静音晶体管

电流: 4 A
电压: 650 V

R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在音响和照明等需要尽可能抑制噪声的应用中实现更优异的性能。

电流: 1.7 A
电压: 600 V

R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在音响和照明等需要尽可能抑制噪声的应用中实现高性能。

电流: 76 A
电压: 600 V

... R6076ENZ4是一款用于开关应用的功率MOSFET。 低导通电阻 开关速度快 并联使用很方便 无铅镀层；符合RoHS标准 ...

电流: 4 A
电压: 600 V

... 功率MOSFET R6004END3适合用于开关电源。 低导通电阻 低辐射噪声 开关速度快 并联使用很方便 无铅镀层；符合RoHS标准 ...

电流: 11 A
电压: 650 V

... R6511ENX是一款具有低导通电阻和快速开关的功率MOSFET，适用于开关应用。 低导通电阻 开关速度快 并联使用很方便 无铅镀层；符合RoHS标准 ...

电流: 11 A
电压: 650 V

... R6511ENJ是一款具有低导通电阻和快速开关的功率MOSFET，适用于开关应用。 低导通电阻 开关速度快 并联使用很方便 无铅镀层；符合RoHS标准 ...

电流: 24 A
电压: 650 V

... R6524ENJ是一款具有低导通电阻和快速开关的功率MOSFET，适用于开关应用。 低导通电阻 开关速度快 并联使用很方便 无铅镀层；符合RoHS标准 ...

电流: 30 A
电压: 650 V

... R6530ENX是一种功率MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度，适用于开关。 低导通电阻 开关速度快 并联使用很方便 无铅镀层；符合RoHS标准 ...

电流: 4 A
电压: 600 V

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。

电流: 30 A
电压: 600 V

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。

电压: 50 V

... 产品说明： 中央半导体 CMPT5086、 CMPT5086B和 CMPT5087 是由外延平面工艺制造的硅 PNP 晶体管，采用 表面贴装封装，专为 要求高增益和低噪声的应用而设计。 标记代码 ： ...

GaN HEMTs、GaAs FETs 、MMICs等产品，实现包括LTE在内的移动通信、卫星通信、基站通信等宽带大容量无线通信系统以及高分辨率气象观测、航空管制雷达系统。

... 具有超低噪音 PHEMT。 该工艺经过优化，为关键的蜂窝/PC基站和其他无线射频应用提供极低的噪声系数、高部件间一致性和出色的可靠性。 ATF-33143 采用微型 SOT-343 封装包装。 NF = 0.5 分贝，Ga = 15 分贝，P1 分贝 = 22 分贝，OIP3 在 4V、80mA（2 千兆赫）时为 33.5 分贝 ...

... ATF-35143 是一款高动态范围、低噪声的 PHEMT，采用 4 引脚 SC-70 表面贴装塑料封装。 ...

... Avago 拥有广泛的硅双极射频晶体管和 GaAs FET 产品组合。 GaAs FET 射频晶体管是基站 LNA 第一级或第二级的理想选择，因为它具有低噪声系数和增强的线性度。 Avagos 双极射频晶体管提供高性能，在低电压操作时针对最大 FT 进行了优化，使其成为无线市场电池供电应用的理想选择。 ...