半导体测量系统

为各种场合提供以高产量为核心的快速、准确的检测。 VMZ-S系列提供3大类机型，以及一系列高质量的光学器件，标配有TTL（通过镜头的）扫描激光器。高速度和高精度相结合，可以更快地完成测量任务。 VMZ-S系列具有高精度和高速测量功能，可满足日益增长的复杂需求，也可进行广泛应用。 6种光学变焦系统 该系统从零开始设计，利用专门设计的尼康光学系统提供高精度测量。 高速高度测量 高精度、高速高度测量通过高精度透镜激光自动对焦实现，能够以每秒1000点的速度进行高速扫描。 测量困难样本的能力 利用尼康独家的照明配件，可以轻松测量难测的边缘和特征。 不间断自动测量 即使部件定位发生变化，也可以实现精确测量。

天准为掩模生产过程中的测量提供高精度、高重复性系统，适用产品包括但不限于COG和PSM。 针对掩模来料测量，天准提供长距离工作物镜。测量包括掩模版上CD的分布，同时系统提供可见光和紫外光照明，均可用于反射和透射模式。紫外光照明可用于测量最小300m的特征尺寸，3sigma 重复性通常在纳米范围内。 主要特点 •MaskCD •最大支持14寸掩模以及定制形状 •可配置可见光、紫外光，支持穿透和反射光 •SECS/GEM •长期维护成本低，喼定可靠

... 霍尔效应测量系统用于测量什么？ 霍尔效应测量系统用于测量霍尔元件的散装载流子浓度、片状载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、磁阻等。 霍尔效应测量系统的工作原理： 霍尔效应是指在导体上产生的电位差（霍尔电压），该电位差与导体中的电流和垂直于电流的外加磁场成反比。霍尔效应由埃德温-霍尔于 1879 年发现。 霍尔效应的本质：当固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，由于洛伦兹力的作用，运动轨迹发生偏移，材料两侧发生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场；最后，载流子的洛伦兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧形成稳定的电位差，即霍尔电压。 霍尔效应测量系统的可测试材料： 半导体材料：SiGe、SiC、InAs、InGaAs、InP、AlGaAs、HgCdTe ...

... 新的Cascade SUMMIT200先进的200mm探针系统，对于收集单片或批量晶圆上的高精度测量数据至关重要；尽可能快。 SUMMIT200探针站设计用于研发、设备表征/建模或利基生产应用，可对超低噪声、直流、射频、毫米波和太赫兹应用进行精确的温度电气测量，具有半自动和现在的全自动操作，可在最快时间内获得准确数据。 新一代探针系统支持PureLine™技术，以实现市场上最低的噪音水平之一。获得专利的AttoGuard®和MicroChamber®技术大大改善了低泄漏和低电容测量。一个新的先进的200毫米快速平台，处理多达50个晶圆的盒，高产量的测试功能，以及-60°C至300°C的宽温度范围，为科学家、研发和测试工程师或生产操作员提供了快速完成工作所需的一切。 SUMMIT200探针台支持Contact ...