电子束源 UNI-Bulb®

适用于氧、氮和氢的 UNI-Bulb RF 等离子源 优化电子设备和光电器件的生产 Veeco Uni-Bulb RF 等离子源可提供电子和光电材料的 GaN 生长最佳条件以及优异的等离子稳定性和可重现性。单个 PBN 气体进口管和等离子灯泡与双同轴 RF 线圈相结合可实现优异的功率耦合和散热。为了进一步提高性能，还提供了一些设计选件（包括定制的孔板）。 气体等离子是将高度稳定的源气体（如 N2 或 H2）转换为适合 MBE 生长的更活跃的原子和分子形态的有效工具。Veeco UNI-Bulb 采用获得专利权的单个 PBN 气体进口管和等离子灯泡来消除灯泡周围的气体泄漏。所产生的等离子具有高度稳定性和可重现性，无需重新调节源即可实现多个小时的运行时间。 可采用各种气体导管提供可交换的光圈挡片，以用于 GaN 生长、混合 As/N 材料、氮掺杂、氢清洗和氢辅助生长。出口孔设计能够最大限度地减少光束中的离子含量，而活性中性形态（原子和分子）则朝向基板。定制的高均匀孔径板可用于大多数商业 MBE 系统，实现典型的 ±1% 均匀度。 专利设计，已有超过 225 个投入现场应用 All-PBN，无氧等离子灯泡结构 优化的出口孔径，可最大限度地减少离子含量并提供良好的膜均匀度 卓越的等离子稳定性和可重现性 可配置用于 GaN 生长、混合氮化物、N 掺杂、氢清洗和氢气辅助生长 自动调节器选项可确保稳定的生长条件和优化的功率效率 性能和优势 Veeco UNI-Bulb RF 等离子源是世界上最常用的 MBE 氮化物生长方法。可提供最佳的氮化物生长条件，经验证可为电子和光电应用提供创造纪录的结果 其中包括： 适用于 1.32μM GaInNAs/GaAs 量子阱激光器的创纪录的低阀值电流（坦佩雷理工大学，2001 年） 兼容电信网要求的 1.26μM InGaAsN VCSEL 生产（Cielo 通信有限公司和桑迪亚国家实验室，2001 年） AlGaN/GaN 二维电子气体结构生长以及创纪录的 160,000cm2/Vsec/77K 和 51,700cm2/Vsec/13K 高迁移率（加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校，1999 年） AlGaN/GaN PI-HEMTs 表明，小信号 RF 性能和 DC 故障在作为栅极长度时的效果与 MOVPE 生产的最好晶体管一样好（康奈尔大学，1999 年） 报告称 GaN 生长率高达 2.6μm/hr. （东京大学，1999 年）。在最常见的情况下，此源可用于实现 0.8-1.0μm/hr 的 GaN 生长率范围 质谱分析研究表明，该束通量富含亚稳态氮分子且具有非常低的离子含量。亚稳态分子在 GaN 生长中表现出较高的掺入率，并能在高基底温度（约 700-750°C）的情况下稳定生长率（西弗吉尼亚大学，1999 年）