晶圆蚀刻机
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... APX300-S 诞生于成熟的干式蚀刻技术,包括获得专利的多螺旋感应耦合等离子体线圈 (MS-ICP) 及其在化合物半导体材料阵列中的应用。APX300-S 可以处理功率器件、声表面波滤波器、通信器件或 MEMS 传感器市场中使用的晶片。 我们的多螺旋线圈 ICP (MS-ICP) 源技术可让您的操作实现高度统一的工艺结果。可用的束射型 ICP (BM-ICP) 选件具有更高的电子密度,可实现更快的处理速度和更广泛的处理能力。还提供大气和真空处理系统选项。 - ...
SPTS Omega® SynapsEtch 处理模块使用高密度等离子体源来蚀刻牢固结合的材料。 SPTS Omega SynapsEtch 蚀刻工艺模块会进行加热且附带磁约束腔体,因而可提供比传统 ICP 更高的等离子体密度(约 10 倍)。等离子体密度越高,便可对牢固结合的材料实现更高的蚀刻速率。Omega SynapsEtch 常用于蚀刻介电材料(包括氧化硅、石英和玻璃)的深层特征。 Omega SynapsEtch 模块还可轻松处理其他低挥发性材料,例如 ...
KLA Corporation
Primaxx® Monarch 3 气相氟化氢 (VHF) 蚀刻系统使用可控的氟化氢/无水酒精蚀刻工艺来完成选择性蚀刻释放。Monarch 3 是一个紧凑型模块,其中包括一个可支持3片晶圆的工艺腔体,内含一个带预抽真空室的半自动3片晶圆载台。它专为研究实验室和小批量生产环境而设计。带有电子控制板的集成式电脑屏可最大限度地减少洁净室占地面积,且该系统的设计支持轻松地更改晶圆尺寸和进行维护。 • 兼容 100mm-200mm 晶圆 • 批量式工艺最多 3 片晶圆 • ...
KLA Corporation
RENA AES 湿法蚀刻工具设计用以实现出色的晶圆生产效果。酸性蚀刻搭配快速输送系统,呈现精准工艺控制。对于 300 mm 以下的晶圆,这款全自动工具满足高端晶圆生产的所有要求,完全遵循所有 SEMI 标准。此外,无载片半节距处理能力确保高处理率。 特点与优势 晶圆尺寸高达 300 mm 出色的形状控制 蚀刻停顿小于 1 秒 完美的蚀刻均匀性 无载片处理 半节距系统实现高处理量 高级工艺监控 多晶圆运输至 OHT 装载端
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