MOSFET

... 东芝提供广泛的 12- 至 300-VDSS MOSFET 产品组合，采用各种封装，从适用于小信号应用的超小型封装到适用于大电流应用的封装。东芝的 MOSFET 具有高速、低漏极-源极导通电阻特性和低尖峰类型，并优化了缓冲常数。东芝的 MOSFET 具有低噪声和低开关损耗的特点，可用于要求高效率的服务器 AC-DC 开关模式电源和基站 DC-DC 转换器。我们还提供适用于各种应用的产品，包括智能手机、可穿戴设备和物联网设备，这些设备都要求轻量化和小型化。 ...

... Onsemi 荣幸地推出裸片形式的第三代 EliteSiC 碳化硅 (SiC) MOSFET，该产品针对电动汽车牵引逆变器、DC-DC 转换器和板外充电器等高功率应用进行了优化。 M3e 产品系列基于 onsemi 最新一代 SiC MOSFET 技术，具有同类产品中最低的导通电阻，优化的顶层和背层金属选择适合多种封装技术，包括焊接、烧结、焊线、晶顶铜和带状键合。通过使用 onsemi 的 M3e ...

ROHM的第4代SiC MOSFET SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。

... 描述： 中央半导体 CDM22010-650 是一款高电流、650 伏 N 沟道功率 MOSFET，专为高压、快速开关应用而设计，如功率因数校正（PFC）、照明和功率逆变器。该 MOSFET 将高电压能力与低 RD (ON)、低阈值电压和低栅极电荷相结合。 标记代码：CDM10-650 应用： • 功率因数校正 • 电机驱动 • 替代能源逆变器 • 固态照明特点：• ...

工業標準封裝 玻璃鈍化芯片 低熱阻 符合RoHS規範 UL認可 E320098 應用 高壓穩壓電源 溫度和交直流電機速度控制 不斷電系統 電池充放電 照明電路

... RVS47N60PN/PT是采用荣科Mos技术的新平台生产的N沟道增强模式高压功率MOS。它实现了低导通损耗和开关损耗。它使设计工程师能够设计出具有高效率、高功率密度和优异热性能的功率转换器。此外，它还具有普遍适用性，即适用于硬开关和软开关拓扑结构。 特点 * 47A, 600V, Ros(on)(typ.)=55mQ@VGS=10V * 新的革命性的高电压技术 * 超低的栅极电荷 * 周期性雪崩额定值 * 极端的dv/dt等级 * 高峰值电流能力 ...