MOCVD镀膜机 Propel™ Power

薄膜

单晶片反应腔技术能够生产 GaN 基高效功率器件。 Veeco 的 Propel™ Power GaN MOCVD 系统专为电力电子器件行业而设计。该系统采用单晶片反应腔平台，能够处理六至八英寸晶片，可沉积高品质的 GaN 薄膜，生产高效率的电力电子器件。这种单晶片反应腔基于 Veeco 的领先 TurboDisc® 设计并采用突破性的技术，其中包括新的 IsoFlange™ 以及可在整个承载盘中提供均匀的层流和统一温度曲线的 TruHeat™ 晶片线圈。客户可以很轻松地从 Veeco K465i™ 和 MaxBright™ 系统切换到 Propel Power GaN MOCVD 平台。 出色的薄膜均匀度、产量和设备性能 具有较长的运行时间和较低的颗粒缺陷，实现出色的良率和灵活性 快速研究周期可加速从硅基氮化镓研发过渡到大批量生产 模块化设计，实现轻松的配置、操作和维护 Veeco 的 Propel 技术在《复合半导体》杂志上有专题文章做介绍。点击此处阅读《精通 GaN HEMTs MOCVD》 访问在 200mm (8”) 硅基质上利用 Veeco® Propel® TurboDisc® MOCVD 工具生长 GaN HEMT 结构的基本工艺信息。本信息并非旨在、准备、推荐或授权用于任何类型的商业系统或应用中。