SDRAM内存模块

内存: 1 MB

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 ...

内存: 32 GB - 128 GB

... hynix 为高性能计算专门开发了 MCRDIMM（Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Modules，多路复用器组合等级双列直插式内存模块），它基于 16Gb 或 24Gb DDR5 SDRAM 设备，通过同时访问子通道内的等级来提高带宽。 带宽轻松超过 8Gbps 我们的 16Gb 或 24Gb DDR5 MCRDIMM 的数据传输速率为 8.8Gbps，与其他数据传输速率为 ...

内存: 2, 4, 8 GB

... DDR3 SO-DIMM SDRAM 模块是高速 CMOS 动态随机存取内存模块，使用内部配置的 8 组 DDR3 SDRAM 器件。DDR3 SDRAM 模块使用 DDR 架构实现高速运行。DDR3 架构本质上是一种 8n 预取架构，其接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR3 SDRAM 模块的单次读取或写入访问实际上由内部 ...

内存: 128, 256, 512, 1, 2 MB

... DDR)，也称为DDR1，是第二代同步DRAM (SDRAM)。顾名思义，DDR是指在系统时钟的上升和下降过程中均读取和写入数据，其带宽几乎是Single Data Rate(SDR) SDRAM的两倍。 JEDEC在2000年开发了DDR SDRAM规范(JESD79)，与SDRAM技术相比，DDR SDRAM具有更高的内存带宽和性能。ATP ...

内存: 64, 128, 256, 512 MB

SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是PC100和PC133单数据速率(SDR) SDRAM的通称，时钟频率分别为100/133 MHz，内存模块数据带宽可达800/1066 MB/s。 ATP致力于为客户提供最高可靠性的产品，并提供定制化服务，帮助客户满足专业及特定的应用需求。 特点介绍 按具体项目提供支持 支持旧版本系统