紫外线曝光罩的XYθ对准|在干燥的氮气环境中进行晶圆曝光的高精度定位系统
精密组件
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紫外线曝光罩的XYθ对准|用于在干燥的氮气环境中进行晶圆曝光的高精度定位系统 - 精密组件
用于极端条件下微观结构的微米级对准
这个三轴掩模系统是专门为紫外光刻的曝光掩模的高精度定位而开发的。这个定位系统有三个平行运动学设计的线性轴:两个X轴和一个Y轴。两个垂直轴同时产生垂直冲程(平等运动)和旋转(相反运动)。因此,它能够在紫外线辐射下以及在超干的氮气环境中对纳米范围的掩模进行高精度的线性和旋转定位。
高精度的紫外线晶圆曝光
- 高分辨率和自动化的EUV光刻的理想选择
- 曝光掩膜的高度精细XYθ对准,可达0.03µrad
- 适用于紫外线以及超干的无氧纯氮气氛
- 由于采用了润滑和涂层的综合概念,使散射辐射最小化
- 灵活、综合的维护概念,系统可从光轴的侧面移出,在
可选择扩展。
- 各种横移路径
- 适应应用的材料选择和润滑
- 为客户的具体应用提供个性化的解决方案
- 用于洁净室ISO 14644-1的版本(根据要求可达到1级)。
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