硅光电晶体管

电流: 0.2, 1.65, 0.01 mA

下降时间 tf 典型值 8.0 µs 上升时间 tf 典型值 8.0 µs 响应光谱范围typ. λ10% 最小值 450 nm λ10% 最大值 1100 nm 辐射敏感区 A 典型值 0.11 mm² 光束角 ∢ 典型值 110 ° 尺寸 l 典型值 5.35 mm w 典型值 5.35 mm h 典型值 3.3 mm 工作温度 Top 最小值 -40 °C Top 最大值 80 °C 应用领域 工业 工厂自动化

电流: 50.5, 60, 75 A
电压: 32 V - 300 V

... 光耦合器，光电晶体管输出，带底座连接，高 BVCEO 电压 特点 极高的集电极发射极击穿电压 BVCEO 隔离测试电压：5000 VRMS 低耦合电容 应用 电信 工业控制 电池供电设备 ...

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... OIT9C 4 通道光电晶体管阵列 0.60mm 塑料 SMD 封装上的光学间距 OIT9C 由硅光电晶体管单片阵列组成。光电晶体管在背面基板上有一个公共集电极，集电极与两个焊盘相连，每个发射极都可与特定焊盘相连。阵列的光学间距为 0.60 毫米，LCC 封装的电气间距为 1.27 毫米。每个元件的有效面积为 0.20 x 0.45 mm2。 该产品的优势在于：由于采用了单片结构和极其可控的微电子工艺，硅传感器具有高度的均匀性；由于在光电晶体管区域沉积了抗反射涂层，信号具有高度的稳定性和高光学响应性。 封装材料是一种具有中等硬度的透明硅胶材料，以适应 ...

电流: 1 mA
电压: 50 mV

... 光电晶体管阵列可用于旋转和线性编码器、光栅、存在传感器以及光学和 X 射线分拣机。我们的光电晶体管阵列采用 SMD 塑料或陶瓷、金属 TO 和板上芯片 (COB) 封装。 ...

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... OIT12C-OIT12C-S 9 通道光电晶体管阵列 0.45mm 塑料 SMD 封装上的光学间距 概述 OIT12C 由硅光电晶体管单片阵列组成。这些光电晶体管在背面基板上有一个共同的集电极，集电极与单个焊盘相连，每个发射极都可与特定焊盘相连。阵列的光学间距为 0.45 毫米，LCC 封装的电气间距为 1.10 毫米。每个元件的有效面积为 0.25 x 0.50 mm2。 该产品的优势在于：由于采用了单片结构和极其可控的微电子工艺，硅传感器具有高度的均匀性；由于在光电晶体管区域沉积了抗反射涂层，信号具有高度的稳定性和高光学响应性。 封装材料是一种透明的环氧树脂材料，具有高硬度和高光学性能（在 ...

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... OIT15C-OIT15C-S 6 通道光电晶体管阵列 0.45mm 塑料 SMD 封装上的光学间距 OIT15C 由硅光电晶体管单片阵列组成。这些光电晶体管在背面基板上有一个共同的集电极，集电极与单个焊盘相连，每个发射极都可与特定焊盘相连。阵列的光学间距为 0.45 毫米，LCC 封装的电气间距为 1.10 毫米。每个元件的有效面积为 0.25 x 0.50 mm2。 该产品的优势在于：由于采用了单片结构和极其受控的微电子工艺，硅传感器具有高度的均匀性；由于在光电晶体管区域沉积了抗反射涂层，信号具有高度的稳定性和高光学响应性。 封装材料是一种透明的环氧树脂材料，具有高硬度和高光学性能（在 ...

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... OIT29 3 通道光电晶体管阵列 0.60mm 的 塑料 SMD 封装光学间距 一般说明 OIT29 由三元硅 光电晶体管的单芯片阵列组成。 光电晶体管有一个共同的集电器，每个发射器都可作为垫片使用。硅阵列的间距为 0.6 毫米，而元件的电气间距为 1.27 毫米。每个元件的有效面积为 0.2 x 0.45 毫米。该封装剂是一种高品质的微电子透明硅树脂：其透射值在 300 纳米至 400 纳米之间大于 95%，而在 400-900nm 范围内非常接近 ...

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... OIT29 3 通道光电晶体管阵列 0.60mm 塑料 SMD 封装上的光学间距 OIT29 由三元件硅光电晶体管单片阵列组成。 这些光电晶体管有一个共同的集电极，每个发射极都有一个焊盘。硅阵列的间距为 0.6 毫米，元件电气间距为 1.27 毫米。每个元件的有效面积为 0.2 x 0.45 毫米。封装剂是一种高质量的微电子透明硅树脂：在 300 纳米到 400 纳米之间，其透光率大于 95%，而在 400-900 纳米之间，其透光率接近 100%。光电晶体管上有一层抗反射涂层，确保了良好的光谱带宽。 保证了良好的光谱带宽（500-950 ...

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... OIT6C 12 通道光电晶体管阵列 0.60mm 塑料 SMD 封装上的光学间距 概述 OIT6C 由两个硅光电晶体管单片阵列组成。光电晶体管背面基板上有一个共同的集电极，集电极与两个焊盘相连，每个发射极都可与特定焊盘相连。阵列的光学间距为 0.60 毫米，LCC 封装的电气间距为 1.27 毫米。每个元件的有效面积为 0.20 x 0.45 mm2。 该产品的优势在于：由于采用了单片结构和极其可控的微电子工艺，硅传感器具有高度的均匀性；由于在光电晶体管区域沉积了抗反射涂层，信号具有高度的稳定性和高光学响应性。 这种封装方法适用于苛刻的工业应用，这意味着硅单元具有高温范围、高时间稳定性和高均匀性。 应用 光电编码器 增量式编码器 12 ...

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... OIT7C 16 通道光电晶体管阵列，0.60 毫米光学间距，塑料 SMD 封装，十字形 塑料 SMD 封装，十字形 OIT7C 由三个硅光电晶体管单片阵列组成。由六个器件组成的两个阵列分别位于设备的顶部和底部，代表编码器光盘的每个位。另一个由四个器件组成的阵列位于中间。它可用作光传感器或增加位，从而提高编码器的分辨率。 光电晶体管有一个共同的集电极，每个发射极都可用作焊盘。硅阵列间距为 0.6 毫米，元件电气间距为 1.27 毫米。每个元件的有效面积为 0.2 ...

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... OIT18C-NR 13 通道光电晶体管阵列 0.45mm 塑料 SMD 封装上的光学间距 概述 OIT18C 是由 13 个元件组成的硅光电晶体管单片阵列。这些光电晶体管在背面基板上有一个共同的集电极，集电极与两个焊盘相连，每个发射极都可与特定的焊盘相连。 阵列的光学间距为 0.45 毫米，LCC 封装的电气间距为 1.27 毫米。每个元件的有效面积为 0.25 x 0.50 mm2。 该产品的优势在于：由于采用了单片结构和极其受控的微电子工艺，硅传感器具有高度的均匀性；由于在光电晶体管区域沉积了抗反射涂层，信号具有高度的稳定性和高光学响应性。 该器件由一层薄塑料薄膜保护，可耐受回流炉工艺。当设备组装到电子板上，用户可以安装光学视网膜时，必须将薄膜撕掉。两个参考标记可用于精确定位光学视网膜。 应用 光学编码器 13 ...

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... OIT25C-NR 6 通道光电晶体管阵列 0.68mm 塑料 SMD 封装上的光学间距 概述 OIT25C 由六个单片硅光电晶体管组成。这些光电晶体管在背面基板上有一个共同的集电极，集电极与一个焊盘相连，每个发射极都可与特定的焊盘相连。阵列的光学间距为 0.68 毫米，LCC 封装的电气间距为 1.27 毫米。每个元件的有效面积为 0.20 x 0.45 平方毫米。 . 该产品的优势在于硅传感器的高均匀性和极其受控的微电子工艺、信号的高稳定性以及光电晶体管区域上沉积的抗反射涂层所带来的高光学响应性。 该器件由一层薄塑料薄膜保护，可耐受回流炉工艺。当设备组装到电子板上，用户可以安装光学视网膜时，必须将薄膜撕掉。两个参考标记可用于准直器的精确定位。 应用 光学编码器 增量式编码器 光学接收器 控制器/驱动器 特点  ...