闪存内存 Rx series

NAND

NAND 型闪存器一直在改变其存储单元结构、单元大小和功能，通过缩小，容量增大，成本降低，正在迅速推进。 但是，如果闪存生成变化 在不保持跨代兼容性的情况下加速，则采购 NAND 型闪存可能会变得困难，并 可能出现限制系统引入和系统设计的更大风险。 TDK GBDriver RA6 通过控制最新的闪存（双平面写入闪存）消除了这些风险，同时保持 对现有 NAND 型闪存的支持。 除此之外，GBDriver RA6 支持 UltraDMA Mode2，最大传输速度为 33.3MB/s，以便以业内最高速度控制最新的闪存。 此外，磨损矫正的架构已经更新。 即使对内存进行不成比例的写入，GBDriver RA6 也会控制 写入调平，以防止写入集中在内存的任何特定部分。 除了新装备的 系统强化功能（智能命令支持功能以及设置所有扇区号 [剪裁功能] 功能）， 这使 NAND 型闪存的使用寿命更长，并提高了使用 NAND 型闪存作为硬盘替代品的可靠性