汽车应用晶体管

... 东芝提供各种适用于各种应用的双极晶体管，包括射频（RF）和电源设备。 ...

电流: -16.4 A
电压: -60 V

... 普通级和逻辑级的P沟道MOSFET，降低了中、低功率应用的设计复杂性 采用DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...

电流: 1 A
电压: 800 V

R8001CND3FRA是适合开关电源用途的Super Junction MOSFET产品。 本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。

电流: -6 A
电压: -45 V

本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置Pch -45V MOSFET和ESD保护二极管。适合开关用途。

电流: 9.5 A
电压: 45 V

本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置Nch 45V MOSFET和ESD保护二极管。适合开关用途。

电流: -9 A
电压: -30 V

... RRS090P03HZG是一款用于开关电源的功率MOSFET。 低导通电阻 小型表面贴装封装（SOP8） 无铅镀层；符合RoHS标准 无卤素 100%镀锡 通过AEC-Q101认证 ...

电流: 3 A
电压: 80 V

RSQ030N08HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。

电流: 4 A
电压: 20 V

RUR040N02HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。

电流: -3.5 A
电压: -20 V

RTQ035P02HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。

电流: 2 A
电压: 45 V

... RTR020N05HZG是高可靠性的汽车MOSFET，适用于开关应用。 低导通电阻 内置G-S保护二极管 节省空间的小型表面贴装封装(TSMT3) 无铅电镀；符合RoHS标准 通过AEC-Q101认证 ...

电流: 2.5 A
电压: 30 V

... RTR025N03HZG是高可靠性汽车级晶体管，适用于开关应用。 低导通电阻 内置G-S保护二极管 小型表面贴装封装(TSMT3) 无铅镀层；符合RoHS标准 通过AEC-Q101认证 ...

电流: 34 A
电压: 750 V

SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。

电流: 0.4 A - 45 A
电压: 36 V - 70 V

意法半导体提供了大量基于VIPower（垂直智能电源）技术的汽车级智能3和5引脚低端开关（OMNIFET）。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路，以驱动垂直结构功率MOSFET。 具有集成特性的低端开关是一种能够安全处理大电流的电源开关，可用于艰苦的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入（或者面向5引脚开关的CMOS 逻辑输入）。此类器件与功率MOSFET引脚兼容，能够确保实时负载控制，具有过热保护功能，因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特 ...