容量因素测试系统

用于半导体MOSFET模块化

电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V 曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。 • 频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调 • 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1% • 内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容- 电压），C-T（电容- 时间），C-F（电容 - 频率）等多项测试测试功能 • 兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试 • 实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控 • 扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配