霍尔效应测量系统 DX

温度电阻同心度

霍尔效应测量系统用于测量什么？ 霍尔效应测量系统用于测量霍尔元件的散装载流子浓度、片状载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、磁阻等。 霍尔效应测量系统的工作原理： 霍尔效应是指在导体上产生的电位差（霍尔电压），该电位差与导体中的电流和垂直于电流的外加磁场成反比。霍尔效应由埃德温-霍尔于 1879 年发现。 霍尔效应的本质：当固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，由于洛伦兹力的作用，运动轨迹发生偏移，材料两侧发生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场；最后，载流子的洛伦兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧形成稳定的电位差，即霍尔电压。 霍尔效应测量系统的可测试材料： 半导体材料：SiGe、SiC、InAs、InGaAs、InP、AlGaAs、HgCdTe 和铁氧体材料等。 低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁半导体材料、TMR 材料等。 高阻抗材料：半绝缘 GaAs、GaN、CdTe 等。 DX 霍尔效应测量仪器的组件： 霍尔效应仪器系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔效应样品支架、高低温控制器、标准样品和系统软件组成。