雪崩光电二极管(APD)模块

与光电倍增管类似，雪崩光电二极管 (APD) 用于检测极弱的光强度。 Si APD 用于 250 至 1100 nm 的波长范围，InGaAs 用作 1100 至 1700 nm 波长范围的 APD 中的半导体材料。 PIN 光电二极管将光转换为电流——无需施加偏置电压。 硅通常用作可见光范围内的廉价检测器材料。 对于更高的要求，使用 InGaAs； 它涵盖了从 Vis 到 NIR 的最宽光谱范围。 我们提供碳化硅作为专门用于紫外线范围的“日盲”检测器。 Wavelength Opto-Electronic 是LASER COMPONENTS品牌产品的授权经销商 新加坡. 硅APD Si-APD 适用于 225nm 至 1100nm 的光谱范围。 用于光子计数的硅 APD SAP 系列硅雪崩光电二极管主要用于光子计数。 该系列具有最高的效率和最低的暗电流率。 硅 APD 紫外线敏感 该检测器专为（生物）医学应用而开发，在这些应用中，必须检测短波紫外线/蓝色光谱范围内的最小信号。 InGaAs APD 我们的 InGaAs 雪崩光电二极管 (APD) 专为 1100 nm 至 1700 nm 的光谱范围而设计。 IAG系列产品信噪比特别好，支持放大30倍以上。 硅 APD 阵列 APD 阵列现在可从 Laser Components 获得，从而支持 LIDAR 和 ACC 中的新应用。