驱动变压器为 IGBT-绝缘电压 600 Vrms 至 2000 Vrms
近年来,电力电子已经对电力发电技术,分配和转换产生了决定性的影响。 现代半导体能够以低损耗快速安全地控制并转换电能。 该领域取得进展的主要贡献是关断功率半导体,如 IGBT(绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(元氧化半导体场效应晶体管)和 GTO(栅极关断晶闸管)。 VAC 产品在保持半导体开关和低损耗功率传输的效率和安全性方面做出了重大贡献。
更高的开关频率、更高的阻塞电压和开关功率会影响半导体激活和控制的方式,从而实现安全和简单的切换。 驱动变压器确保电分离,同时为半导体驱动电路提供开关信号和/或能量。
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