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电流: 0.8 A
电压: 50 V
... 直流电流增益 HFE 最大值：400 直流电流增益 HFE 最小值 ：160 产品描述：TO-92，50V，0.8A，NPN 双极晶体管 IC（A）：0.8P D（W）：0.625 封装：TO-92 极性：NPN 状态：有源 TJ 最大值。 (℃): 150 维也纳中央广播组织 (五): 50 维也纳教育中心星期六. (五): 0.7 职级 首席执行官 (五): 45 VEBO (五): 5 ...
电流: -4 A
电压: -20 V
... RV5C040AP是一个用于负载开关的MOSFET，带有一个G-S保护二极管。 低导通电阻 -1.5V驱动 内置G-S保护二极管 小型DFN封装 无铅电镀；符合RoHS标准 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 3 A
电压: 80 V
RSQ030N08HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 4 A
电压: 20 V
RUR040N02HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: -3.5 A
电压: -20 V
RTQ035P02HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 2 A
电压: 45 V
... RTR020N05HZG是高可靠性的汽车MOSFET，适用于开关应用。 低导通电阻 内置G-S保护二极管 节省空间的小型表面贴装封装(TSMT3) 无铅电镀；符合RoHS标准 通过AEC-Q101认证 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: -2.5 A
电压: -30 V
... RSR025P03HZG是一种汽车级MOSFET，带有G-S保护二极管，适合用于开关。 低导通电阻 内置G-S保护二极管 小型表面贴装封装(TSMT3) 无铅镀层；符合RoHS标准 通过AEC-Q101认证 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 2.5 A
电压: 30 V
... RTR025N03HZG是高可靠性汽车级晶体管，适用于开关应用。 低导通电阻 内置G-S保护二极管 小型表面贴装封装(TSMT3) 无铅镀层；符合RoHS标准 通过AEC-Q101认证 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: -5 A
电压: -12 V
... RQ6A050ZP是低导通电阻MOSFET，内置G-S保护二极管用于开关应用。 低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小型表面贴装封装（TSMT6）。 无铅电镀；符合RoHS标准。 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 3.5 A
电压: 30 V
... RQ6E035TN是低导通电阻MOSFET，内置G-S保护二极管用于开关应用。 低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小型表面贴装封装（TSMT6）。 无铅电镀；符合RoHS标准。 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压: 45 V
... 描述： 中央半导体 BCX51、BCX52 和 BCX53 型号是 由外延平面工艺制造的 PNP 硅晶体管，采用表面贴装封装成型的环氧树脂，专为高电流通用放大器应用而设计。 ...
Central Semiconductor
电压: 50 V
... 描述： 中央半导体 CMKT3920（两个单 NPN 晶体管）是一种双组合，采用 节省空间的 SOT-363 UltraMini™ 封装，专为小信号通用放大器和开关应用而设计。 标记代码：K20 特点： • UltraMini™ 节省空间封装，包含两个 3920 NPN 晶体管 应用： • 负载开关 • 小信号放大 • 灯具和继电器驱动器 • MOSFET 栅极驱动 ...
Central Semiconductor
电压: 50 V
... 产品说明： 中央半导体 CMPT5086、 CMPT5086B和 CMPT5087 是由外延平面工艺制造的硅 PNP 晶体管，采用 表面贴装封装，专为 要求高增益和低噪声的应用而设计。 标记代码 ： ...
Central Semiconductor
电压: 60 V
... 描述： 中央半导体 BCV47 是一种硅 NPN 达林顿晶体管，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装封装成型的环氧树脂，专为需要极高增益的应用而设计。 标记代码：FG ...
Central Semiconductor
电压: 50, 100 V
... FMMT413 是一款 NPN 硅平面双极晶体管，专为雪崩模式操作而优化。 紧密的过程控制和低电感封装相结合，可产生具有快速边缘的高电流脉冲，非常适合激光二极管驱动。 特性和优点 • 雪崩模式操作 • 50A 峰值雪崩电流 • 低电感封装 应用 • 激光 LED 驱动器 • 快速边缘生成 • 高速脉冲发生器 ...
Diodes Incorporated
电流: 0.5 A - 2 A
电压: 30 V - 140 V
... 功能和优点 BVCEO > -60V 达林顿晶体管 hFE > 10k @ 100mA，实现高增益 IC = -500mA 高连续集电极电流 互补达林顿 PNP 型：BCV47 完全无铅，符合 RoHS 规范 无卤素和锑。绿色器件 符合 AEC-Q101 高可靠性标准 支持 P... ...
Diodes Incorporated
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