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... 描述： 中央半导体 CDM2205-800FP 是一款 800 伏 N 沟道 MOSFET，专为高压、快速开关应用而设计，如功率因数校正（PFC）、照明和功率逆变器。该 MOSFET 将高电压能力与低 RD (ON)、低阈值电压和低栅极电荷相结合，以实现最佳效率。 标记代码：CDM05-800FP 应用： • 功率因数校正 • 替代能量逆变器 • 固态照明功能：• ...
... 这款MOSFET来自荣泰工业（上海）有限公司，。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。 特点。 VDS=100V,ID=60A Rdson≦23mΩ @VGS=10V (典型值：18.0mΩ) 扩展的安全工作区 低反向传输电容 100%单脉冲雪崩能量测试 应用 -电源开关应用 -直流电动机控制 - 不间断电源 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
... 这款MOSFET来自荣泰工业（上海）有限公司，。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。 特点。 VDS=60V,ID=110A Rdson≦10mΩ @VGS=10V (典型值：7.0mΩ) 扩展的安全工作区 低反向传输电容 100%单脉冲雪崩能量测试 应用 -电源开关应用 -直流电动机控制 - 不间断电源 ...
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... 这款MOSFET来自荣泰工业（上海）有限公司，。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。 一般特性 -VDS=100V,ID=20A, Rdson≦70mΩ @VGS=10V (典型值：58mΩ) -扩展的安全工作区 -低反向传输电容 -100%单脉冲雪崩能量测试 应用 -电源开关应用 -直流电动机控制 - 不间断电源 ...
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... 这款MOSFET来自荣泰工业（上海）有限公司，。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。 特点。 VDS=200V,ID=30A Rdson≦75mΩ @VGS=10V (典型值：55mΩ) 扩展的安全工作区 低反向传输电容 100%单脉冲雪崩能量测试 应用 -电源开关应用 -直流电动机控制 - 不间断电源 ...
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... 这款MOSFET来自荣泰工业（上海）有限公司，。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。 一般特性 -VDS=100V,ID=40A Rdson≦42mΩ @VGS=10V (典型值：32mΩ) -扩展的安全工作区 -较低的反向传输电容 -100%单脉冲雪崩能量测试 应用 -电源开关应用 -直流电动机控制 - 不间断电源 ...
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... 荣泰工业（上海）有限公司的这款MOSFET，采用先进的6英寸技术，实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。 特点。 VDS=100V,ID=40A Rdson≦42mΩ @VGS=10V (典型值：32mΩ) 扩展的安全工作区 低反向传输电容 100%单脉冲雪崩能量测试 应用 -电源开关应用 -直流电动机控制 - 不间断电源 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
... 这款MOSFET来自荣泰工业（上海）有限公司，。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。 特点。 VDS=60V,ID=45A Rdson≦25mΩ @VGS=10V (典型值：20mΩ) 扩展的安全工作区 低反向传输电容 100%单脉冲雪崩能量测试 应用 -电源开关应用 -直流电动机控制 - 不间断电源 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
... 这款MOSFET来自荣泰工业（上海）有限公司，。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。 特点。 VDS=60V,ID=50A Rdson≦21mΩ @VGS=10V (典型值：16mΩ) 扩展的安全工作区 低反向传输电容 100%单脉冲雪崩能量测试 应用 -电源开关应用 -直流电动机控制 - 不间断电源 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
... 这款MOSFET来自荣泰工业（上海）有限公司，。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。 特点。 VDS=60V,ID=70A Rdson≦15mΩ @VGS=10V (典型值：12.0mΩ) 扩展的安全工作区 低反向传输电容 100%单脉冲雪崩能量测试 应用 -电源开关应用 -直流电动机控制 - 不间断电源 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
... 这款MOSFET来自荣泰工业（上海）有限公司，。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。 特点。 VVDS=80V,ID=80A Rdson≦11mΩ @VGS=10V (典型值：9.0mΩ) 扩展的安全工作区 低反向传输电容 100%单脉冲雪崩能量测试 应用 -电源开关应用 -直流电动机控制 - 不间断电源 ...
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