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电流: 40 A
电压: 40 V
... OptiMOS™ 6功率MOSFET结合了同类最佳的RDS(on)和卓越的开关性能 OptiMOS™ 6功率MOSFET 40V系列针对各种应用和电路进行了优化，如服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和ORing电路中开关模式电源（SMPS）的同步整流。通态电阻(RDS(on))和优点数字(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd)的改进使设计人员能够提高效率，使热设计更容易，并减少并联，从而降低系统成本。 主要特点 与其他产品相比： RDS(on)减少30%。 FOM ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 130 A
电压: 40 V
... OptiMOS™ 6功率MOSFET系列针对各种应用和电路进行了优化，如服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和ORing电路中开关模式电源（SMPS）的同步整流。通态电阻(RDS(on))和优点系数(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd)的改进使设计人员能够提高效率，使热设计更容易，并减少并联，从而降低系统成本。 主要特点 与其他产品相比： RDS(on)减少30%。 FOM Qg x RDS(on)提高了29%。 FOM Qgd x RDS(on)提高了46%。 针对同步整流进行了优化 适用于ORing电路 符合RoHS标准 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 139 A
电压: 40 V
... OptiMOS™ 6功率MOSFET系列针对各种应用和电路进行了优化，如服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和ORing电路中开关模式电源（SMPS）的同步整流。通态电阻(RDS(on))和优点系数(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd)的改进使设计人员能够提高效率，使热设计更加容易，并减少并联，从而降低系统成本。 主要特点 与其他产品相比： RDS(on)减少30%。 FOM Qg x RDS(on)提高了29%。 FOM Qgd x RDS(on)提高了46%。 针对同步整流进行了优化 适用于ORing电路 符合RoHS标准 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 147 A
电压: 40 V
... OptiMOS™ 6功率MOSFET 40V系列针对各种应用和电路进行了优化，如服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和ORing电路中开关模式电源（SMPS）的同步整流。通态电阻(RDS(on))和优点系数(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd)的改进使设计人员能够提高效率，使热设计更容易，并减少并联，从而降低系统成本。 主要特点 与其他产品相比： RDS(on)减少30%。 FOM Qg x RDS(on)提高了29%。 FOM Qgd x RDS(on)提高了46%。 针对同步整流进行了优化 适用于ORing电路 符合RoHS标准 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 285 A
电压: 40 V
... OptiMOS™ 6功率MOSFET系列针对各种应用和电路进行了优化，如服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和ORing电路中开关模式电源（SMPS）的同步整流。通态电阻(RDS(on))和优点系数(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd)的改进使设计人员能够提高效率，使热设计更加容易，并减少并联，从而降低系统成本。 主要特点 与其他产品相比： RDS(on)减少30%。 FOM Qg x RDS(on)提高了29%。 FOM Qgd x RDS(on)提高了46%。 针对同步整流进行了优化 适用于ORing电路 符合RoHS标准 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 381 A
电压: 40 V
... OptiMOS™ 6功率MOSFET系列针对各种应用和电路进行了优化，如服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和ORing电路中开关模式电源（SMPS）的同步整流。通态电阻(RDS(on))和优点系数(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd)的改进使设计人员能够提高效率，使热设计更容易，并减少并联，从而降低系统成本。 主要特点 与其他产品相比： RDS(on)减少30%。 FOM Qg x RDS(on)提高了29%。 FOM Qgd x RDS(on)提高了46%。 针对同步整流进行了优化 适用于ORing电路 符合RoHS标准 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 381 A
电压: 40 V
... OptiMOS™ 6功率MOSFET 40V系列针对各种应用和电路进行了优化，如服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和ORing电路中开关模式电源（SMPS）的同步整流。通态电阻(RDS(on))和优点系数(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd)的改进使设计人员能够提高效率，使热设计更容易，并减少并联，从而降低系统成本。 主要特点 与其他产品相比： RDS(on)减少30%。 FOM Qg x RDS(on)提高了29%。 FOM Qgd x RDS(on)提高了46%。 针对同步整流进行了优化 适用于ORing电路 符合RoHS标准 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 5 A
电压: 500 V
... 功率晶体管插座 5.45 毫米/0.215 英寸间距 高温 低放气 高可靠性圆形触点，具有良好的电气和机械性能。功率晶体管测试插座适用于各种封装，可在高温环境下使用。 适用封装：TO-3、TO-247、TO-264 等 绝缘体 - 高温热塑性塑料 触点 - 高温铜合金 套管 - 黄铜 镍镀金 额定电流 接触电阻 介电强度 (AC3000V 最大值 *) 绝缘体电阻 工作温度 间距 ...
电流: 5 A
... 功率晶体管插座 用于 TO-247（4 针） 高温℃ 低排气 这款功率晶体管测试插座采用 TO-247(4pin)封装，可用于高温环境。其高可靠性的 圆形触点 额定电流 接触电阻 绝缘强度 绝缘体电阻 工作温度 1：漏极 2：源（电源） 3：信号源 4：栅极 * 由于制造原因，形状 A 和形状 B 混合在一起，但尺寸相同。 ...
电流: -0.5 A
电压: -50 V
50A02CH 是双极晶体管，-50V，-0.5A，低 VCE(sat)，PNP 单，适用于低频率通用放大器应用。
电流: 20 A
电压: 650 V
... GNP1070TC-Z是一款650V的GaN HEMT，达到了业界最高等级的FOM（Ron*Ciss、Ron*Coss）。它是EcoGaN™系列的产品，通过充分利用低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换效率和缩小尺寸。内置ESD保护功能，实现了高可靠性的设计。此外，高度通用的封装提供了良好的散热性，便于安装。 概述 该产品在RDS(ON)×Ciss/RDS(ON)×Coss方面具有行业领先的性能，这是GaN HEMT的优点，可转化为电源系统的更高效率。同时，内置的ESD保护元件提高了抗静电击穿能力，最高可达3.5kV，从而实现了更高的应用可靠性。氮化镓HEMT的高速开关特性也有助于外围元件的进一步小型化。 应用实例 是工业设备和消费设备中广泛的电源系统的理想选择，包括服务器和AC适配器 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 24 A
电压: 40 V
... HP8KB6 是一种低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 24 A
电压: 40 V
... HP8KB7 是一款低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 23 A
电压: 60 V
... HP8KC6 是一款低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 24 A
电压: 60 V
... HP8KC7 是一款低导通电阻 MOSFET，非常适合开关应用。 特性 低导通电阻 小型表面贴装封装 (HSOP8) 无铅电镀；符合 RoHS 规范 无卤素 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 0.4 A - 45 A
电压: 36 V - 70 V
意法半导体提供了大量基于VIPower（垂直智能电源）技术的汽车级智能3和5引脚低端开关（OMNIFET）。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路，以驱动垂直结构功率MOSFET。 具有集成特性的低端开关是一种能够安全处理大电流的电源开关，可用于艰苦的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入（或者面向5引脚开关的CMOS 逻辑输入）。此类器件与功率MOSFET引脚兼容，能够确保实时负载控制，具有过热保护功能，因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特 ...
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