氮化铝晶圆基板是半导体行业的重要组成部分,以其优异的热性能和电性能而闻名。氮化铝(AIN)材料因其与硅的兼容性而倍受青睐,是各种晶圆相关应用的理想材料。
氮化铝晶圆基底的重要性
氮化铝晶圆基板在半导体行业中发挥着至关重要的作用。氮化铝晶圆基板受欢迎的主要原因之一是其热特性与硅非常接近。这种相似性使 AIN 基底面成为热管理至关重要的半导体应用的绝佳选择。Innovacera 是这些基板的领先供应商,提供各种直径的氮化铝晶圆基板,从 2 英寸到 8 英寸不等,其中 6 英寸和 8 英寸是最常用的尺寸。
氮化铝(AIN)的主要特点
氮化铝(AIN)因其令人印象深刻的特性而脱颖而出,非常适合高级半导体应用。其中最显著的特征包括
高导热性:AIN 的导热系数范围为 170-220 W/mK,这对高性能半导体器件的散热至关重要。
高电气绝缘性:这种材料具有出色的电气绝缘性能,非常适合用于需要隔离电气干扰的电子元件。
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