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SEM样本制备系统
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玻璃化冷冻结构对环境影响极其敏感,需要对其加以保护以免形成假象。在理想条件下制备用于详细图像评估的样品: • - 在样品周围采取冷屏蔽措施,避免水分子在样品上冻结 • - 在整个过程中精确控制温度 • - 清洁的刀具 – 每次切片均使用干净的刀片,避免污染 • - 及时、迅速的电子束镀膜,捕获详细的表面信息 • - 在受保护的真空状态下转移到其他分析系统
Leica Microsystems GmbH/徕卡
使用徕卡EM VCT500,你可以在冷冻或常温,真空或保护气体条件下传输样品。 徕卡 EM VCT500 始终连接 • - 连接您的工作流程系统 • - 凭借主动样品冷却和全新的阀门概念优化您的样品传输 • - 对接后在工作流程中随时监控样品的温度和真空度
Leica Microsystems GmbH/徕卡
徕卡EM TXP 标靶面制备系统具有定点修块抛光功能,是用锯,磨,铣削,抛光样品后,供扫描电镜,透射电镜,和LM技术检测。 带有一体化体视镜,用于精确定位及对较细微难以观察的目标位置进行样品处理时观察;使用样品旋转手柄,可以改变样品观察角度,0°-60°可调,或者垂直于样品前表面90°观察,可利用目镜刻度标尺测量距离。
Leica Microsystems GmbH/徕卡
新版 EM TIC 3X 恪守我们的格言:与用户合作,使用户受益”,以注重实用性的方式将性能和灵活性理想融合。 最新的 EM TIC 3X 切割速度翻倍,根据您的应用需求提供五种不同的载物台供您选择,实用性得到进一步提升。
Leica Microsystems GmbH/徕卡
Leica EM TRIM2 是一套高速研磨修块系统,一体化体视镜和LED环型照明,为生物和工业样品进行修块。 Leica EM TRIM2 铣刀研磨步进为1μm,可垂直观察,方便精细修块时的定位,并带有吸尘装置,防止粉尘污染。
Leica Microsystems GmbH/徕卡
... ARTOS 3D (序列断层成像解决方案) 通过扫描电镜 (SEM) 自动创建并收集数以百计完全适用于序列断层成像的连续切片带。节省生物样品制备和 SEM 设置环节的时间和精力,因此您可快速获得图像来解答关键的研究问题。 • - 预设 ARTOS 3D,使其自动制作出上百个切面尺寸灵活 (微米到毫米) 的超薄切片带 • - ARTOS 3D 可完整采集完全对准的切片带,避免耗时难处理的手动采集 • ...
Leica Microsystems GmbH/徕卡
仅需数分钟,就可以将您的Leica EM FC7冷冻超薄切片附件安装到Leica EM UC6或Leica EM UC7超薄切片机上,将其转换成一台冷冻超薄切片机。冷冻切片温度控制范围-15℃ - -185℃,适用于透射电子显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜和光学显微镜的样品切片制备。 仅需4步,即可获得优质的冷冻超薄切片……请单击“Gallery”
Leica Microsystems GmbH/徕卡
为SEM和TEM分析生产同质和导电的金属或碳涂层,之前从未有过比与Leica EM ACE200涂层系统更方便的设备了。 配置为溅射镀膜机或碳丝蒸发镀膜机后,可以在全自动化系统中获得可重复的结果,实现了一台EM ACE200具有喷金仪,喷碳仪,蒸镀仪三种功能。如果您的分析需要这两种方法,徕卡显微系统在一台仪器中提供可互换机头的组合仪表。 各个选项,如石英晶体测量、行星旋转、辉光放电和可交换屏蔽共同构成这台低真空镀膜机。
Leica Microsystems GmbH/徕卡
您选择了用于TEM和FE-SEM分析的最高分辨率。 Leica EM ACE600是优良的多用途高真空薄膜沉积系统,设计来根据您的FE-SEM和TEM应用的需要生产非常薄的,细粒度的和导电的金属和碳涂层,用于最高分辨率分析。 这种高真空镀膜机可以通过以下方法进行配置:溅射、碳丝蒸发、碳棒蒸发、电子束蒸发和辉光放电。 适用于Leica EM ACE600高真空镀膜机的Leica EM ...
Leica Microsystems GmbH/徕卡
采用磁控型电极,最大限度地减轻对样品的损坏。 特点 • 采用LCD触摸屏,可以更加简便地设定加工条件 • 可处理较厚或较大的样品(选配件) • 记忆功能可存储常用加工条件
Hitachi High-Tech Europe GmbH/日立
... ZONESEMⅡ台式样品清洗器采用基于紫外线的清洗技术,最大限度地减少或消除电子显微镜成像的碳氢化合物污染。 在大气条件下准备、处理或储存样品可能会增加试样上的碳氢化合物堆积,而在电子束的影响下,这些碳氢化合物会在表面形成厚厚的一层。用ZONESEMⅡ清洁样品表面可以去除碳氢化合物,并减少光束引起的污染的可用分子。防止试样表面的污染对电子显微镜的真实观察至关重要。 ZONESEMⅡ利用真空控制的紫外线照射和活性氧,在成像前温和地去除试样表面的碳氢化合物,而无需使用任何化学品或试剂。第二代ZONESEMⅡ具有实验室友好的占地面积和直观的触摸屏,是任何实验室的安全、易用的补充。 ZONESEMⅡ专门为日立标本架设计,提供优化的样品清洗和储存操作模式。ZONESEMⅡ是一个很好的干燥器,可以防止夹持器脱气。 - ...
Hitachi High-Tech Europe GmbH/日立
日立离子研磨仪标准机型IM4000Ⅱ能够进行截面研磨和平面研磨。还可通过低温控制及真空转移等各种选配功能,针对不同样品进行截面研磨。 高效率的截面研磨 IM4000II配备截面研磨能力达到500 µm/h*1以上的高效率离子枪。因此,即使是硬质材料,也可以高效地制备出截面样品。 截面研磨时如果摆动的角度发生变化,加工的宽度和深度也会发生变化。下图为Si片在摆动角度为±15°下进行截面研磨后的结果。除摆动角度以外,其他条件与上述加工条件一致。通过与上面结果进行对比后,可发现加工的深度变深。 对于观察目标位于深处的样品来说,能够对样品进行更快速的截面研磨。 截面研磨 即使是由不同硬度以及研磨速度材质所构成的复合材料,也可以通过IM4000Ⅱ制备出平滑的研磨面 优化加工条件,降低因离子束所致样品的损伤 可装载最大20 ...
Hitachi High-Tech Europe GmbH/日立
ArBlade 5000是日立离子研磨仪的高性能机型。 它实现了超高速截面研磨。 高效率截面加工功能,使电镜截面观察时样品加工更简单。 特点 截面研磨速率高达1 mm/h*1! 新研发的PLUSII离子枪发射出高电流密度离子束,大幅提高*2了研磨速率。 *1 Si突出遮挡板边缘100 µm,1个小时最大加工深度 *2 研磨速率是本公司产品(IM4000PLUS:2014生产)的2倍 截面研磨结果对比 (样品:自动铅笔芯、研磨时间:1.5小时) 最大截面研磨宽度可达8 ...
Hitachi High-Tech Europe GmbH/日立
... 创新的ZONETEM II桌面样品清洗器采用基于紫外线的清洗技术,最大限度地减少或消除电子显微镜成像的碳氢化合物污染。ZONE为分析前的样品准备提供了易于使用的清洁,确保从你的TEM样品中获得最佳数据。 由于样品制备或储存,样品表面不可避免地被碳氢化合物污染。ZONETEM II台式样品清洗器/解毒器可以轻柔地去除这些污染,从而显示出你的样品的真实表面。 ZONETEM II利用真空控制的紫外线照射,在不使用任何化学品、供应气体或试剂的情况下,在成像前轻轻地、快速地 ...
Hitachi High-Tech Europe GmbH/日立
... Markes国际公司的Centri®平台是第一个提供高灵敏度的无人值守采样和预浓缩液体、固体和气体样品中的VOCs和SVOCs的系统。利用Markes先进的捕集技术,Centri增强了GC-MS几种常用的样品导入技术的灵敏度并扩展了其性能。 HiSorb™高容量吸附式萃取。 顶空和顶空捕集。 符合方法要求的热脱附。 SPME和SPME-阱。 它为所有GC样品的制备提供了一个单一的平台。 无低温的分析物捕集通过向气相色谱仪提供尖锐、集中的蒸汽带而提供高灵敏度。 它是唯一能使用惰性HiSorb探针提供全自动化吸附萃取的系统。 样品的分离和重新收集允许重复分析,而不需要重复提取步骤。 多步骤富集提高了检测限,允许。 不同基质修饰产生的样品可以合并使用 通过进行几次连续的短程提取,而不是一次长程提取,降低基质水平。 预先准备模式和自动工具更换可提高生产率。 ...
... 我们新开发的离子源可实现 1.2 mm/h 或更高的横截面铣削率(是以前铣削率的 2.4 倍)。 新型离子源的横截面铣削率 试样硅晶片 加速电压:10 千伏 铣削时间:1 小时 低熔点合金的横截面铣削(冷却) 加速电压:10 千伏 铣削时间30 分钟 右侧的 SEM 图像显示的是熔点为 150°C 的锡铋合金。 低熔点金属可能会因加工热而熔化,因此需要在铣削前冷却金属。在试样保持冷却 *3的情况下,对热敏试样进行高通量铣削。 这样就能在短时间内获得热损伤较小的截面试样。 大面积铣削 ...
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