电压等级的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块。从15A到1600A，电压等级从600V到1700V，IGBT模块可用于各种应用，并采用了关键技术，如烧结、弹簧或压接式触点，以实现快速和简单的组装。有不同的拓扑结构，如CIB（变流器逆变器制动器）、半桥、H桥、6组和3电平，几乎涵盖所有的应用领域。如逆变焊接机；逆变电源、变频器、UPS；电动汽车；光伏逆变器、工业伺服服务；开关磁阻电机、斩波器调速；感应加热等。 ...
电流: 150 A
电压: 600 V
... IGBT 模块 AMM145GB066D AS ENERGITM 是 IGBT 模块 SKM145GB066D SEMIKRON（SEMITRANS 封装）的替换、模拟、替代和等效产品。标称集电极电流 ICnom - 150 安培，持续集电极电流 IC - 195 安培，集电极-发射极电压 VCES - 600V。开关 - 半桥。IGBT 模块安装在标准的工业外壳中，便于将设备集成到现有设备中。IGBT 模块（绝缘栅双极晶体管）用作电机变速驱动器、交流逆变驱动器、UPS、电子焊机、制动斩波器、不间断电源等电源转换器的开关元件。可用的拓扑结构包括半桥、单开关、六组、三电平等，涵盖了各个应用领域。由于 ...
电压: 20, 50 V
... 单封装 N 沟道 MOSFET 和 NPN 晶体管， 低导通电阻，极 低栅极阈值电压，1.0V 最大 低输入电容快速开关速度低输入/输出泄漏， 超小型表面贴装封装 引线，无卤素和锑，符合 RoHS 标准（注 2） ESD 受保护的 MOSFET 栅极高达 2kV “绿色” 器件（注 3） 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性 ...
Diodes Incorporated
电流: 25 mA
电压: 20 V
... 集电极发射极电压 - Vceo 20 V 直流集电极电流 - Ic - 25 mA 极性 - pol - NPN 功率耗散 - Ptot - 0.200 W 结温 - Tjmax - 150 °C 直流电流增益 - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA 集电极饱和电压 - VcEsat - mV - Ic - mA - Ib - mA 增益带宽积 - ft - 450 MHz - Ic - 5 mA - VcE - 10V ...
Diotec
电流: 10, 25 A
电压: 1,200 V
... 特点 • 沟槽 + 立式 IGBT 技术 • 10ps 短路能力 • Versât），具有正温度系数 • 低电感外壳 • 快速 & 软反向恢复反并联 FWD • 采用 DBC 技术的隔离铜基板 典型应用 • 电机逆变器 驱动器 • 空调 • 不间断电源 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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