高速内存模块

内存: 8, 32, 4, 16 GB

... 经过全面测试和优化，确保稳定性和性能 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 恶劣环境下的抗硫化保护 JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V) 工作环境：0°C ~ 95°C (Tc) 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR4 UDIMM 提供 3200MT/s 的业界最快内存速度，是任何监控、自动化和嵌入式应用的完美之选。这些模块符合所有相关的 JEDEC 标准，有 4GB、8GB、16GB ...

内存: 32, 8, 16 GB

● 超高传输速度: 4800 MT/s ● 高达32GB的大容量 ● 独立电源管理芯片 (PMIC)，提供稳定的电源供应 ● 1.1V超低电压，更加节能省电 ● 支持On-die ECC纠错机制，数据传输稳定精准 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性，延长其使用寿命 ● 客制化服务: 抗硫化(Anti-Sulfuration)和三防胶(Conformal Coating)，强化产品在严苛环境中的耐用度 ● 适用于边缘计算、物联网、5G与工业计算机等应用 威刚工业级DDR5 ...

内存: 1 MB

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 ...

内存: 16, 128, 64 GB

... 散热性能更强、速度最快的 DRAM 最快的 DRAM 解决方案 SK hynix 的 1ynm 16Gb HBM2E 是业界最快的内存，I/O 速度达到 3.6Gbps，每秒可使用 1,024 个 I/O 处理 460GB 的数据。与之前的 HBM2 相比，我们的新型 HBM2E 的散热性能提高了 36%，是一款真正高效的内存，可为您的系统提供强劲的性能。 HBM 性能趋势 SK hynix 引领着 HBM 市场，雄心勃勃地寻求更快的 HBM 解决方案：我们正在开发的 ...

内存: 2, 4, 8 GB

... DDR3 SO-DIMM SDRAM 模块是高速 CMOS 动态随机存取内存模块，使用内部配置的 8 组 DDR3 SDRAM 器件。DDR3 SDRAM 模块使用 DDR 架构实现高速运行。DDR3 架构本质上是一种 8n 预取架构，其接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR3 SDRAM 模块的单次读取或写入访问实际上由内部 DRAM 内核的单次 8 位宽、一个时钟周期的数据传输和 I/O 引脚的 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输组成。每个 ...

内存: 4, 8, 16, 32, 128 GB

ATP第四代DDR工业内存产品采用高达2666MT/s的传输速度及1.2V低电压，与以前时代的DDR技术相比实现了更高速的传输及更低的功耗。 作为从DDR3演进而来的新一代规格，DDR4对线上流量增长的需求提供了足够的带宽支持。 ddr4 - 2666 MT / s是最新一代的高性能导向的DRAM模块，针对最新的英特尔®Xeon®处理器和第八代英特尔®Core™i7/ i5 / i3处理器进行了优化。接口速度从2400 MT/s提高到2666 MT/s，理论峰值性能提高了15%，充分满足了通信基础设施、网络存储系统、网络存储(NAS)服务器、微/云服务器和工业计算机、嵌入式系统等行业关键应用的计算需求。 特点介绍 容量：4GB ...