晶体生长炉
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
温度: 1,600, 1,700, 1,800 °C
宽度: 455, 580 mm
高度: 365, 515, 765 mm
HTRV高温管式炉,可垂直使用,最高温度可达1800℃。 高等级的保温材料由真空成型纤维板组成,其低导热系数保证能耗低、加热速度快。保温层和硅钼棒加热元件置于矩形外壳内,加热元件以垂直悬挂方式安装,更换简单方便。在高温时,加热元件与氧气反应,表面会生成二氧化硅保护层,保护加热元件收到进一步的热冲击和化学腐蚀。 凭借多种多样的配件,HTRV系列高温管式炉,能为高温范围内的应用提供完整的系统解决方案。 标准垂直式炉不含支架,用户可把炉子集成在自己的设备中。也可额外选择L型支架,用于支撑炉体。 应用实例 annealing, ...
温度: 1,700, 1,600 °C
宽度: 700, 600, 800 mm
高度: 700, 800, 1,050, 1,250 mm
开合式管式炉的工作管安装定位简单方便,即便带有法兰的反应器也可轻松放入。开合式的设计也可以快速冷却样品。炉子上有一个控制热电偶,安装在加热区中部。炉外壳上的散热孔经过设计,能使炉体以对流方式冷却。二部分炉体各有保温材料和二硅化钼加热元件,加热元件以垂直悬挂方式安装在炉体内。安全锁能保护操作者,当打开炉体时,加热电源即被切断。 标准垂直管式炉不含支架,用户可把炉子集成在自己的设备中。也可额外选择L型支架,用于支撑炉体。 应用实例 annealing, carbonisation, ...
温度: 1,600, 1,700, 1,800 °C
宽度: 950 mm
高度: 1,800 mm
BV-HTRV是根据布里奇曼方法用于晶体生长的管式炉。 布里奇曼方法是用预合成材料缓慢地下降,通过一个具有温度梯度的区间。被熔化的材料通过一个较低的温度梯度区间,形成单晶。BV-HTRV管式炉装有用于布里奇曼方法的特殊设计的结构。标准型号,如HTRV 70-250或HTRV 100-250的工作管装有一个升降装置上,需要注意的是,所有的管式炉都可以装这个装置。最常见的有两种炉型,HTRV 70-250和HTRV 100-250。 优势在于加热区短,根据布里奇曼方法,可获得较理想的温度梯度。温度向管式炉底部递减。拉伸结构向着低温区的位移速度可调。样品热电偶紧靠着样品,能精确了解样品的温度。样品和控温热电偶安装在升降装置底部。装载和卸载时,机构可快速反应。或者根据用户指定的晶体生长速度移动。 样品热电偶和控温热电偶在陶瓷工作管附近。工作管两端是水冷法兰。工作管上面的法兰是固定的,底部的螺纹管,连接着工作管和升降装置。当样品向下移动时,螺纹管开始延伸。即使在真空下,样品也可以向下移动。 工作管顶部是连接着真空泵。真空阀门可手动开关。真空度由压电陶瓷真空计控制。惰性气体流量由转子流速计手动控制。为了在工艺开始前降低氧含量,需要进行反复多次的预抽真空和惰性气体冲刷。 该系统可以连接计算机,可记录运行时的所有数据。如,样品位置、热电偶温度。装载和卸载样品时,夹具必须打开。机构可现实快速移动,样品方便拿取。 升降装置用于布里奇曼晶体生长,同时可结合不同的单区或多区控温管式炉。
温度: 850 °C - 2,500 °C
容量: 5 l - 4,000 l
... 气氛控制的升降底炉用于金属制品的制造、热处理、烧结、熔化、老化、热测试、粉末合成和化学分解等应用,在这些应用中需要一个保护环境才能达到所需的产品。 气氛控制的升降底炉用于金属制品的制造、热处理、烧结、熔化、老化、热测试、粉末合成和化学分解等应用,在这些应用中需要一个保护环境才能达到所需要的 产品。 气 氛控制升降底炉设计用于在氩气、氮气、真空、氢气等大气条件下进行热处理。 在这种类型的炉子中,我们公司使用比其他几何形状更稳定和稳定的圆柱式气氛舱。 此外,水冷系统压力、机舱温度、内部大气压力、智能系统均由用户监控,使工艺处于安全状态。 ...
温度: 0 °C - 2,800 °C
... 我们的前装式多用途实验室炉由于多种选择和配置,是我们最通用的炉。 它是需要高温加工的小型样品研发的理想工具。 默认温度为 2000° C,如果添加了水冷式加热器外壳,则最高温度为 2800° C。 热区大小为 4 ″ 直径 x 8 ″ 高。 该炉具有可选的晶体生长套件、迷你热压套件,以及淬火套件,可以用最少的精力进行交换。 前端装载设计允许轻松完全进入装载区域。 ...
Materials Research Furnaces
温度: 0 °C - 3,500 °C
... 电弧熔炼炉 TA-200 与我们的 SA-200 电弧熔炼炉相同,但有三个刺根而不是一个,允许更大的均匀熔体。 它具有容量更高的电源,可容纳三弧。 添加多个电极后,熔化水坑可以通过焊接弧进行 “搅拌” 或搅拌,从而改善合金样品的混合,而不必担心机械装置造成污染。 该弧熔炉有一个带坩埚的 2”(51 毫米)铜炉,其中含有样品材料。 这款三弧模型 TA-200 作为一个完整的交钥匙系统,可以立即达到 3500° C 以上的温度。 定制炉膛腔以产生特定熔体形状,在订购时无需额外付费。 ...
Materials Research Furnaces
温度: 0 °C - 3,500 °C
... 电弧熔化炉ABJ-900是我们最大的系统,用于3500℃以上的持续使用,具有安全的水流联锁、绝缘波纹管、排空/气体系统和重型电源。炉膛向后铰链,可以完全进入炉膛区域和炉膛内部,便于装载、卸载、清洁和维护。 炉盘包括许多可能的熔化腔配置,如果在订货时指定,可提供定制设计,不需额外费用。 熔化区是一个9.00英寸(229毫米)直径的炉膛腔。弧形熔化炉提供极其纯净的熔体。可提供高真空涡轮泵系统和其他附件。 一般规格 大钟罩,顶部装载配置。 100% ...
Materials Research Furnaces
全自动晶体生长炉 TDR135A-ZJS
JSG
温度: 2,300 °C
... 晶体生长 采用改良 Lely 法进行块状碳化硅单晶的物理气相传输 (PVT) 生长 其他应用包括合成高纯度 SiC 原料 产品规格 最重要的特征 感应炉,顶部装载设计 4" SiC 块状晶体生长 中频加热功率 30 千瓦 工作频率 8-10 kHz 处理气体 氮气、氩气、氢气,分压操作 5 - 950 毫巴 通过水冷双玻璃管设置的真空/气密室 真空泵系统,真空度为 2 x 10-5 毫巴,配有涡轮分子泵(685 升/秒) 高纯度石墨毡绝缘(卤素净化) 我们使之成为可能: Linn ...
... 太阳能结晶器(22 型)专为大批量生产硅锭而设计,以满足太阳能行业的需求。 该系统利用了半导体晶圆制造行业所采用的实验和技术。 该系统提供创新的设计,并配有先进的过程控制计算机,为当今市场进行了成本优化。 每个组件的高品质和耐用性确保了太阳能结晶器 22 的长寿命。 独特的系统设计保证了稳定的工艺和晶体质量,以及持续的高可靠性生产性能。 该系统的模块化概念允许灵活的配置,满足大多数客户的不同要求。 SolarCrystallizer 晶体拉拔器用于硅锭生产 质量德国制造 专为太阳能晶锭制造而设计,可实现 大批量生产自动化 用户友好且低维护设计,可最大限度地减少人员部署 ...
PVA TePla Group
温度: 0 °C - 1,050 °C
... 灵活使用的LPE设备 SOF Optoelectronics ESY-10概念的主要特点是高产能与各种类型的LPE生产技术的灵活性相结合。五次熔化工艺的50个晶圆和一次熔化工艺的200个晶圆的产能显示了该类型设备的高潜力。 除了用于工业用途的标准ESY-10设备外,还可以实现客户设计的具有大量选项的解决方案。特别是ESY-10可以适应研究机构和大学的要求。 ESY-10可以被设计成一个或两个(双)系统,以减少在洁净室中的占用面积。 可用的生产技术 标准红外线 强力红外线 功率红外(低UF)。 电源窗口红外 用于IrDA ...
为提升搜索质量,您认为我们应改善:
请说明:
您的建议是我们进步的动力:
剩余字数