{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
电流: 5 A
电压: 4.5 V - 36 V
BD9F500QUZ是内置低导通电阻的功率MOSFET的同步整流降压DC/DC转换器。最大可输出5A的电流。采用恒定时间控制方式，具有高速负载响应性能。通过轻负载模式控制，可以改善轻负载下的效率，适用于要降低待机功耗的设备。具有电源良好输出功能，可进行系统的时序控制。采用小型封装，可在大功率密度下减少贴装面积。
电流: 280 mA
... 描述： 中央半导体 CMLM0205 是一款多离散模块™，由一个 N 沟道 MOSFET 和一个低 VF 肖特基二极管组成，采用节省空间的 SOT-563 外壳。该 器件专为小信号通用应用而设计，其尺寸和运行效率是主要要求。 • 组合： N 沟道 MOSFET 和 低 VF 肖特基二极管。 ...
Central Semiconductor
电流: 650 mA
电压: 40 V
... 描述： 中央半导体 CMLM0575 是一款多离散模块™，由单 N 沟道增强模式 MOSFET 和低 VF 肖特基二极管组成，采用节省空间的 SOT-563 表面贴装外壳。该器件专为小信号通用应用而设计，其尺寸和运行效率是主要要求。 特点： • 高电流 MOSFET（ID=650 mA）• ESD 保护高达 2kV • 低 RD（ON）MOSFET（最大值 ...
Central Semiconductor
电流: 7 A - 12.7 A
电压: 30 V
... DIOFET 是一种专有工艺，将功率 MOSFET 与肖特基二极管的单片集成到单个硅芯片中。 集成的肖特基可将体二极管的正向电压降降低近 50%，并且具有较低的反向恢复电荷。 在应用中，这意味着降低了传导和开关损耗，并且总体而言，电路将以更高的效率工作，同时降低工作温度。 此外，DIOFET 是一种坚固的雪崩工艺，这些器件具有低栅极电容比，可降低穿透电流的风险。 DIOFET 非常适合用于计算、电信和工业应用的负载点 (POL) ...
电流: 0 A - 0.2 A
电压: 11 V - 45 V
... -96或48个高边功率MOSFET输出 -Tru-Iso™ I/O到PC 3.75kVrms光隔离 -5.5" × 5.75", -IOB-96直接与USB-DIO-96-OEM相匹配 -IOB-48直接与USB-DIO-48-OEM和ETH-DIO-48-OEM配套使用 -工业工作温度（-25℃至+85℃）。 IOB-96和IOB-48光隔离FET输出附件板的设计是为了在一个紧凑的高密度附件中为现有的TTL/CMOS ...
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