隔离变压器 T60403-D4xxx series

干式用于 IGBTMOSFET栅极驱动器

近年来，电力电子对电力发电、配电和转换技术产生了决定性影响。 现代半导体能够以低损耗快速安全地控制并转换电能。 该领域取得进展的主要贡献是关断功率半导体，如 IGBT（绝缘栅双极晶体管）、MOSFET（元氧化半导体场效应晶体管）和 GTO（栅极关断晶闸管）。 VAC 产品在保持半导体开关和低损耗功率传输的效率和安全性方面做出了重大贡献。 更高的开关频率、更高的阻塞电压和开关功率会影响半导体激活和控制的方式，从而实现安全和简单的切换。 驱动变压器确保电分离，同时为半导体驱动电路提供开关信号和/或能量。 变压器必须满足多种要求： • 高绝缘强度 • 低耦合电容，实现高干扰阻力 • 紧凑设计 • 低泄漏电感，实现高脉冲精度 • 开关功率传输 • 工作范围广 温度（例如-40° C 至 + 105° C） • 国家和国际标准，例如 EN 50178、IEC 61800、UL508、IEC 62109、UL1741 变压器特性： • ...D 高达 1200 V 直流电压；PTH 高达 8.5 千VRM • 低转数 • 可用的 ...D 解决方案 • 低电量的 转弯; 高渗透性 • 通常 2 至 20 瓦 • 渗透性随温度的低线性变化 • 根据相关标准进行设计，通过检测和类型测试验证的性能