低功率振荡器

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晶体振荡器
晶体振荡器
DSC1003

频率: 1 MHz - 150 MHz

... DSC1003 是一款基于硅 MEMS 的 CMOS 振荡器,在宽电源电压和温度范围内具有出色的抖动和稳定性能。该器件的工作频率为 1 至 150MHz,电源电压为 1.8 至 3.3 伏,工作温度范围为 -40ºC 至 105ºC。DSC1003 具有与 DSC1001 相同的功能和性能,但输出驱动力更大(CL <25pf)。DSC1003 采用全硅谐振器,非常坚固耐用,几乎不会出现晶体振荡器常见的应力断裂现象。DSC1003 采用全硅谐振器,非常坚固耐用,几乎不会出现石英晶体振荡器常见的应力断裂现象。在不牺牲当今系统所需的性能和稳定性的前提下,无晶体设计实现了更高水平的可靠性,使 ...

OCXO振荡器
OCXO振荡器
ROM9070PA

频率: 10 MHz - 50 MHz

... ROM9070PA 采用 Rakon 市场领先的 Mercury+™ 专利技术,是世界上用于无线电应用的最小、功耗最低的 OCXO。该产品系列在 -40 至 95°C 温度范围内实现了 ±10 ppb 的频率稳定性,短期老化小于 1 ppb/天,频率斜率低至 0.1 ppb/°C。可根据要求提供低 g 灵敏度和更高工作温度选项。ROM9070PA 采用 Rakon 创新的高 Q 值石英晶体,具有出色的近距离相位噪声性能,使远程射频头 PLL 能够使用单一参考时钟,满足网络同步要求和空中接口要求。 ...

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Rakon
OCXO振荡器
OCXO振荡器
RFPO40

频率: 10 MHz - 40 MHz

... RFPO40 是世界上最小的、首个基于 ASIC 的 OCXO 产品系列,采用了 Rakon 获得专利的 Mercury™ ASIC 技术。它的温度稳定性低至 ±10ppb(超过 -20 至 70°C),并且每天的短期老化通常小于 ±2ppb。 RFPO40 内含高度集成的烤箱,可确保较短的预热时间,而且功耗极低,室温下仅为 350mW。与传统的分立 OCXO 相比,ASIC 架构的可靠性提高了 1000 倍。 特点  外形小巧  在 -20 至 70°C ...

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Rakon
OCXO振荡器
OCXO振荡器
RFPO45

频率: 10 MHz - 26 MHz

... RFPO45 是世界上最小的、首款基于 ASIC 的 OCXO,采用了 Rakon 获得专利的 Mercury™ ASIC 技术。该振荡器符合 Stratum 3 标准,温度稳定性低至 ±10ppb(-20 至 70°C),短期老化能力通常低于每天 ±2ppb。 RFPO45 内置高度集成的烤箱,确保预热时间短,功耗极低,室温下仅为 350mW。与传统的分立 OCXO 相比,ASIC 架构的可靠性提高了 1000 倍。 特点  外形小巧  在 -20 至 70°C ...

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Rakon
OCXO振荡器
OCXO振荡器
RFPO55

频率: 10 MHz - 26 MHz

... RFPO55 是全球首款基于 ASIC 的 OCXO 产品系列,采用了 Rakon 获得专利的 Mercury™ ASIC 技术。这款符合 Stratum 3 标准的振荡器的温度稳定性低至 ±10ppb(-20 至 70°C),并且每天的短期老化通常小于 ±2ppb。 RFPO55 内置高度集成的烤箱,确保预热时间短,功耗极低,室温下仅为 350mW。与传统的分立 OCXO 相比,ASIC 架构的可靠性提高了 1000 倍。 特点  外形小巧  在 -20 ...

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Rakon
石英晶体振荡器XO
石英晶体振荡器XO
RK115 - FP2

频率: 2 MHz - 100 MHz

... 这款高可靠性 XO RK115 专为太空应用而设计,采用混合技术,可抵御极端环境(辐射、冲击和振动)。这款振荡器的主要优点是功耗低、交货期短。RK115 采用第二代增强型 J 引线技术,便于报告,同时还提供扁平封装和 DIL 封装,引脚与市场上大多数空间 XO 兼容。 特点  无 ITAR  AHCMOS 或 ACMOS 输出  低消耗:25 mA  电源电压:+3.3 V 或 +5 V  全局频率稳定性:18 年内 ± 68 ppm 应用 空间 ...

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Rakon
石英晶体振荡器XO
石英晶体振荡器XO
RK115 - FP1

频率: 2 MHz - 100 MHz

... 这款高可靠性 XO RK115 专为太空应用而设计,采用混合技术,可抵御极端环境(辐射、冲击和振动)。这款振荡器的主要优点是功耗低、交货期短。RK115 采用第二代增强型 J 引线技术,便于报告,同时还提供扁平封装和 DIL 封装,引脚与市场上大多数空间 XO 兼容。 特点  无 ITAR  AHCMOS 或 ACMOS 输出  低消耗:25 mA  电源电压:+3.3 V 或 +5 V  全局频率稳定性:18 年内 ± 68 ppm 应用 空间 ...

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