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... 具有超低噪音 PHEMT。 该工艺经过优化，为关键的蜂窝/PC基站和其他无线射频应用提供极低的噪声系数、高部件间一致性和出色的可靠性。 ATF-33143 采用微型 SOT-343 封装包装。 NF = 0.5 分贝，Ga = 15 分贝，P1 分贝 = 22 分贝，OIP3 在 4V、80mA（2 千兆赫）时为 33.5 分贝 ...
Broadcom
... ATF-35143 是一款高动态范围、低噪声的 PHEMT，采用 4 引脚 SC-70 表面贴装塑料封装。 ...
Broadcom
... 描述： 中央半导体 CMPFJ175 和 CMPFJ176 是环氧树脂成型 P 沟道 JFET，采用 SOT-23 外壳制造，专为低电平放大器应用而设计。 标记代码： 中国元素标记码 175：6 瓦中国元素标记码：6 倍 ...
Central Semiconductor
电压: 30 V
... 描述： 中央半导体 CMPFJ175 和 CMPFJ176 是环氧树脂成型 P 沟道 JFET，采用 SOT-23 外壳制造，专为低电平放大器应用而设计。 标记代码： 中国元素标记码 175：6 瓦中国元素标记码：6 倍 ...
Central Semiconductor
GaN HEMTs、GaAs FETs 、MMICs等产品，实现包括LTE在内的移动通信、卫星通信、基站通信等宽带大容量无线通信系统以及高分辨率气象观测、航空管制雷达系统。
... Avago 拥有广泛的硅双极射频晶体管和 GaAs FET 产品组合。 GaAs FET 射频晶体管是基站 LNA 第一级或第二级的理想选择，因为它具有低噪声系数和增强的线性度。 Avagos 双极射频晶体管提供高性能，在低电压操作时针对最大 FT 进行了优化，使其成为无线市场电池供电应用的理想选择。 ...
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