工业内存模块

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SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 8, 16, 32 GB

宇瞻Wide Temp. SODIMM (Wide Temperature SODIMM)内存模块是专为严苛的极端气候与特殊环境所设计,能运行于–40°C到85°C工作温度,适用于面对严苛环境的工业、军事、航天与车载等系统所设计。宽温系列内存模块不仅采用原厂工规等级DRAM IC,连同被动组件部份亦是工规宽温等级,PCB采用30u”镀金工艺,提升抗氧化能力,保证信号传输的稳定性。宽温系列内存模块通过工规等级的高低温验证以及最严苛的48小时温度冲击试验(Thermal ...

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Apacer Technology B.V.
DRAM内存模块
DRAM内存模块

内存: 16, 32 GB

宇瞻Wide Temp. ECC UDIMM (Wide Temperature ECC UDIMM)内存模块是专为严苛的极端气候与特殊环境所设计,能运行于–40°C到85°C工作温度,适用于面对严苛环境的工业、军事、航天与车载等系统所设计。宽温系列内存模块不仅采用原厂工规等级DRAM IC,连同被动组件部份亦是工规宽温等级,PCB采用30u”镀金工艺,提升抗氧化能力,保证信号传输的稳定性。宽温系列内存模块通过工规等级的高低温验证以及最严苛的48小时温度冲击试验(Thermal ...

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Apacer Technology B.V.
SDRAM内存模块
SDRAM内存模块

内存: 16, 32 GB

宇瞻Wide Temp. ECC SODIMM (Wide Temperature ECC SODIMM)内存模块是专为严苛的极端气候与特殊环境所设计,能运行于–40°C到85°C工作温度,适用于面对严苛环境的工业、军事、航天与车载等系统所设计。宽温系列内存模块不仅采用原厂工规等级DRAM IC,连同被动组件部份亦是工规宽温等级,PCB采用30u”镀金工艺,提升抗氧化能力,保证信号传输的稳定性。宽温系列内存模块通过工规等级的高低温验证以及最严苛的48小时温度冲击试验(Thermal ...

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DDR5 UDIMM内存模块
DDR5 UDIMM内存模块

内存: 8, 16, 32 GB

宇瞻Wide Temp. UDIMM (Wide Temperature UDIMM)内存模块是专为严苛的极端气候与特殊环境所设计,能运行于–40°C到85°C工作温度,适用于面对严苛环境的工业、军事、航天与车载等系统所设计。宽温系列内存模块不仅采用原厂工规等级DRAM IC,连同被动组件部份亦是工规宽温等级,PCB采用30u”镀金工艺,提升抗氧化能力,保证信号传输的稳定性。宽温系列内存模块通过工规等级的高低温验证以及最严苛的48小时温度冲击试验(Thermal ...

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Apacer Technology B.V.
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 8, 16, 32 GB

Apacer宇瞻科技DDR5 SODIMM工业级内存采用高质量原厂颗粒,针对要求高稳定、高可靠度的工控应用,宇瞻DDR5 SODIMM的On-die ECC纠错机制,大幅强化了DRAM IC的RAS(Reliability, Availability and Serviceability),为系统提供绝佳的稳定性与可靠度。另一方面,DDR5 内存模块增加了电源管理功能,以电源管理IC(PMIC)的配置,高效控制系统电源负载,提升信号完整性与兼容性。此外,其仅1.1V的工作电压,也有助于减少系统功耗与发热量,特别适用于需要低功耗与散热不易的工控系统。 SODIMM(Small ...

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Apacer Technology B.V.
DRAM内存模块
DRAM内存模块

内存: 32, 16, 8 GB

On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 288-pin,DDR5 无缓冲双列内存模块 (DDR5 UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V 32个internal banks架构;8个bank groups x 4 banks 无铅 (符合RoHS) 无卤 敷形涂料 ...

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Apacer Technology B.V.
DDR3内存模块
DDR3内存模块

内存: 2, 4, 8, 16 GB

On-DIMM热传感器:有 PCB:高度30.0 mm,间距1.0 mm(引脚) 八个并行运行的内部存储库(组件) 支持每个突发接入的自动预充电选项 支持自动刷新/自刷新 刷新周期:7.8㎲在0℃≦TC≤+ 85℃ PCB:30μ金手指 涂层保护/底部填充 (可选) 抗硫化(Anti-Sulfuration)(Apacer专利) (可选) ECC UDIMM(ECC无缓冲DIMM)是符合JEDEC标准的内存,专为需要高度稳定运行的服务器和工作站而设计。以最高质量的原厂内存芯片制造,它支持ECC功能来检测和纠正数据错误,以及内置的温度监控热传感器,以防止过热并提高内存的可靠性。

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Apacer Technology B.V.
DDR5内存模块
DDR5内存模块

内存: 16, 32 GB

采用VLP ( Very Low Profile )矮版尺寸设计,模组高度仅为18.75mm(0.738"英吋) On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 支援ECC纠错与校正 288-pin,DDR5 ECC 无缓冲双列记忆体模组 (DDR5 ECC UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP = 1.8V ...

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DDR5内存模块
DDR5内存模块

内存: 16, 32 GB

采用DRAM原厂高品质新世代DDR5 DRAM晶片 VLP ( Very Low Profile )矮版尺寸设计,模组高度仅为18.75mm(0.738"英吋) On DIMM 配置电源管理IC (PMIC) (5V),高效控制系统电源负载 On-die ECC纠错机制,提升可靠度 288-pin,DDR5 无缓冲双列记忆体模组 (DDR5 UDIMM) VDD = VDDQ = 1.1V VPP ...

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SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 4, 8, 16, 32 GB

抗硫化内存模块主要应用于暴露在高污染环境中的设备,如车载、军事、医疗、运输、网通与户外电子产品等领域,以及使用于高浓度硫磺气体区域,如火山、温泉、与采矿区电子设备。 由于硫气体容易与电阻的端电极银材料化合产生硫化银、硫化银不导电,随着电阻被硫化,电阻的阻值逐渐增加,直至最后变成开路。为解决电阻硫化问题,宇瞻开发全球第一款适用于含硫环境的抗硫化内存模块,此创新研发设计亦已取得专利。

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Apacer Technology B.V.
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR4 WT SODIMM

内存: 16, 8, 4, 32 GB

... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:-40°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 WT(宽温)SODIMM 设计紧凑,具有 3200MT/s 的业界最快内存速度,非常适合车载、监控、自动化和嵌入式应用。这些模块符合所有相关的 ...

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Innodisk Corporation
DDR4内存模块
DDR4内存模块
DDR4 WT RDIMM

内存: 32, 16, 8, 4 GB

... 可增强时钟、命令和控制信号的寄存器 提供单一纠错和检测功能 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V(1.26V~1.14V) 工作环境:-40°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 WT(宽温)RDIMM 提供 3200MT/s 的业界最快内存速度,完全兼容 ...

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Innodisk Corporation
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR2 WT SODIMM

内存: 2, 1 GB

... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 JEDEC 标准 1.8V +/- 0.1V 工作环境:-40°C ~ 85°C 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR2 WT(宽温)SODIMM(小外型)是一种紧凑型内存模块,可方便地安装在任何嵌入式、监控和自动化设备中。该模块符合所有相关的 JEDEC 标准,可在 -40ºC ...

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Innodisk Corporation
DDR3内存模块
DDR3内存模块
DDR3 RDIMM

内存: 2, 8, 4 GB

... 可增强时钟、命令和控制信号的寄存器 提供单一纠错和检测功能 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 JEDEC 标准 1.5V (1.425V~1.575V) 和 1.35V (1.28V~1.45V) 工作环境:0°C ~ 85°C 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR3 RDIMM 是专为服务器和网络市场设计的工业内存模块,可提供持久的性能。模块配备 ...

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Innodisk Corporation
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR4 ECC SODIMM

内存: 8, 16, 4, 32 GB

... 小外形双列直插式内存模块 提供单一纠错和检测功能 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:0°C ~ 95°C (Tc) 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 ECC SODIMM 提供 3200MT/s 的业界最快无缓冲内存速度,与 ...

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Innodisk Corporation
DDR4内存模块
DDR4内存模块
DDR4 UDIMM

内存: 8, 32, 4, 16 GB

... 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 UDIMM 提供 3200MT/s 的业界最快内存速度,是任何监控、自动化和嵌入式应用的完美之选。这些模块符合所有相关的 JEDEC 标准,有 4GB、8GB、16GB ...

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Innodisk Corporation
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR4 SODIMM

内存: 4, 2, 8, 32, 16 GB

... 小外形双列直插式内存模块 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 SODIMM(小尺寸)是一种紧凑型内存模块,具有 3200MT/s 的业界最快速度。它非常适合任何嵌入式、监控和自动化设置。该模块符合所有相关的 ...

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DDR4内存模块
DDR4内存模块
DDR4 UDIMM VLP

内存: 8, 4, 16 GB

... 专为 1U 系统设计的超薄外形 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 UDIMM VLP 采用超扁平设计,具有业界最快的内存速度(2666MT/s),完全兼容 Intel® Purely ...

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Innodisk Corporation
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR4 SODIMM VLP

内存: 4, 8 GB

... 小外形双列直插式内存模块 专为 1U 系统设计的超薄外形 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 针对恶劣环境的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境:0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 SODIMM VLP 采用紧凑的超扁平设计,具有业界最快的内存速度(2666MT/s),完全兼容 ...

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Innodisk Corporation
DDR3内存模块
DDR3内存模块
DDR3 UDIMM

内存: 8, 4, 2 GB

... 经过全面测试和优化,确保稳定性和性能 使用原装集成电路,符合严格的工业标准 JEDEC 标准 1.5V (1.425V~1.575V) 和 1.35V (1.28V~1.45V) 工作环境:0°C ~ 85°C 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR3 UDIMM 是专为监控、自动化和嵌入式市场设计的工业内存模块,具有持久的性能。该模块符合所有相关的 JEDEC 标准,容量有 2GB、4GB 和 8GB,数据传输速率分别为 ...

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Innodisk Corporation
DDR5内存模块
DDR5内存模块

内存: 32, 8, 16 GB

● 超高传输速度: 4800 MT/s ● 高达32GB的大容量 ● 独立电源管理芯片 (PMIC),提供稳定的电源供应 ● 1.1V超低电压,更加节能省电 ● 支持On-die ECC纠错机制,数据传输稳定精准 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性,延长其使用寿命 ● 客制化服务: 抗硫化(Anti-Sulfuration)和三防胶(Conformal Coating),强化产品在严苛环境中的耐用度 ● 适用于边缘计算、物联网、5G与工业计算机等应用 威刚工业级DDR5 ...

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ADATA Industrial
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块

内存: 8, 16, 32 GB

● 超高传输速度: 4800 MT/s ● 高达32GB的大容量 ● 独立电源管理芯片 (PMIC),提供稳定的电源供应 ● 1.1V超低电压,更加节能省电 ● 支持On-die ECC纠错机制,数据传输稳定精准 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性,延长其使用寿命 ● 客制化服务: 抗硫化(Anti-Sulfuration)和三防胶(Conformal Coating),强化产品在严苛环境中的耐用度 ● 适用于嵌入式装置、智能医疗、监控、工业自动化等应用 威刚工业级DDR5 ...

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ADATA Industrial
DDR4内存模块
DDR4内存模块

内存: 32, 8, 16, 4 GB

● 高达3200 MT/s传输速度的卓越性能 ● 最高容量可达 32GB ● 1.2V低功耗高能效运作 ● 客制化服务: ECC纠错技术,30µ PCB镀金层,抗硫化(Anti-Sulfuration)和三防胶(Conformal Coating) ● 适用于自动化、网通、IPC、监控等应用 ● 符合RoHS承诺 威刚工业级DDR4 U-DIMM内存,传输速度高达3200 MT/s,还可在1.2V低功耗高能效运作,是自动化、嵌入式系统、网通、监控等应用的理想选择。所有威刚工业级内存皆符合 ...

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ADATA Industrial
DDR4内存模块
DDR4内存模块

内存: 2, 4, 8 GB

● Very Low Profile (VLP) 设计 –完美适用于刀片式服务器和瘦客机 ● 高达3200 MT/s传输速度的卓越性能 ● 最高容量可达32GB ● 1.2V低功耗高能效运作 ● 客制化服务: ECC纠错技术,30µ PCB镀金层,抗硫化保护 (Anti-Sulfuration Protection) 和三防胶 (Conformal Coating) ● 适用于工业自动化、嵌入式系统、网通、监控应用 威刚工业级DDR4 VLP U-DIMM内存高度仅1.85cm,并拥有高达3200 ...

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ADATA Industrial
DRAM内存模块
DRAM内存模块

内存: 2, 4, 8, 16 GB

● 传输效能高达1600 MT/s ● 严选原厂优质DRAM IC,耐用可靠 ● 1.35V低电压,节能省电 ● 客制化服务: 30µ PCB镀金层、抗硫化(Anti-Sulfuration Protection)和三防胶(Conformal Coating),强化产品在严苛环境中的耐用度 ● 适用于工业自动化、交通、网通与监控等应用 威刚工业级DDR3L U-DIMM内存传输速度达1600 MT/s,相当适合自动化、嵌入式系统、网通、监控等应用。此外,仅需 ...

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ADATA Industrial
DRAM内存模块
DRAM内存模块
DDR5 ECC U-DIMM

内存: 32, 16 GB

● 超高传输速度: 4800 MT/s ● 采用原厂高质量內存颗粒,以符合严格的工业级标准 ● 独立电源管理芯片 (PMIC),提供稳定的电源供应 ● 1.1V超低电压,更加节能省电 ● 双重纠错机制: On-die ECC和Side-band ECC,数据传输更精准 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性,延长使用寿命 ● 适用于服务器、网通、边缘运算、物联网、5G与监控等应用 ● 符合RoHS与JEDEC生产规范 ● 客制化服务: 抗硫化 ...

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ADATA Industrial
SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR5 ECC SO-DIMM

内存: 16, 32 GB

● 超高传输速度: 4800 MT/s ● 采用原厂高质量內存颗粒,以符合严格的工业级标准 ● 独立电源管理芯片 (PMIC),提供稳定的电源供应 ● 1.1V超低电压,更加节能省电 ● 双重纠错机制: On-die ECC和Side-band ECC,数据传输更精准 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性,延长使用寿命 ● 适用于服务器、网通、边缘运算、物联网、5G与监控等应用 ● 符合RoHS与JEDEC生产规范 ● 客制化服务: 抗硫化 ...

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ADATA Industrial
DRAM内存模块
DRAM内存模块
DDR3L ECC U-DIMM

内存: 8, 2, 4 GB

● 频率可达1600 MT/s ● 最高容量8G ● 1.35V低功耗高效率 ● ECC技术可实现更可靠的数据传输 ● 30µPCB镀金层,提高产品耐用性和寿命 ● 客制服务:抗硫化保护和保形涂层,增强耐用性 ● 适用于服务器、网络、边缘计算、物联网、5G和监控应用 ● RoHS合规性 威刚致力于提供高效能且节能的内存解决方案,在节约能源的诉求之下,节能则是 ADATA U-DIMM ECC DDR3L 最主要的优点,并且可全面减少能源消耗与降低碳排放量,而这样的特性并不会牺牲掉云端服务器在高速运算下的效能表现,同时可降低内存总线负载,也大幅提升了系统整体效能。威刚在内存设计质量方面, ...

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SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR4 SO-DIMM

内存: 4, 8, 16, 32 GB

● 传输效能高达3200 MT/s ● 高达32GB的大容量 ● 严选原厂优质DRAM IC,耐用可靠 ● 支持工业级耐宽温: -40°C至 85°C ● 1.2V低电压,更加节能省电 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性,延长其使用寿命 ● 客制化服务: ECC纠错技术、抗硫化(Anti-Sulfuration Protection)和三防胶(Conformal Coating),强化产品在严苛环境中的耐用度 ● 适用于工业自动化、交通、网通与监控等应用 威刚工业级DDR4耐宽温SO-DIMM内存可在-40ºC至85ºC的极端环境中稳定运作,同时提供高达3200 ...

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SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
DDR4 ECC SO-DIMM

内存: 8, 16, 32, 4 GB

● 传输效能高达3200 MT/s ● 高达32GB的大容量 ● 严选原厂优质DRAM IC,质量有保障 ● 支持工业级耐宽温: -40°C至 85°C ● 1.2V低电压,更加节能省电 ● 支持 ECC(纠错码)技术,数据传输精准完整 ● 采用30µ PCB镀金层,确保产品的长效耐用 ● 客制化服务: 抗硫化(Anti-Sulfuration Protection)和三防胶(Conformal Coating),强化产品在严苛环境中的耐用度 ● ...

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SO-DIMM内存模块
SO-DIMM内存模块
YSXXXXD3NXXXXXGN

内存: 2, 4, 8 GB

... DDR3 SO-DIMM SDRAM 模块是高速 CMOS 动态随机存取内存模块,使用内部配置的 8 组 DDR3 SDRAM 器件。DDR3 SDRAM 模块使用 DDR 架构实现高速运行。DDR3 架构本质上是一种 8n 预取架构,其接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR3 SDRAM 模块的单次读取或写入访问实际上由内部 DRAM 内核的单次 8 位宽、一个时钟周期的数据传输和 I/O 引脚的 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输组成。每个 ...

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YSEEMAXXXXXXXXXXX

内存: 4 GB - 128 GB

... YANSEN YSEEMAXXXXXXXXX eMMC 5.1 存储解决方案的推出,为各种应用提供了多功能的可靠选择。这款存储设备的容量范围为 4GB 至 128GB,采用先进的 3D MLC/TLC NAND,可确保高效可靠的性能。YANSEN eMMC 5.1 的读取速度高达 295 MB/s,写入速度高达 197 MB/s,可提供快速数据访问和传输所需的速度。该产品专为在工业环境中工作而设计,支持-40℃至85℃的宽工作温度范围,适用于需要坚固稳定性能的各种应用。 规格 尺寸:11.5 ...

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