闪存内存

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IEM5141A

内存: 8, 16 GB

● 总写入/ 抹除次数 (P/E cycles)达 3K 次,耐用可靠 ● 符合工业级耐宽温(-40°C至85°C)要求 ● 过热降频保护(Thermal Throttling)功能 ● 自动休眠省电模式:有效节省功耗 ● 区块管理(Partitioning Management)功能:提升扇区的安全性与耐用性 ● LDPC ECC 纠错技术 ● 适用于 IoT 装置、嵌入式系统、智能家庭、车队管理、工业自动化、无人机、医疗等领域 威刚工业级 eMMC(嵌入式多媒体卡) ...

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IEM5141A

内存: 16, 32 GB

● 总写入/抹除次数 (P/E cycles)达 3K 次,耐用可靠 ● 符合工业级耐宽温(-40°C至85°C)要求 ● 过热降频保护(Thermal Throttling)功能 ● 自动休眠省电模式:有效节省功耗 ● 区块管理(Partitioning Management)功能:提升扇区的安全性与耐用性 ● LDPC ECC 纠错技术 ● 适用于 IoT 装置、嵌入式系统、智能家庭、车队管理、工业自动化、无人机、医疗等领域 威刚工业级 eMMC(嵌入式多媒体卡) ...

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Rx series

... NAND 型闪存器一直在改变其存储单元结构、单元大小和功能,通过缩小,容量增大,成本降低,正在迅速推进。 但是,如果闪存生成变化 在不保持跨代兼容性的情况下加速,则采购 NAND 型闪存可能会变得困难,并 可能出现限制系统引入和系统设计的更大风险。 TDK GBDriver RA6 通过控制最新的闪存(双平面写入闪存)消除了这些风险,同时保持 对现有 NAND 型闪存的支持。 除此之外,GBDriver RA6 支持 UltraDMA Mode2,最大传输速度为 ...

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UFS UD310/UD220

... 用于5G智能手机的下一代移动NAND闪存存储器 最新与新的结合(V7 NAND和新的SoC) SK hynix的NAND闪存阵容在单片密度和可用容量配置方面继续发展,并由一个成熟和强大的技术平台支持。现在,我们推出了UD310(UFS3.1)和UD220(UFS2.2),这是基于我们最新的176层4D NAND的高容量和高性能移动存储,安装在一个更小和更薄的封装中,以满足5G智能手机的严格要求。 UD310 世界上第一个采用176层NAND闪存的UFS3.1系统 SK ...

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Hynix
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UE400

内存: 512 GB

... 超越智能手机的 NAND 存储新时代 下一个旗舰存储就是现在(V7 NAND 和新 SOC) SK hynix 的 NAND 闪存产品系列提供 256GB、512GB 和 1TB 三种容量,以满足智能手机用户日益增长的大容量存储需求。 UFS4.0 符合 JEDEC 标准,其 4D NAND 与最新控制器相结合,性能比 UFS3.1 高出 2 倍。 它还具有高能效,有助于实现可持续发展。 2 倍性能 UFS 4.0 的连续读取速度高达 4300MB/s,比 UFS3.1 ...

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Hynix
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UD310/220

内存: 64 GB - 1,000 GB

... 面向 5G 智能手机的新一代移动 NAND 闪存 推陈出新(V7 NAND 和新 SoC) 在成熟稳健的技术平台支持下,SK hynix 的 NAND 闪存产品系列在单芯片密度和可用容量配置方面不断发展。现在,我们推出 UD310 (UFS3.1) 和 UD220 (UFS2.2),它们是基于我们最新的 176 层 4D NAND 的大容量高性能移动存储,采用更小更薄的封装,以满足 5G 智能手机的严格要求。 UD310 全球首款采用 176 层 NAND 闪存的 ...

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Hynix
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UD310A/210A

内存: 64 GB - 512 GB

... 汽车设备专用 NAND 闪存 SK hynix 的 NAND 闪存阵容不仅支持移动应用,还包括汽车应用。 SK hynix 用于汽车系统的通用闪存(UFS)采用最先进的第 7 代(176 层)4D V-NAND,自带 NAND 闪存控制器,提供的接口包括 64GB~512GB UFS 3.1 和 64GB~256GB UFS2.1,全部符合 JEDEC 标准。 适用于汽车的 UFS 产品系列 SK hynix 提供的 UFS3.1 和 UFS2.1 具有符合 JEDEC ...

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Hynix
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H26M41208HPR

内存: 512 GB

... 一路走来,可靠而强大的存储 占主导地位的通用存储器解决方案 eMMC具有卓越的电源效率和快速的速度,是一种先进的、可管理的NAND闪存,适用于移动应用,并且仍然是许多消费类电子产品的主导存储解决方案,从智能手机和平板电脑到GPS系统、数字电视、机顶盒、OTT,甚至是采用eMMC的汽车模块。 广泛的产品组合和长期的支持 SK hynix的eMMC解决方案有一系列的密度,从8GB到64GB,所有这些都能满足我们客户对小包装、快速接口和长期支持的需求。 通过命令队列(CQ)优化接口速度 通过使用命令队列(CQ)优化性能,达到HS400模式的最大接口速度。 ...

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BiCS FLASH™

东芝在1987年发明了NAND闪存并率先于1991年量产NAND闪存。至此,东芝一直致力于缩小设计规则和工艺节点以提高NAND闪存的容量。 然而, 工艺过渡面临诸多挑战。通过传统的平面NAND闪存技术来进一步增大容量已经变得极为困难。 为了解决这个问题,东芝发明了闪存芯片垂直层叠的全新工艺。2007年,东芝率先发布了三维(3D)闪存层叠技术。通过进一步开发,东芝推出了3D闪存:BiCS FLASH™ 目标应用 随着物联网(IoT)的出现,社交网络(SNS)的流行和更高分辨率的照片和视频的产出,世界范围内产生的数据量呈现指数式的增长。 在信息处理领域,实时性能非常重要。大数据系统需要管理大量数据,并将数据分类储存在数据中心和云服务系统中。这种情况下,大容量的存储系统需要高速且低功耗地处理、存储和管理大量数据。 另外,在智能手机、平板电脑、存储卡和其他对功耗敏感的应用中,对低功耗存储的需求也与日俱增。 BiCS ...

NAND内存
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69FxxG16

内存: 64, 128, 256, 12, 24 GB

... DDC 64、128 和 256 GB 高密度 NAND 闪存具有 x16 宽总线。 该 NAND 闪存采用单级单元 (SLC) NAND 技术。 SLC NAND 每个存储单元存储 1 位数据,提供快速的读写功能和启动时间,出色的耐久性和可靠性。 DDC 获得专利的 RAD-PAK 封装技术在微电路封装中集成了辐射屏蔽。 它不再需要箱体屏蔽,同时提供在轨道或空间飞行任务中的一生所需的辐射屏蔽。 RAD-PAK 根据空间飞行任务提供了大于 100 krads ...

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