MOSFET栅极驱动器

... A3946 专为需要高功率单向直流电机、三相无刷直流电机或其他电感负载的应用而设计。 A3946 提供两个高电流栅极驱动输出，能够驱动宽范围的功率 N 沟道 MOSFET。 高压侧栅极驱动器切换一个 N 沟道 MOSFET，用于控制负载的电流，而低压侧栅极驱动器则将 N 沟道 MOSFET 作为同步整流器进行切换。 自举电容器提供 N 沟道 MOSFET ...

本产品面向工业设备市场、可保证长期稳定供货。是适合这些用途的产品。BD2320EFJ-LA是可驱动使用阴极负载方式的外接Nch-FET的100V耐压高边/低边栅极驱动器。内置100V耐压自举二极管，输入逻辑电源电压可使用3.3V及5.0V两种。作为保护功能，高边及低边搭载低电压误动作防止电路(UVLO)。

... ADuM4221-2上的内部温度超过TSD温度，内部热关断(TSD)将输出设置为低输出。因此，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2能够可靠地控制广泛正或负开关电压范围下的绝缘栅双极晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性。

... LH1262CB 和 LH1262CAC 光伏 MOSFET 驱动器由两个光耦合到两个光电二极管阵列的 LED 组成。光电二极管阵列提供一个具有足够电压和电流的浮动源，以驱动大功率 MOSFET 晶体管。光学耦合可提供较高的 I/O 隔离电压。为了关闭 MOSFET，栅极放电需要一个外部电阻（栅极至源极）。 特点 - 高开路电压 - 高短路电流 - 隔离测试电压 ...

... Silicon Labs iSiODriver 产品系列具有超快的传播延迟，可实现更好的时序裕度，在温度和时间范围内保持坚固的运行，以及无与伦比的尺寸和成本效益。 提供 1、2.5、3.75 和 5.0 kV 的隔离额定值。 驱动器至驱动器承受电压为 ± 1500 VDC，驱动器可以接地相同或独立的接地，或连接到浮动电压。 ...

... ZXGD3001E6 是一款高速非反相单个 MOSFET 栅极驱动器，能够从高达 12V 的电源电压驱动高达 9A 至 MOSFET 或 IGBT 栅极电容性负载。 该器件的典型传播延迟时间低至 3ns，上升/下降时间低至 11ns，可确保功率 MOSFET 或 IGBT 的快速切换，从而最大限度地降低高电流快速开关应用中的功率损耗和失真。 ZXGD3001E6 ...

... 垂直多结光伏电池，提供电压隔离的电源来驱动功率半导体器件，如MOSFET。 YMH-HH系列栅极驱动模块在一个组件中提供了传统隔离电源、DC-DC转换器和栅极驱动IC的功能。这种集成的、完全光隔离和供电的解决方案简化了栅极驱动器的设计，提供了更好的抗噪能力，减少了电路板的尺寸和成本，并提供了更高的电压隔离。 YMH-HH系列的特点。 内置隔离式DC/DC电源 低电压锁定保护 降低了电源耦合电容 封装选项包括。8针DFN YMH-HH系列应用。 MOSFET ...