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内存: 2, 4, 8, 16 GB
On-DIMM热传感器：有 PCB：高度30.0 mm，间距1.0 mm（引脚） 八个并行运行的内部存储库（组件） 支持每个突发接入的自动预充电选项 支持自动刷新/自刷新 刷新周期：7.8㎲在0℃≦TC≤+ 85℃ PCB：30μ金手指 涂层保护/底部填充 (可选) 抗硫化(Anti-Sulfuration)(Apacer专利) (可选) ECC UDIMM（ECC无缓冲DIMM）是符合JEDEC标准的内存，专为需要高度稳定运行的服务器和工作站而设计。以最高质量的原厂内存芯片制造，它支持ECC功能来检测和纠正数据错误，以及内置的温度监控热传感器，以防止过热并提高内存的可靠性。
内存: 2, 4, 8 GB
防硫化内存主要用于暴露在高度污染的环境中的设备，例如 汽车，军工，医疗，运输，网络和户外电子产品以及用于高浓度硫磺气体等的电子设备。火山，温泉和矿业。空气中含硫的颗粒可以容易地与电极中使用的银反应形成不导电的硫化银。 随着硫化物的增加，电阻值也会增加，最终导致断路。为了解决电阻器硫化的问题，宇瞻开发出了世界上第一个防硫化内存给高含硫的环境中使用，而这一创新设计现已获得专利。
内存: 1, 2, 4 GB
封装：204PIN小型双列直插式内存模块（32位SO-DIMM） PCB：高度30.0mm，间距0.6 mm（引脚） 电源VDD：1.5V±0.075V 八个并行运行的内部存储库（组件） 突发长度（BL）：8和4与突发突变（BC） 支持每个突发访问的自动预充电选项 支持自动刷新/自刷新 刷新周期：7.8 ㎲于0℃≤TC≤+ 85℃ 宽度：32位 涂层保护/底部填充 (可选) ...
内存: 2, 8, 4 GB
... 可增强时钟、命令和控制信号的寄存器 提供单一纠错和检测功能 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化 使用原装集成电路，符合严格的工业标准 JEDEC 标准 1.5V (1.425V~1.575V) 和 1.35V (1.28V~1.45V) 工作环境：0°C ~ 85°C 30μ"金手指 符合 RoHS 规范 CE/FCC 认证 DDR3 RDIMM 是专为服务器和网络市场设计的工业内存模块，可提供持久的性能。模块配备 ...
Innodisk Corporation
内存: 2, 4, 8, 16 GB
● 传输效能高达1600 MT/s ● 严选原厂优质DRAM IC，耐用可靠 ● 1.35V低电压，节能省电 ● 客制化服务: 30µ PCB镀金层、抗硫化(Anti-Sulfuration Protection)和三防胶(Conformal Coating)，强化产品在严苛环境中的耐用度 ● 适用于工业自动化、交通、网通与监控等应用 威刚工业级DDR3L U-DIMM内存传输速度达1600 MT/s，相当适合自动化、嵌入式系统、网通、监控等应用。此外，仅需 ...
ADATA Industrial
内存: 2, 4, 8 GB
... DDR3 SO-DIMM SDRAM 模块是高速 CMOS 动态随机存取内存模块，使用内部配置的 8 组 DDR3 SDRAM 器件。DDR3 SDRAM 模块使用 DDR 架构实现高速运行。DDR3 架构本质上是一种 8n 预取架构，其接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR3 SDRAM 模块的单次读取或写入访问实际上由内部 DRAM 内核的单次 8 位宽、一个时钟周期的数据传输和 I/O 引脚的 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输组成。每个 ...
内存: 8, 16, 32 GB
... 随着 DRAM 市场稳步迁移到 DDR4 存储器，几家主要制造商已经宣布生产基于高密度 DDR3 8 Gbit 元件的 DDR3 模块，包括元件的 EOL 通知。 然而，网络和嵌入式行业的相当多的客户仍然无法转换到最新一代，并继续使用需要特定 DDR3 存储器的传统系统，如 VLP RDIMM 或高密度 SO-DIMM。 为了避免可能对这些客户的业务运营产生不利影响的供应短缺，ATP 决定为这些模块提供自己的 DDR3 8 Gbit 组件。 ATP 制造、特性和测试从 ...
ATP Electronics
内存: 16, 8 GB
... 原装颗粒提高电脑性能 精选原厂颗粒，严格检验流程，6层PCB板，性能稳定。 优秀的兼容性 内存产品已通过市场上主流品牌的主板兼容性测试 兼容性，确保系统长期稳定运行。 镀金工艺金手指 镀金工艺，导电性和耐腐蚀性更强。 ...
Netac Technology Co.,Ltd.
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