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电流: 0.05 A
电压: 12 V
NPN RF晶体管 该器件可以在共发射极或共基极模式的操作中用于集电极电流为100 mA至30 mA的低噪声UHF/VHF放大器，此外还可用于低频漂移和高输出UHF振荡器。 采用工艺40设计。
GaN HEMTs、GaAs FETs 、MMICs等产品，实现包括LTE在内的移动通信、卫星通信、基站通信等宽带大容量无线通信系统以及高分辨率气象观测、航空管制雷达系统。
... 具有超低噪音 PHEMT。 该工艺经过优化，为关键的蜂窝/PC基站和其他无线射频应用提供极低的噪声系数、高部件间一致性和出色的可靠性。 ATF-33143 采用微型 SOT-343 封装包装。 NF = 0.5 分贝，Ga = 15 分贝，P1 分贝 = 22 分贝，OIP3 在 4V、80mA（2 千兆赫）时为 33.5 分贝 ...
Broadcom
... ATF-35143 是一款高动态范围、低噪声的 PHEMT，采用 4 引脚 SC-70 表面贴装塑料封装。 ...
Broadcom
电压: 11 V
... 3.2GHz 统一增益，适用于射频开关应用 - 完全无铅，符合 RoHS 规范（注释 1 和 2） - 无卤素和锑。"绿色 "器件（注 3） - 符合 AEC-Q101 高可靠性标准 - 符合 P... 标准（注 4） 应用 - 射频开关 ...
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