光电晶体管

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NPN光电晶体管
NPN光电晶体管
Metal Can TO18

电流: 0.2, 1.65, 0.01 mA

下降时间 tf 典型值 8.0 µs 上升时间 tf 典型值 8.0 µs 响应光谱范围typ. λ10% 最小值 450 nm λ10% 最大值 1100 nm 辐射敏感区 A 典型值 0.11 mm² 光束角 ∢ 典型值 110 ° 尺寸 l 典型值 5.35 mm w 典型值 5.35 mm h 典型值 3.3 mm 工作温度 Top 最小值 -40 °C Top 最大值 80 °C 应用领域 工业 工厂自动化

IGBT光电晶体管
IGBT光电晶体管
H11 series

电流: 50.5, 60, 75 A
电压: 32 V - 300 V

... 光耦合器,光电晶体管输出,带底座连接,高 BVCEO 电压 特点 极高的集电极发射极击穿电压 BVCEO 隔离测试电压:5000 VRMS 低耦合电容 应用 电信 工业控制 电池供电设备 ...

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VISHAY
达灵顿式光电晶体管
达灵顿式光电晶体管
SFH619A

电流: 50, 60 mA
电压: 30 V - 300 V

... 光耦合器,光电二极管输出,高增益,带底座连接 特点 极高的电流传输比,最小 500 %。 高隔离电阻,典型值为 1011 Ω 标准 DIP 塑料封装 ...

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VISHAY
SMD光电晶体管
SMD光电晶体管
OIT9C

电流: 1 mA
电压: 80 mV

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Optoi Microelectronics
硅光电晶体管
硅光电晶体管
OIT11C

电流: 1 mA
电压: 50 mV

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Optoi Microelectronics
SMD光电晶体管
SMD光电晶体管
OIT12C-S

电流: 1 mA
电压: 80 mV

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Optoi Microelectronics
硅光电晶体管
硅光电晶体管
OIT15C-S

电流: 1 mA
电压: 80 mV

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Optoi Microelectronics
SMD光电晶体管
SMD光电晶体管
OIT25C

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... OIT29 3 通道光电晶体管阵列 0.60mm 的 塑料 SMD 封装光学间距 一般说明 OIT29 由三元硅 光电晶体管的单芯片阵列组成。 光电晶体管有一个共同的集电器,每个发射器都可作为垫片使用。硅阵列的间距为 0.6 毫米,而元件的电气间距为 1.27 毫米。每个元件的有效面积为 0.2 x 0.45 毫米。该封装剂是一种高品质的微电子透明硅树脂:其透射值在 300 纳米至 400 纳米之间大于 95%,而在 400-900nm 范围内非常接近 ...

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Optoi Microelectronics
硅光电晶体管
硅光电晶体管
OIT29

电流: 1 mA
电压: 80 mV

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Optoi Microelectronics
硅光电晶体管
硅光电晶体管
OIT6C

电流: 1 mA
电压: 80 mV

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Optoi Microelectronics
硅光电晶体管
硅光电晶体管
OIT7C

电流: 1 mA
电压: 80 mV

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Optoi Microelectronics
SMD光电晶体管
SMD光电晶体管
OIT18C-NR

电流: 1 mA
电压: 80 mV

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Optoi Microelectronics
SMD光电晶体管
SMD光电晶体管
OIT25C-NR

电流: 1 mA
电压: 80 mV

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Optoi Microelectronics
SMD光电晶体管
SMD光电晶体管
LTR series

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Liteon
光电晶体管
光电晶体管
LTR series

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Liteon
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