NPN晶体管

电压: 60 V

... NPN 外延硅晶体管 应用 该产品用途广泛，适用于多种不同应用。 ...

电流: 15 A
电压: 140 V

... NPN 双极功率晶体管 MJ15001 和 MJ15002 是专为大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用而设计的功率晶体管。 特性 高安全工作区（100% 测试） 适用于低失真互补设计 高直流电流增益 - hFE = 25（最小值）@ IC = 4 Adc 提供无铅封装 ...

电流: 5 A
电压: 50 V

... 双极晶体管，NPN MJ15003 和 MJ15004 是功率晶体管，设计用于大功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用。 特性 适用于低失真互补设计 高直流电流增益 - hFE = 25（最小值）@ IC = 5 Adc ...

电流: 16 A
电压: 250 V

电流: 16 A
电压: 250 V

电流: 15 A
电压: 230 V

电流: 0.05 A
电压: 12 V

NPN RF晶体管 该器件可以在共发射极或共基极模式的操作中用于集电极电流为100 mA至30 mA的低噪声UHF/VHF放大器，此外还可用于低频漂移和高输出UHF振荡器。 采用工艺40设计。

电流: 20 A
电压: 650 V

SCS220AE2HR是以AEC-Q101为标准、支持车载的SiC肖特基势垒二极管。可降低开关损耗，可高速开关。3pin封装。

电流: 24 A
电压: 1,700 V

... 该装置采用了平面扩散式集电极技术，该技术是为适应高清CRT显示器而开发的 "增强型高压结构"（EHVS1）。 新的HD产品系列显示了改进的硅效率，为水平偏转阶段带来了更新的性能。 所有特点 最先进的技术：扩散式集电极 "增强型一代 "EHVS1 对工作温度的变化不那么敏感 更大范围的最佳驱动条件 符合U.L标准的全绝缘电源包 ...

电压: 50 V

... 描述： 中央半导体 CMKT3920（两个单 NPN 晶体管）是一种双组合，采用 节省空间的 SOT-363 UltraMini™ 封装，专为小信号通用放大器和开关应用而设计。 标记代码：K20 特点： • UltraMini™ 节省空间封装，包含两个 3920 NPN 晶体管 应用： • 负载开关 • 小信号放大 • 灯具和继电器驱动器 • MOSFET 栅极驱动 ...

电压: 60 V

... 描述： 中央半导体 BCV47 是一种硅 NPN 达林顿晶体管，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装封装成型的环氧树脂，专为需要极高增益的应用而设计。 标记代码：FG ...

电压: 60 V

电流: 200 mA
电压: 40 V

... 描述： 中央半导体 CMLM0405 是一款单 NPN 晶体管和肖特基二极管，采用 节省空间的 SOT-563 外壳，专为小信号通用应用而设计，其尺寸和运行效率是主要要求的。 • 互补器件：CMLM0605 • 低 VCE (SAT) 晶体管和低 VF 肖特基二极管组合。标记代码:C45 ...

电流: 1 A
电压: 25, 40, 6 V

... 说明： 中央半导体 CTLM1034-832D 由一个低 VCE（SAT）NPN 晶体管和低 VF 肖特基整流器组成。它采用小型、散热效率、无铅 3x2mm 表面贴装外壳，专为小尺寸、运行效率和低能耗需求的应用而设计。由于其无引线封装设计， 该器件能够在同等尺寸的表面贴装封装中消耗高达类似器件的 4 倍的功率。 标记代码：CFC 应用 • 开关电路 • 直流/直流转换器 • LCD 背光 • 电池供电/便携式设备应用，包括手机、数码相机、寻呼机、PDA、笔记本电脑等 ...

电流: 100 mA
电压: 50, 60 V

... 典型应用 数字控制 开关 信号处理 商业/工业级 后缀 -Q：后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准*) 后缀 -AQ：符合 AEC-Q101 标准 x) 特点 两个互补晶体管 在一个封装中 节省成本和空间 通过集成 节省成本和空间 符合 RoHS（无豁免）、 REACH、冲突矿产 *) ...

电流: 100 mA
电压: 60, 50 V

... 典型应用 数字控制 开关、信号处理 商用/工业级 后缀 -Q：后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准） 后缀 -AQ：符合 AEC-Q101 资格标准 x) 特点 集成偏置电阻组合，节省成本和空间 偏置电阻组合，节省成本和空间 符合 RoHS（无豁免）、 REACH、冲突矿产 *) ...