工艺流程反应器 ESY–10/S

管状组合式

LPE反应器，针对II-VI化合物半导体生长的特殊要求开发。用于热成像应用的MCT HgCdTe-Epitaxy。 LPE-用于II-VI技术的设备 LPE反应器ESY-10/S概念是由SOF Optoelectronics开发的，用于II-VI化合物半导体（如HgCdTe）的LPE生长的特殊要求。该设备的主要特点是每次外延工艺的产能高达 200cm²，结合其独特的坩埚材料和熔体均匀化设计，该设备在全球范围内的各种应用中成功运行。 除了用于工业和研发的标准ESY-10/S炉之外，还可以实现客户设计的具有大量选项的解决方案。ESY-10/S可以完美地补充一个集成的独立退火炉系统。一个密封的氮气装载手套箱使操作人员能够在保护气氛中装载和卸载炉管。 LPE 炉 - 技术亮点 带有垂直LPE和退火石英管的单管或双管组合炉 3个用于外延的加热区和1个用于汞源的独立加热区 炉管内的汞蒸汽源 温度最高可达750°C 温度调节精度：± 0.5 °C 适用于最大49平方厘米的晶圆 每个外延过程中最多可有6片晶圆 完美的层生长 工艺结束后易于去除固体熔体 晶片表面保护 在外延生长之前和之后 全自动化的计算机控制处理 所有工艺参数的数据记录 带有N2气氛的封闭式装载手套箱 LPE设备单元的工作原理是利用旋转浸泡船技术的液相外延（LPE）技术。