DDR5内存模块

内存: 32, 8, 16 GB

● 超高传输速度: 4800 MT/s ● 高达32GB的大容量 ● 独立电源管理芯片 (PMIC)，提供稳定的电源供应 ● 1.1V超低电压，更加节能省电 ● 支持On-die ECC纠错机制，数据传输稳定精准 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性，延长其使用寿命 ● 客制化服务: 抗硫化(Anti-Sulfuration)和三防胶(Conformal Coating)，强化产品在严苛环境中的耐用度 ● 适用于边缘计算、物联网、5G与工业计算机等应用 威刚工业级DDR5 ...

内存: 8, 16, 32 GB

● 超高传输速度: 4800 MT/s ● 高达32GB的大容量 ● 独立电源管理芯片 (PMIC)，提供稳定的电源供应 ● 1.1V超低电压，更加节能省电 ● 支持On-die ECC纠错机制，数据传输稳定精准 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性，延长其使用寿命 ● 客制化服务: 抗硫化(Anti-Sulfuration)和三防胶(Conformal Coating)，强化产品在严苛环境中的耐用度 ● 适用于嵌入式装置、智能医疗、监控、工业自动化等应用 威刚工业级DDR5 ...

内存: 32, 16 GB

● 超高传输速度: 4800 MT/s ● 采用原厂高质量內存颗粒，以符合严格的工业级标准 ● 独立电源管理芯片 (PMIC)，提供稳定的电源供应 ● 1.1V超低电压，更加节能省电 ● 双重纠错机制: On-die ECC和Side-band ECC，数据传输更精准 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性，延长使用寿命 ● 适用于服务器、网通、边缘运算、物联网、5G与监控等应用 ● 符合RoHS与JEDEC生产规范 ● 客制化服务: 抗硫化 ...

内存: 16, 32 GB

● 超高传输速度: 4800 MT/s ● 采用原厂高质量內存颗粒，以符合严格的工业级标准 ● 独立电源管理芯片 (PMIC)，提供稳定的电源供应 ● 1.1V超低电压，更加节能省电 ● 双重纠错机制: On-die ECC和Side-band ECC，数据传输更精准 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性，延长使用寿命 ● 适用于服务器、网通、边缘运算、物联网、5G与监控等应用 ● 符合RoHS与JEDEC生产规范 ● 客制化服务: 抗硫化 ...

内存: 16, 32 GB

● 超高传输速度: 4800 MT/s及高达32GB的大容量 ● 在存储模块和系统之间配备寄存器，以确保信号稳定 ● 独立电源管理芯片 (PMIC)，提供稳定的电源供应 ● 1.1V超低电压，更加节能省电 ● 支持On-die ECC纠错机制，数据传输稳定精准 ● 30µ PCB镀金层: 提高产品耐用性，延长其使用寿命 ● 客制化服务: 抗硫化(Anti-Sulfuration)和三防胶(Conformal Coating)，强化产品在严苛环境中的耐用度 ● ...

内存: 32 GB - 128 GB

... 采用多路复用器组合等级技术的模块 SK hynix 为高性能计算专门开发了 MCRDIMM（Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Modules，多路复用器组合等级双列直插式内存模块），它基于 16Gb 或 24Gb DDR5 SDRAM 设备，通过同时访问子通道内的等级来提高带宽。 带宽轻松超过 8Gbps 我们的 16Gb 或 24Gb DDR5 MCRDIMM 的数据传输速率为 8.8Gbps，与其他数据传输速率为 ...

内存: 64, 128, 16, 32 GB

... 为大数据和人工智能提供更高水平的性能 高级模块 在推出全球首款 DDR5 DRAM 之后，SK hynix 又推出了基于 16Gb 或 24Gb DDR5 的 16-256GB 容量 RDIMM，与 DDR4 RDIMM 相比，性能大幅提升，引领下一代内存模块解决方案。 带宽更高，速度更快 我们的 16Gb 或 24Gb DDR5 RDIMM 与 DDR4 相比，有效带宽增加了 70%，数据传输速率从 5,600Mbps 开始，最高可达 6,400Mbps 以上，最终目标是速度提高 ...

内存: 32, 8, 16, 48 GB

... SK hynix UDIMM 是台式电脑的主流内存模块，采用最新的 16Gb 或 24Gb DDR5 芯片，容量高达 48GB，性能更强。 更强的性能和速度 使用 16Gb 或 24Gb DDR5，UDIMM 的速度从 DDR4 的 3,200Mbps 跃升至 5,600Mbps 以上。随着 PC 需求的不断发展，容量和速度还将进一步提高。 使用 In-DRAM ECC 提高可靠性 DDR5 采用 In-DRAM 纠错码（ECC）技术，可卸载系统的纠错负担，提高可靠性、可用性和可维护性（RAS）。 ...

内存: 16, 32, 8, 48 GB

... 从家庭到户外，笔记本电脑时代的必备内存 笔记本电脑模块 随着便携式电脑成为中心舞台，面向笔记本电脑的 SODIMM 成为焦点。SK hynix SODIMM 的容量与台式机用 UDIMM 的 32GB 容量相当，并采用 16Gb 或 24Gb DDR5 技术，支持高达 5,600Mbps 的数据传输。我们的 SODIMM 在容量和速度方面将继续增长，以满足便携式但功能强大的笔记本电脑的需求。 电源管理集成电路（PMIC） DDR5 模块中新增了电源管理 IC (PMIC)，无需外部电压调节，可为 ...

内存: 16, 24 GB

... 高性能、高密度DRAM的广泛组合 更高的DDR5速度已排定 虽然16Gb或24Gb DDR5目前可以以5,600Mbps的速度处理数据，但我们的目标是通过更高密度的DDR5实现6,400Mbps以上的更快速度，以满足对更大内存带宽不断增长的需求。 32个银行，动态可扩展性 DDR5的内存访问可用性是DDR4的两倍，其架构中有8个银行组和32个银行，都是DDR4的两倍，由同一银行刷新功能支持，允许在所有银行组中刷新特定银行时访问其他银行。 节省20%的电力 DDR5的效率也更高，在1.1V的工作电压下可提供2倍的速度，总体上比DDR4的耗电量低20%。 ...

内存: 16, 128, 64 GB

... 开创高端内存新纪元的终极 DRAM 2021年10月开发出全球首款HBM3 在 HBM2E 量产后的短短 15 个月内，SK hynix 通过开发 HBM3 巩固了其在高速 DRAM 领域的领先地位，HBM3 是用于数据中心、超级计算机和人工智能等尖端技术的最新高带宽内存。 先进的散热技术 在相同的工作电压下，HBM3 的运行温度比 HBM2E 低，从而提高了服务器系统环境的稳定性。在同等工作温度下，SK hynix HBM3 可以支持 12 层堆栈，容量是 HBM2E ...

... 利用 CXL® 扩展内存的新时代 Compute Express Link® (CXL®) 采用 PCIe（外围组件互连 Express）接口，是一种全新的标准化接口，有助于提高 CPU、GPU、加速器和内存的效率。CXL® 内存的主要优势在于可扩展性：CXL® 允许灵活扩展内存，这是现有服务器系统所不具备的，因为在采用特定服务器平台时，内存容量和性能是固定不变的。CXL® 作为运行人工智能和大数据应用的高性能计算系统的新接口，其发展潜力不可限量。 CXL®，解锁内存扩展 SK ...