功率晶体管

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IGBT晶体管
IGBT晶体管
XPT™ series

电压: 1,700, 2,500, 4,500 V

这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数,这些高压IGBT可用于并联,相比串联低电压器件更加经济高效。 因此,这可减少相关的栅极驱动电路、简化设计并提升整体系统的可靠性。 选配的代加工快速恢复二极管具有较短的反向恢复时间,并且经过优化,可产生平滑的开关波形并显著减少电磁干扰(EMI)。 功能与特色: XPT™薄晶圆技术 较低的通态电压VCE(sat) 代加工快速恢复二极管 正温度系数VCE(sat) 国际标准尺寸高压封装 应用: 脉冲电路 激光和X射线发生器 高压电源 高压检测设备 电容放电电路 AC开关 优点: 效率更高 无需串联多个器件 提供电力系统的可靠性

双极晶体管
双极晶体管

... 东芝提供各种适用于各种应用的双极晶体管,包括射频(RF)和电源设备。 ...

MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
IPD900P06NM

电流: -16.4 A
电压: -60 V

... 普通级和逻辑级的P沟道MOSFET,降低了中、低功率应用的设计复杂性 采用DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级,具有较宽的RDS(on)范围,并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述: 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点: 易于与MCU接口 由于低Qg,在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...

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Infineon Technologies AG/英飞凌
功率晶体管模块
功率晶体管模块
AFM906N

电压: 7.5 V

专为频率范围在136至941 MHz之间的手持双向对讲机应用而设计。这些器件具有高增益、耐用性、宽带性能,适用于手持对讲机设备中的大信号、共源放大器应用。 特征 运行频率在136到941 MHz之间 未匹配的输入和输出,可适用更宽的频率范围 集成的ESD保护 集成的稳定性增强功能 宽带 - 整个频段全功率 卓越的热性能 非常耐用 高线性度:TETRA、SSB 符合RoHS规范 输出级VHF频段手持无线电 ...

IGBT晶体管
IGBT晶体管
PDSA-series

... 电源 IC 插座 标准类型 单列 如何订购 例如PDSA-1076-Sxx-GG x:位置数 2 至 16 绝缘强度 绝缘电阻 - - 工作温度 EX.)PDSA-1076-Sxx-GG x = 引脚数(2-16) 通过自定义插座引脚的排列、 还可用于评估 IPM 和 IGBT 等功率半导体。 可进行开尔文测量 可选择布线规格 支持高温环境 定位凸轮可实现高定位精度的布局 触点距插座顶部 2.85 mm,可实现低电感测量。 通过螺钉和螺母确保电路板安装强度。 ...

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JC CHERRY INC.
IGBT晶体管
IGBT晶体管
PDSP series

... 用于功率集成电路的中等尺寸插座 通孔型 双式 2.54mm / 0.100" 间距 如何订购 例如:PDSP-CM1-Dxx-GGPDSP-CM1-Dxx-GG x:位置数 04,12,20(偶数) *关于其他位置数,请随时联系我们。 介电强度 - 绝缘电阻 绝缘阻抗 工作温度 套管 - 黄铜,镍镀金 触点 - 铜合金,镍镀金 绝缘体 - 高温热塑性塑料 通过定制插座引脚的排列、 还可用于评估 IPM 和 IGBT 等功率半导体。 可进行开尔文测量 可选择布线规格 支持高温环境 定位凸轮可实现高定位精度的布局 触点距插座顶部 ...

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JC CHERRY INC.
IGBT晶体管
IGBT晶体管
PDHS254-NB15-S series

... 功率晶体管插座 间距 高温 低排气 多极型 高可靠性圆形触点,具有良好的电气和机械性能。功率晶体管测试插座适用于各种封装,可在高温环境下使用。 适用封装:TO-220、TO-257、TO-262 等 适用引线尺寸 φ0.85 - 1.1mm/0.335" -0.043" 额定电流 接触电阻 - 绝缘强度 介电强度 绝缘体电阻 工作温度 间距 套管 - 黄铜,镍镀金 触点 - 高温铜合金 绝缘体 - 高温热塑性塑料 能否使用取决于设备,如方形引线。 通过定制插座引脚的排列、 它还可用于评估 ...

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JC CHERRY INC.
MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
700 V | TOPSwitch-HX

电压: 110, 265 V

... 产品描述: TopSwitch-Hx 在单芯片器件上集成了一个 700 V 功率 MOSFET、高压开关电流源、PWM 控制、振荡器、热关断电路、故障保护和其他控制电路。 更低的系统成本,更高的设计灵活性, 多模式操作可最大限度地提高所有负载的效率, 新的 ESIP-7C 和 ESIP-7F 封装基于 PI 经验,具有高功率和高可靠性封装 无需高达 35 W(230 VAC 时高达 48 W)的散热器,采用 P、G 或 M 封装 输出 过压保护 (OVP) 是用户可编程的,用于锁存/非锁存关断,具有快速交流复位 线路欠压 ...

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Power Integrations
IGBT晶体管模块
IGBT晶体管模块
NXH800H120L7QDSG

电流: 800 A
电压: 1,200 V

... NXH800H120L7QDSG 是一款额定半桥 IGBT 功率模块。集成的场截止沟道 7 IGBT 和第 7 代二极管可降低传导损耗和开关损耗,使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。 应用 直流-交流转换 直流-直流转换 交流-直流转换 终端产品 储能系统 太阳能逆变器 电机驱动器 不间断电源系统 (UPS) 功能 现场停止沟槽 7 IGBT 和 Gen.7 二极管 2 合 1 半桥配置 IGBT 电源模块 隔离底板 NTC 热敏电阻 可焊接引脚 低电感布局 ...

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Fairchild Semiconductor/仙童
MOSFET晶体管模块
MOSFET晶体管模块
RH6G040BG

电流: 95 A
电压: 40 V

... RH6G040BG是一款具有低导通电阻和高功率封装的功率MOSFET,适合用于开关。 低导通电阻 高功率小模具封装(HSMT8) 无铅镀层;符合RoHS标准 无卤素 ...

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ROHM Semiconductor/罗姆
MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
L9338

电流: 0.4 A - 45 A
电压: 36 V - 70 V

意法半导体提供了大量基于VIPower(垂直智能电源)技术的汽车级智能3和5引脚低端开关(OMNIFET)。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路,以驱动垂直结构功率MOSFET。 具有集成特性的低端开关是一种能够安全处理大电流的电源开关,可用于艰苦的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入(或者面向5引脚开关的CMOS 逻辑输入)。此类器件与功率MOSFET引脚兼容,能够确保实时负载控制,具有过热保护功能,因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特 ...

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STMicroelectronics/意法半导体
IGBT晶体管
IGBT晶体管
5SN series

电流: 150 A - 3,600 A
电压: 1,200, 1,700, 3,300, 4,500, 6,500 V

日立能源的 IGBT 功率模块有单相、双相/相臂、斩波器 IGBT 和双二极管模块,电压范围为 1700 至 6500 伏。高功率 HiPak IGBT 模块具有低损耗、软开关性能和破纪录的安全作业区 (SOA)。新推出的 62Pak 和 LoPak 快速开关中功率 IGBT 模块具有最低的开关损耗、全 175°C 运行、正方形 SOA 以及可插入式更换的标准封装。

MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
IRF series

电压: -400 V - 1,000 V

... Vishay 是全球第一的低功耗 MOSFET 制造商。 Vishay 硅胶功率 MOSFET 产品线包括超过 30 种封装类型的器件,包括芯片级微型 FOT® 和热先进的 PowerPak® 系列。 配置选项包括共封装和单芯片 MOSFET 以及肖特基二极管组合器件,以及将优化的高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET 集成在一个封装中的非对称 PowerPaby® 器件。 ...

双极晶体管
双极晶体管

电压: 0.24 V - 3.5 V

双极晶体管
双极晶体管
BCX51

电压: 45 V

... 描述: 中央半导体 BCX51、BCX52 和 BCX53 型号是 由外延平面工艺制造的 PNP 硅晶体管,采用表面贴装封装成型的环氧树脂,专为高电流通用放大器应用而设计。 ...

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Central Semiconductor
FET晶体管
FET晶体管

... Avago 拥有广泛的硅双极射频晶体管和 GaAs FET 产品组合。 GaAs FET 射频晶体管是基站 LNA 第一级或第二级的理想选择,因为它具有低噪声系数和增强的线性度。 Avagos 双极射频晶体管提供高性能,在低电压操作时针对最大 FT 进行了优化,使其成为无线市场电池供电应用的理想选择。 ...

双极晶体管
双极晶体管

电流: 1 A - 5 A
电压: 12 V - 400 V

... 在双极晶体管方面,二极管是市场领导者。 凭借其广泛的内部封装和卓越的硅技术,Diodes 处于理想的位置,可满足您对双极晶体管的应用需求。 持续创新 双极晶体管产品组合基于我们一系列创新矩阵发射器工艺。 多年的专业知识、前沿设计和工艺创新,扩大了我们在构建超低饱和度、快速开关晶体管方面的领先地位。 同类最佳性能专注于优化工艺以实现最低的饱和电压、减少芯片面积并随后提高开关性能,从而降低了功耗,从而实现了更小的表面贴装封装,这些封装仍能满足目标 应用程序。 ...

双极晶体管
双极晶体管
BFS20

电流: 25 mA
电压: 20 V

... 集电极发射极电压 - Vceo 20 V 直流集电极电流 - Ic - 25 mA 极性 - pol - NPN 功率耗散 - Ptot - 0.200 W 结温 - Tjmax - 150 °C 直流电流增益 - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA 集电极饱和电压 - VcEsat - mV - Ic - mA - Ib - mA 增益带宽积 - ft - 450 MHz - Ic - 5 mA - VcE - 10V ...

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Diotec
IGBT晶体管模块
IGBT晶体管模块
RT25PI120B9H

电流: 10, 25 A
电压: 1,200 V

... 特点 • 沟槽 + 立式 IGBT 技术 • 10ps 短路能力 • Versât),具有正温度系数 • 低电感外壳 • 快速 & 软反向恢复反并联 FWD • 采用 DBC 技术的隔离铜基板 典型应用 • 电机逆变器 驱动器 • 空调 • 不间断电源 ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT晶体管
IGBT晶体管

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IXYS
功率晶体管模块
功率晶体管模块
HRC12

电压: 8 V - 35 V

蓝牙通信模块是一款手机和发电机组数据通信的转换模块,HRC12蓝牙模块通过RS485与发电机组控制器进行连接,通过手机APP获取发电机组信息,且控制发电机组开停机。 性能特点 手机蓝牙远距离监控机组状态,通信距离大于50米; 手机端可控制机组控制器电源或者唤醒机组控制器; 模块供电电源范围宽DC (8~35)V,可直接使用发动机自带的起动蓄电池; 模块面板具有电源和通信状态指示灯,模块工作状态一目了然; 采用标准35mm导轨安装、螺丝(M4)固定安装; 模块化结构设计,阻燃ABS外壳,重量轻,结构紧凑,安装方便。

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