MOSFET晶体管

电流: -16.4 A
电压: -60 V

... 普通级和逻辑级的P沟道MOSFET，降低了中、低功率应用的设计复杂性 采用DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 ...

电压: 110, 265 V

... 产品描述： TopSwitch-Hx 在单芯片器件上集成了一个 700 V 功率 MOSFET、高压开关电流源、PWM 控制、振荡器、热关断电路、故障保护和其他控制电路。 更低的系统成本，更高的设计灵活性， 多模式操作可最大限度地提高所有负载的效率， 新的 ESIP-7C 和 ESIP-7F 封装基于 PI 经验，具有高功率和高可靠性封装 无需高达 35 W（230 VAC 时高达 48 W）的散热器，采用 P、G 或 M 封装 输出 ...

电流: 95 A
电压: 40 V

... RH6G040BG是一款具有低导通电阻和高功率封装的功率MOSFET，适合用于开关。 低导通电阻 高功率小模具封装(HSMT8) 无铅镀层；符合RoHS标准 无卤素 ...

电流: 0.4 A - 45 A
电压: 36 V - 70 V

... 垂直智能电源）技术的汽车级智能3和5引脚低端开关（OMNIFET）。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路，以驱动垂直结构功率MOSFET。 具有集成特性的低端开关是一种能够安全处理大电流的电源开关，可用于艰苦的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入（或者面向5引脚开关的CMOS 逻辑输入）。此类器件与功率MOSFET引脚兼容，能够确保实时负载控制，具有过热保护功能，因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特 ...

电压: -400 V - 1,000 V

... Vishay 是全球第一的低功耗 MOSFET 制造商。 Vishay 硅胶功率 MOSFET 产品线包括超过 30 种封装类型的器件，包括芯片级微型 FOT® 和热先进的 PowerPak® 系列。 配置选项包括共封装和单芯片 MOSFET 以及肖特基二极管组合器件，以及将优化的高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET ...

电压: 50 V

... 封装，专为小信号通用放大器和开关应用而设计。 标记代码：K20 特点： • UltraMini™ 节省空间封装，包含两个 3920 NPN 晶体管 应用： • 负载开关 • 小信号放大 • 灯具和继电器驱动器 • MOSFET 栅极驱动 ...

电压: 20, 50 V

... 单封装 N 沟道 MOSFET 和 NPN 晶体管， 低导通电阻，极 低栅极阈值电压，1.0V 最大 低输入电容快速开关速度低输入/输出泄漏， 超小型表面贴装封装 引线，无卤素和锑，符合 RoHS 标准（注 2） ESD 受保护的 MOSFET 栅极高达 2kV “绿色” 器件（注 3） 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性 ...

电流: 0.12, 0.28, 0.2 mA
电压: 60 V

... 典型应用 信号处理、逻辑电平 驱动器 商业级 后缀 -Q：后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准 *) 后缀 -AQ：符合 AEC-Q101 标准 *) 特点 快速开关时间 符合 RoHS 和 REACH 标准、 冲突矿物 L) ...