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电流: 81 A
电压: 1,200 V
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 51 A
电压: 750 V
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 75 A
电压: 1,200 V
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 31 A
电压: 750 V
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 24 A
电压: 1,200 V
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 98 A
电压: 750 V
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 34 A
电压: 750 V
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 31 A
电压: 750 V
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 26 A
电压: 1,200 V
的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。 ROHM的第4代SiC MOSFET SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 24 A
电压: 1,200 V
的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。 ROHM的第4代SiC MOSFET SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 24 A
电压: 1,700 V
... 该装置采用了平面扩散式集电极技术，该技术是为适应高清CRT显示器而开发的 "增强型高压结构"（EHVS1）。 新的HD产品系列显示了改进的硅效率，为水平偏转阶段带来了更新的性能。 所有特点 最先进的技术：扩散式集电极 "增强型一代 "EHVS1 对工作温度的变化不那么敏感 更大范围的最佳驱动条件 符合U.L标准的全绝缘电源包 ...
电压: 45 V
... 描述： 中央半导体 BCX51、BCX52 和 BCX53 型号是 由外延平面工艺制造的 PNP 硅晶体管，采用表面贴装封装成型的环氧树脂，专为高电流通用放大器应用而设计。 ...
Central Semiconductor
电压: 50 V
... 产品说明： 中央半导体 CMPT5086、 CMPT5086B和 CMPT5087 是由外延平面工艺制造的硅 PNP 晶体管，采用 表面贴装封装，专为 要求高增益和低噪声的应用而设计。 标记代码 ： ...
Central Semiconductor
电压: 60 V
... 描述： 中央半导体 BCV47 是一种硅 NPN 达林顿晶体管，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装封装成型的环氧树脂，专为需要极高增益的应用而设计。 标记代码：FG ...
Central Semiconductor
... 描述： 中央半导体 CMPFJ175 和 CMPFJ176 是环氧树脂成型 P 沟道 JFET，采用 SOT-23 外壳制造，专为低电平放大器应用而设计。 标记代码： 中国元素标记码 175：6 瓦中国元素标记码：6 倍 ...
Central Semiconductor
电压: 30 V
... 描述： 中央半导体 CMPFJ175 和 CMPFJ176 是环氧树脂成型 P 沟道 JFET，采用 SOT-23 外壳制造，专为低电平放大器应用而设计。 标记代码： 中国元素标记码 175：6 瓦中国元素标记码：6 倍 ...
Central Semiconductor
电压: 40 V
... 描述： 中央半导体 CMPP6027 和 CMPP6028 是硅可编程单结晶体管，采用表面贴装 SOT-23 封装制造，专为可调（可编程）特性而设计，如谷值电流 (IV)、峰值电流 (IP) 和固有的静位比 ()。 标记代码： 中国标记代码： 中国标记代码 ...
Central Semiconductor
电流: 200 mA
电压: 40 V
... 描述： 中央半导体 CMLM0405 是一款单 NPN 晶体管和肖特基二极管，采用 节省空间的 SOT-563 外壳，专为小信号通用应用而设计，其尺寸和运行效率是主要要求的。 • 互补器件：CMLM0605 • 低 VCE (SAT) 晶体管和低 VF 肖特基二极管组合。标记代码:C45 ...
Central Semiconductor
电流: 1 A
电压: 25, 40, 6 V
... 说明： 中央半导体 CTLM1034-832D 由一个低 VCE（SAT）NPN 晶体管和低 VF 肖特基整流器组成。它采用小型、散热效率、无铅 3x2mm 表面贴装外壳，专为小尺寸、运行效率和低能耗需求的应用而设计。由于其无引线封装设计， 该器件能够在同等尺寸的表面贴装封装中消耗高达类似器件的 4 倍的功率。 标记代码：CFC 应用 • 开关电路 • 直流/直流转换器 • LCD 背光 • 电池供电/便携式设备应用，包括手机、数码相机、寻呼机、PDA、笔记本电脑等 ...
Central Semiconductor
电流: 1 A - 5 A
电压: 12 V - 400 V
... 在双极晶体管方面，二极管是市场领导者。 凭借其广泛的内部封装和卓越的硅技术，Diodes 处于理想的位置，可满足您对双极晶体管的应用需求。 持续创新 双极晶体管产品组合基于我们一系列创新矩阵发射器工艺。 多年的专业知识、前沿设计和工艺创新，扩大了我们在构建超低饱和度、快速开关晶体管方面的领先地位。 同类最佳性能专注于优化工艺以实现最低的饱和电压、减少芯片面积并随后提高开关性能，从而降低了功耗，从而实现了更小的表面贴装封装，这些封装仍能满足目标 应用程序。 ...
Diodes Incorporated
电压: 50, 100 V
... FMMT413 是一款 NPN 硅平面双极晶体管，专为雪崩模式操作而优化。 紧密的过程控制和低电感封装相结合，可产生具有快速边缘的高电流脉冲，非常适合激光二极管驱动。 特性和优点 • 雪崩模式操作 • 50A 峰值雪崩电流 • 低电感封装 应用 • 激光 LED 驱动器 • 快速边缘生成 • 高速脉冲发生器 ...
Diodes Incorporated
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