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普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。 普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。 产品特点 ● ...
电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V 曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。 • 频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调 • 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1% • ...
... 实时"结构功能诊断: 可以快速获得故障进度、循环次数、故障原因等结果，自动停止测试； 操作过程中可远程监控: 用户通过移动端/PC端口远程控制试验进程； 完善的保护机制，具备过温，烟雾和冷却剂泄漏检测等多重保护； 兼容IGBT/DIODE/MOSFET/BJT/SCR功率器件测试； 设备辅控系统采用 UPS 供电，断电状态仍可指示设备安全状态。
... 多站点MOSFET测试系统-STS8202 系统特点：可测试16个点的MOSFET晶圆，每个点测试100v/10A。 - MOSFET晶圆测试多达16个站点，每个站点测试100v/10A。 - 高电压测试选项，最高可达1000V - UIS测试选项高达10A - 其他AC测试选项 ...
Beijing Huafeng Test & Control Technology Co., Ltd.
... 功率离散测试系统-STS8203 系统功能： - 重点测试功率分立器件，如MOSFET、肖特基、IGBT等。 - 2000v/200A直流测试能力 - UIS、DVDS和ZMU(Ciss/Coss/Crss/Rg)测试选项。 - 多功能测试模式，支持直流和交流项目同时进行测试，可与不同的测试站对接 - 菜单驱动编程。 - 灵活扩展到 "CROSS "主机下的模拟IC测试仪。 ...
Beijing Huafeng Test & Control Technology Co., Ltd.
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