内存模块

内存: 16, 8, 4, 32 GB

... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化，确保稳定性和性能 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境：-40°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 WT（宽温）SODIMM 设计紧凑，具有 3200MT/s 的业界最快内存速度，非常适合车载、监控、自动化和嵌入式应用。这些模块符合所有相关的 ...

内存: 1 MB

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 ...

内存: 32 GB - 128 GB

... 采用多路复用器组合等级技术的模块 SK hynix 为高性能计算专门开发了 MCRDIMM（Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Modules，多路复用器组合等级双列直插式内存模块），它基于 16Gb 或 24Gb DDR5 SDRAM 设备，通过同时访问子通道内的等级来提高带宽。 带宽轻松超过 8Gbps 我们的 16Gb 或 24Gb DDR5 MCRDIMM 的数据传输速率为 8.8Gbps，与其他数据传输速率为 ...

内存: 2, 4, 8 GB

... DDR3 SO-DIMM SDRAM 模块是高速 CMOS 动态随机存取内存模块，使用内部配置的 8 组 DDR3 SDRAM 器件。DDR3 SDRAM 模块使用 DDR 架构实现高速运行。DDR3 架构本质上是一种 8n 预取架构，其接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR3 SDRAM 模块的单次读取或写入访问实际上由内部 DRAM 内核的单次 8 位宽、一个时钟周期的数据传输和 I/O 引脚的 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输组成。每个 ...

内存: 4, 8, 16, 32, 128 GB

ATP第四代DDR工业内存产品采用高达2666MT/s的传输速度及1.2V低电压，与以前时代的DDR技术相比实现了更高速的传输及更低的功耗。 作为从DDR3演进而来的新一代规格，DDR4对线上流量增长的需求提供了足够的带宽支持。 ddr4 - 2666 MT / s是最新一代的高性能导向的DRAM模块，针对最新的英特尔®Xeon®处理器和第八代英特尔®Core™i7/ i5 / i3处理器进行了优化。接口速度从2400 MT/s提高到2666 MT/s，理论峰值性能提高了15%，充分满足了通信基础设施、网络存储系统、网络存储(NAS)服务器、微/云服务器和工业计算机、嵌入式系统等行业关键应用的计算需求。 特点介绍 容量：4GB ...

内存: 16, 8 GB

... 原装颗粒提高电脑性能 精选原厂颗粒，严格检验流程，6层PCB板，性能稳定。 优秀的兼容性 内存产品已通过市场上主流品牌的主板兼容性测试 兼容性，确保系统长期稳定运行。 镀金工艺金手指 镀金工艺，导电性和耐腐蚀性更强。 ...

... 现代PC使用不同类型的RAM。特别是对于嵌入式系统来说，获得高质量的DDR组件是很重要的，这些组件已经为你的模块、板卡和系统进行了评估，并且是长期可用的。我们提供来自不同制造商的SRAM和DRAM解决方案，并支持你为你的产品鉴定它们。 DRAM模块 我们的Dyanmic RAM组件是特别为满足嵌入式系统的要求而设计的。它们的特点是低功耗，因为有低电压选项。此外，DDR3或DDR4特别适用于要求高的图形应用，如果是DDR4，则适用于需要更高带宽的应用。如果你的应用需要传统系统的组件，如DDR1或DDR2，我们很愿意听到你的意见。我们还提供对内存的鉴定支持。 ...

... 提高机床性能。MEMEX 为各种品牌和型号的控制器提供数控系统内存升级服务 比滴入式进给更快--经证实可将周期时间缩短多达 47 额外的内存可直接在机床上存储重复的零件程序，这意味着无需浪费时间进行文件传输 下载次数更少，文件损坏的可能性更小 Fanuc 6/9/11 和 12 的创新和独有功能 3 年更换保修 ...